氮化镓是什么晶体？

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GaN的晶体结构主要有两种，分别是纤锌矿结构与闪锌矿结构。

GaN是极稳定的化合物，又是坚硬的高熔点材料，熔点约为1700℃，GaN具有高的电离度，在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是最高的（0.5或0.43）。在大气压力下，GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。它在一个元胞中有4个原子，原子体积大约为GaAs的一半。因为其硬度高，又是一种良好的涂层保护材料。

1、不同的化学成分：氮化镓是镓元素与氮原子结合而成，而氮化钾是钾元素与氮原子结合而成。

2、不同的物理性质：氮化镓在空气中容易氧化，表面有白银色膜，沉淀条件较为严格；而氮化钾在空气中容易被水解，表面没有明显外壳，沉淀条件比较宽松。

3、不同的应用领域：氮化镓多用于制作抱杆电阻、氧化铝粉、催化剂中；而氮化钾偏用于硝酸和氯酸的反应，同时也可以用于水处理、有机合成等。

以下是氮化镓充电器的详细解释：

氮化镓，分子式GaN，英文名称Gallium nitride，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，氮化镓（GaN）是第三代半导体材料之一。

与第一代和第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和度以及更高的抗辐射能力。

GaN具有高禁带宽度、高饱和电子迁移速度、高热导率等特点，因此GaN比Si更适合做大功率高频的功率器件，具有体积小、易散热、损耗小、功率大等优点。应用在充电器上，可以极大的改善功率、体积和发热问题。

氮化镓充电器使用的组件比标准充电器更少，并且体积更小。得益于GaN拥有低损耗和高开关频率的特点，不仅发热更低，同时可以减小变压器和电容的体积。

在功率相同的情况下，GaN技术大幅缩小了充电器的体积。同样功率下，氮化镓充电器体积更小。

氮化镓不存在于自然界，只能在最先进的实验室中制成。氮化镓作为新型第三代化合物，合成环境要求很高，制造成本高成为氮化镓充电器主要缺点。