半导体激光退火原理漏氧气会怎么样

半导体激光退火原理漏氧气会形小，升华或分解发生。根据查询相关信息得知，是氧元素形成的一种单质，化学式O，化学性质比较活泼，与大部分的元素能与氧气反应。常温下是很活泼，与许多物质不易作用。高温下很活泼，能与多种元素直接化合，氧原子的电负性仅次于氟有关。

传统的加热退火技术是把整个工件放在真空炉中。激光退火技术开始主要用于修复离子注入损伤的半导体材料,特别是硅,在一定的温度(300°～1200℃)保温退火10～60min。退火是一种金属热处理工艺，指的是将金属缓慢加热到一定温度，保持足够时间，然后以适宜速度冷却。目的是降低硬度，改善切削加工性；消除残余应力，稳定尺寸，减少变形与裂纹倾向；细化晶粒，调整组织，消除组织缺陷。准确的说，退火是一种对材料的热处理工艺，包括金属材料、非金属材料。而且新材料的退火目的也与传统金属退火存在异同。

你好，你是想问红外激光退火是什么吗？红外激光退火技术是半导体加工的一种工艺，效果比常规热处理退火好得多。激光退火后，杂质的替位率可达到98%-99%，可使多晶硅的电阻率降低40%-50%，可大大提高集成电路的集成度，使电路元件间的间而减小到0.5km。

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