裸芯片技术主要有两种形式:一种是COB技术,另一种是倒装片技术(Flip Chip)。DIP封装结构形式有:多层陶瓷双列直插式DIP,单层陶瓷双列直插式DIP,引线框架式DIP(含玻璃陶瓷封接式,塑料包封结构式,陶瓷低熔玻璃封装式), 衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比,这个比值越接近1越好。以采用40根I/O引脚塑料包封双列直插式封装(PDIP)的CPU为例,其芯片面积/封装面积=3×3/15.24×50=1:86,离1相差很远。BGA封装 90年代随着集成技术的进步、设备的改进和深亚微米技术的使用,LSI、VLSI、ULSI相继出现,硅单芯片集成度不断提高,对集成电路封装要求更加严格,I/O引脚数急剧增加,功耗也随之增大。
半导体分立器件泛指半导体晶体二极管、半导体三极管简称二极管、三极管及半导体特殊器件。
电子产品根据其导电性能分为"导体"和"绝缘体"半导体介于"导体"和"绝缘体"之间,半导体元器件以封装形式又分为“分立”和“集成”如:二极管、三极管、晶体管等。
MMSZ4693T1G的技术参数
产品型号: MMSZ4693T1G
齐纳击穿电压vz最小值(v):7.130
齐纳击穿电压vz典型值(v):7.500
齐纳击穿电压vz最大值(v):7.880
@izt(ma):0.050
齐纳阻抗zzt(ω):-
最大功率pmax(w):0.500
芯片标识:cy
封装/温度(℃):sod123/-55~150
类型:驱动IC
封装:SMD
批号:12+
品牌:ON
功率 - 最大值:500mW
类别:分立半导体产品
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