半导体器件供电电压为什么一般为3.3V或5V?谢谢!

目前半导体IC都是由TTL或CMOS构成，因为TTL和CMOS的高低电平的值不一样（ttl5v<＝＝>cmos3.3v），所以互相连接时需要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压，没有什么高深的东西。

半导体制冷片一般使用12伏直流电原来供电，它的工作电流大约在五安培左右，那么它的功率消耗就在60瓦左右，1度电的定义就是可以让功率为1000瓦的电器工作一小时，由此可以推算出功率为60瓦左右的半导体制冷片一小时的耗电量大约为0.06度。

半导体制冷时的电能消耗更大。半导体制冷的效率是比较低的，制冷的同时，还会产生大量的热量在散热器端。反之，制热时，相对制冷时比较省电了。

半导体制冷片费电。

半导体制冷的效率是比较低的，制冷的同时，还会产生大量的热量在散热器端吗，所以费电，反之，制热时，相对制冷时比较省电了。

半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，如二极管就是采用半导体制作的器件。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。

半导体驱动激光器电源是220伏的.

半导体激光电源电路部分由：稳压电路、 激光电源脉冲控制电路、脉冲产生电路、保护电路组成。数字半导体激光电源以数字集成电路为核心，设计能够实现智能控制的半导体激光器电源。

半导体激光器的核心是PN结一旦被击穿或谐振腔面部分遭到破坏，则无法产生非平衡载流子和辐射复合，视其破坏程度而表现为激光器输出降低或失效。

造成LD损坏的原因主要为腔面污染和浪涌击穿。腔面污染可通过净化工作环境来解决，而更多的损坏缘于浪涌击穿。浪涌会产生半导体激光器PN结损伤或击穿，其产生原因是多方面的，包括：①电源开关瞬间电流②电网中其它用电装备起停机③雷电④强的静电场等。实际工作环境下的高压、静电、浪涌冲击等因素将造成LD的损坏或使用寿命缩短，因此必须采取措施加以防护。

传统激光器电源是用纯硬件电路实现的，采用模拟控制方式，虽然也能较好的驱动激光，但无法实现精确控制，在很多工业应用中降低了精度和自动化程度，也限制了激光的应用。使用单片机对激光电源进行控制，能简化激光电源的硬件结构，有效地解决半导体激光器工作的准确、稳定和可靠性等问题。随着大规模集成电路技术的迅速发展，采用适合LD的芯片可使电源可靠性得到极大提高。

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