因为在一定温度下,半导体的电子空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡,此时半导体具有一定的载流子密度,从而具有一定的电阻率。温度升高时,将产生更多的电子空穴对,载流子密度增加,电阻率减小。
半导体的五大特性∶掺杂性,热敏性,光敏性,负电阻率温度特性,整流特性。在形成晶体结构的半导体中,人为地掺入特定的杂质元素,导电性能具有可控性。在光照和热辐射条件下,其导电性有明显的变化。
扩展资料
掺杂对半导体结构的影响:
1、掺杂之后的半导体能带会有所改变。依照掺杂物的不同,本质半导体的能隙之间会出现不同的能阶。施主原子会在靠近传导带的地方产生一个新的能阶,而受主原子则是在靠近价带的地方产生新的能阶。
2、掺杂物依照其带给被掺杂材料的电荷正负被区分为施主与受主。施主原子带来的价电子大多会与被掺杂的材料原子产生共价键,进而被束缚。
3、掺杂物对于能带结构的另一个重大影响是改变了费米能阶的位置。在热平衡的状态下费米能阶依然会保持定值,这个特性会引出很多其他有用的电特性。
参考资料来源:百度百科-半导体
百度百科-半导体电阻率
影响半导体电阻改变的原因,一是载流子在磁场中运动受到(洛仑兹力)的作用,另一个(作用是霍尔电场)。由于霍尔电场作用会抵消电子运动时受到的洛伦兹力作用,磁阻效应被大大减弱,但仍然存在。越小导体的电阻与哪些因素有关
导体的电阻与导体的材料、长度、横截面积、温度四个因素有关。一些物质在一定温度条件下电阻会降为零,这种现象我们称为超导现象,这种导体我们叫超导体。
影响导体电阻大小的因素
1.导体的材料、横截面积都相同时,导体越长,电阻越大。
2.导体的材料、长度都相同时,导体横截面积越小,电阻越大。
3.导体的电阻跟导体的材料有关。
4.温度升高,金属导体的电阻会增大,温度降低,金属导体的电阻会减小。
金属导体的电阻的大小与导体的电阻率、长度、横截面积、温度四个因素有关
根据电阻定律 R=ρL/S
1、导体的电阻率越大、长度越大、横截面积越小、导体的电阻越大,温度升高金属导体的电阻率增大,电阻增大。
2、当导体温度下降到某一温度时,导体的电阻突然降为0,这种现象叫超导现象。
3、对半导体热敏性电阻:半导体受热时电阻随温度的升高而迅速减小,它对微小的温度变化反应快、精确度高。
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