半导体里面的职位简称有谁知道？

你好：

半导体里面的简称较多，你问的如下，希望能给你帮助！

PE:prodction engineer即生产工程师或产品工程师

ME:mechanical &electrical engineer 机电工程师

EE:Electrical Engineer即电子工程师

自由电子可以导电是因为自由电子可以在物体中自由移动。同样，空穴也是可以移动的。所以在半导体中，空穴也可以导电 。

空穴又称电洞（Electron hole），在固体物理学中指共价键上流失一个电子，最后在共价键上留下空位的现像。即共价键中的一些价电子由于热运动获得一些能量，从而摆脱共价键的约束成为自由电子，同时在共价键上留下空位，我们称这些空位为空穴。

空穴-原理

一个呈电中性的原子，其正电质子和负电电子的数量是相等的。现在由于少了一个负电的电子，所以那里就会呈现出一个正电性的空位——电洞。当有外面一个电子进来掉进了电洞，就会发出电磁波——光子。 电洞不是正电子，电子与正电子相遇湮灭时，所发出来的光子是非常高能的。那是两粒子的质量所完全转化出来的电磁波能（通常会转出一对光子）。而电子掉入电洞所发出来的光子，其能量通常只有几个电子伏特。 半导体由于禁带较窄，电子只需不多的能量就能从价带激发到导带，从而在价带中留下空穴。周围电子可以填补这个空穴，同时在原位置产生一个新的空穴，因此实际上的电子运动看起来就如同是空穴在移动。 在半导体的制备中，要在4价的本征半导体（纯硅、锗等的晶体）的基础上掺杂。若掺入3价元素杂质（如硼、镓、铟、铝等），则可产生大量空穴，获得P型半导体，又称空穴型半导体。空穴是P型半导体中的载流子，为多子。 在半导体里，出现了电洞这样一个名词。 当参杂B进入Si内此时B会以B+e-=B-和Si形成稳定共价键，即每个B会接受一个电子(电子来自其他Si之间的共价键中的价电子) 使自己周围价电子变成4个才能和周围的4个Si形成稳定共价键故每加入1个B原子将产生一个电洞 空穴并不是真实存在的,只是对大量电子运动的一种等效,空穴的流动其实就是大量电子运动的等效的反运动,这从空穴的定义和特性就可以知道

简并半导体(degenerate semiconductor)是杂质半导体的一种，它具有较高的掺杂浓度，因而它表现得更接近金属。对一般的掺杂情况(杂质浓度小于10的18次方 )常温下，通常的半导体都属非简并半导体。但在某些情况下，费米能级可以接近导带底(或价带顶)，甚至会进入导带(或价带)中。例如，在含施主杂质的n型半导体中，当掺杂浓度较高时，在低温弱电离区，费米能级随温度的增加，而上升到一个极大值，这个极大值就会超过导带底而进入到导带中。然后费米能级才逐渐下降。而实际上，有可能在费米能级达到最大值前后的一段温度范围内，半导体的费米能级都位于导带里。对含受主杂质浓度较高的P型半导体，同理，费米能级也有可能在极小值前后的一段温度范围里进入了价带。在这样的情况下，导带中量子态被电子占据(或价带中量子态被空穴占据)的概率非常小的条件不再成立，必须考虑泡利不相容原理的限制。这时玻耳兹曼分布函数不再适用，而必须应用费米分布函数来分析能带中的载流子统计分布问题。这种情况称为载流子简并化，发生载流子简并化的半导体称为简并半导体。

半导体中的载流子浓度越大，则当电子只占据导带底附近的一些能级、空穴只占据价带顶附近的一些能级时，就需要考虑泡里不相容原理的限制，即必须认为这些载流子应该遵从量子的统计分布--F-D分布。一是掺杂浓度较低，半导体中的载流子浓度不大，则电子只占据导带底附近的一些能级，空穴只占据价带顶附近的一些能级，不需要考虑泡里不相容原理的限制，即可认为这些载流子遵从经典的统计分布，例如n型半导体，当掺杂浓度很高时，导带中的载流子--电子的浓度很大，不可能所有的电子都分布在最低的若干个能级上，这时就需要考虑泡里不相容原理的限制--一条能级上只能有自旋相反的两个电子。这时的电子就称为是简并载流子，相应的半导体就称为简并半导体。否则，当掺杂浓度很低时，电子数量不多，则不需要考虑泡里不相容原理的限制，则为非简并状态。

---