SOI是什么简称

SOI（硅技术）

SOI全称为Silicon-On-Insulator，即绝缘衬底上的硅，该技术是在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层。

SOI材料具有了体硅所无法比拟的优点：可以实现集成电路中元器件的介质隔离，彻底消除了体硅CMOS电路中的寄生闩锁效应；采用这种材料制成的集成电路还具有寄生电容小、集成密度高、速度快、工艺简单、短沟道效应小及特别适用于低压低功耗电路等优势，因此可以说SOI将有可能成为深亚微米的低压、低功耗集成电路的主流技术。此外，SOI材料还被用来制造MEMS光开关，如利用体微机械加工技术。

扩展资料：

SOI应用范围

除了特异的优点，在集成电路中使用外，还被用于微光机电MEMS系统的制造，如3D反射镜阵列开关。该反射镜是在SOI衬底的活性层中形成可动反射镜，与另一台阶状电极的衬底连接而成。由于使用单晶硅衬底，且在可动反射镜，直径500微米，的上下面上对称的以同一条件而形成反射膜等，因此，具有10纳米级的翘曲与数十纳米的表面粗糙度。

参考资料来源：百度百科-硅

参考资料来源：百度百科-硅技术

SOI是Silicon－on－Insulator的缩写，称绝缘硅。随着芯片特诊尺寸跨入纳米尺度后，SOI技术应运而生。作为标准CMOS工艺的一种改进技术，SOI技术通过在两层硅基板之间封入一个绝缘的氧化层(这与大容量CMOS工艺技术恰好相反)，从而将活跃的晶体管元件相互隔离。SiO2埋层能有效地使电子从一个晶体管门电路流到另一个晶体管门电路，不让多余的电子渗漏到硅晶圆上。SOI器件具有寄生电容小、短沟道效应小、速度快、集成度高、功耗低、耐高温、抗辐射等优点……。

二、CMOS与 CCD

CMOS传感器与CCD传感器的比较

CCD，(Charge Coupled Device)，即“电荷耦合器件”，以百万像素为单位。数码相机规格中的多少百万像素，指的就是CCD的分辨率。CCD是一种感光半导体芯片，用于捕捉图形。1970美国贝尔实验室发明。

CMOS,(Complementary Metal Oxide Semiconductor)，即“互补金属氧化物半导体”。它是计算机系统内一种重要的芯片，保存了系统引导所需的大量资料。有人发现，将CMOS加工也可以作为数码相机中的感光传感器。

CCD和CMOS的技术对比四个方面的不同：1、信息读取方式。2、速度。3、电源及耗电量。4、成像质量。

三、CMOS与BIOS

CMOS是微机主板上的一块可读写的RAM芯片，主要用来保存参数的设定。CMOS RAM既是BIOS设定系统参数的存放场所，又是 BIOS设定系统参数的结果。因此，完整的说法应该是：通过BIOS设置程序对CMOS参数进行设置。