讨论功率半导体器件IGBT时提到“元胞”，请问“元胞”是什么？

元胞是IGBT及VDMOSFET器件中的关键结构，如图2。图1是每一个元胞的剖面图。元胞结构是为了降低导通压降。因为元胞结构的布局、几何形状及尺寸、元胞密度及芯片面积决定了导通压降，导通压降又是影响器件输出功率的重要参数。即该结构的功能是最大可能地降低导通压降、增加输出功率。通常每个元胞的电流容量为0.6到0.9mA，一个5A的器件要设计11000到16000个元胞并联使用，所以其中任一元胞的失效都会造成整个器件的失效。图2表示了硅片一角元胞的结构安排情况。 此主题相关图片如下：1.jpg

半导体二极管具有单向导电性，即仅允许电流由一个方向通过元件．也就是正电压加在P极，负电压加在N极．由图可知，靠近A陶瓷片的电流方向是由N→P，靠近B陶瓷片的电流方向是由P→N，由于在电流方向是P→N的地方放热，因此下端B应是半导体元件放热的地方．在上方A处电流方向是N→P的地方吸热，因此电脑发热体在A．

交流电源的电流方向是变化的，这样吸热和放热的状态就会不断改变，不能使吸热的部分恒定保持吸热状态，不能使放热的地方恒定保持放热状态．

据课本的基本知识可知，半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间，故其导电能力比导体的导电性能差；

故答案为：A；不可以；差；

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