p型si功函数

1.根据电阻率查表得到掺杂浓度NA=2X10^16 CM^(-3) 2.根据掺杂浓度查表得到半导体的功函数Ws=5.00eV 3.为了得到肖特基结,要求P型半导体满足Wm<ws,所以应选择al,作为金属构成肖特基结. 4.金属一侧的势垒高度q$ps=X+Eg-Wm=4.05+1.124-4.20=0.974eV 5.半导体一侧的势垒高度qVD=|Wm-Ws|=|4.20-5.00|=0.80eV</ws,所以应选择al,作为金属构成肖特基结.

把一个电子从固体内部刚刚移到此物体表面所需的最少的能量。功函数的大小通常大概是金属自由原子电离能的二分之一。同样地将真空中静止电子的能量与半导体费米能级的能量之差定义为半导体的功函数。功函数的单位:电子伏特,eV功函数(work function)又称功函、逸出功，在固体物理中被定义成：把一个电子从固体内部刚刚移到此物体表面所需的最少的能量。 真空能级：电子达到该能级时完全自由而不受核的作用。 功函数：真空能级与费米能级之差。

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