为什么霍尔效应在半导体中特别显著

霍尔效应是载流子在磁场作用（洛伦兹力作用）下而偏离电场方向所产生的一种现象。霍尔电压与电场和磁场成正比，其比例系数称为霍尔系数；霍尔系数与载流子浓度成反比，所以非简并半导体的霍尔效应较显著，而简并半导体和金属的霍尔效应就较弱。

因为霍尔效应中需要产生一个平衡洛伦兹力作用的横向电压，电阻率越高（载流子浓度越低）的半导体，其中越容易产生出这个电压，所以半导体的霍尔效应要比金属的强。

霍尔效应可用来判别多数载流子的类型，霍尔效应也可用来测量迁移率（霍尔系数与电导率的乘积就等于迁移率）。

霍尔元件

的灵敏度与

载流子浓度

成反比

，而

半导体

的载流子浓度远比

金属

的载流子浓度小，所以采用

半导体材料

作霍尔元件灵敏度较高。另外半导体材料介电系数高，同样的

电荷

集聚产生的

电压

差高，也就是

霍尔效应

明显。

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