mos详细解释:Metal - Oxide - Silicon,金属 - 氧化硅 - 硅。
金属氧化物半导体因其独特的理化性能在众多的气敏材料中脱颖而出,在气敏传感过程中展现了更加宽广的气体浓度检测范围、更低的检测极限以及在高温和恶劣环境中更好的稳定性等优势,从而受到广泛的运用和研究。
半导体性能金属氧化物:
金属氧化物,特别是具有半导体性能的金属氧化物是氧化-还原型反应的有效催化剂。工业催化剂通常含有一个以上的金属氧化物组分,称为复合金属氧化物催化剂。
一般而言,其中至少有一种是过渡金属氧化物,各组分之间形成分子级混合,发生相互作用,调 节催化剂的电性能和表面酸性,提高催化活 性和选择性。
金属氧化物的分解产物有两种情况:
分解生成金属单质和氧气 这类反应的总规律是金属越活泼,形成的氧化物越稳定,越难分解反之则易分解。受热能分解的只有不活泼金属形成的氧化物,如氧化汞、氧化银等还有部分金属氧化物熔融状态时通电分解。
MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即半导体金属氧化物,它是集成电路中的材料,现在也可指代芯片.MOS内部的结构和二极管、三极管差不多,由P-N结构成,P是正的意思(positive),N是负的意思(negative).由于正负离子的作用,在MOS内部形成了耗尽层和沟道,耗尽层里的正负离子相互综合,达到了稳定的状态,而沟道是电子流通的渠道,耗尽层和沟道一般是相对的耗尽层窄了,沟道就宽了,反之亦然.MOS的功能和三极管差不多主要是放大电路,MOS可分为HMOS(高密度MOS)和CMOS(互补MOS),两种合起来又有了CHMOS.
以金属-氧化物-半导体(MOS)场效应晶体管为主要元件构成的集成电路。1964年研究出绝缘栅场效应晶体管。直到1968年解决了MOS器件的稳定性,MOSIC得到迅速发展。与双极型集成电路相比,MOSIC具有以下优点:①制造结构简单,隔离方便。②电路尺寸小、功耗低适于高密度集成。③MOS管为双向器件,设计灵活性高。④具有动态工作独特的能力。⑤温度特性好。其缺点是速度较低、驱动能力较弱。一般认为MOS集成电路功耗低、集成度高,宜用作数字集成电路;双极型集成电路则适用作高速数字和模拟电路。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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