晶体管的电流分配和放大作用

晶体管具有放大能力的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置。在这种偏置条件下，发射区的多数载流子扩散到基区后，只有极少部分在基区被复合，绝大多数会被集电区收集后形成集电极电流。通过改变发射结两端的电压，可以达到控制集电极电流的目的。

晶体管的电流分配关系如下：

Ie=IC+Ib=（1*β）Ib

其中电流放大系数β为：β=Ic/Ib)，其数值大约在几十~200倍左右。

在放大电路中，通过改变UBE，改变IB或IE，由ΔIB或ΔIE产生ΔIC，再通过集电极电阻RC，把电流的控制作用转化为电压的控制作用，产生ΔUO=ΔICRC。实质上，这种控制作用就是放大作用。

晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关（如Relay、switch）不同，晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。

三极管各电极上的电流分配关系为：发射极IE=基极IB+集电极IC。发射极电流IE，集电极电流IC大于基极电流IB，集电极IC=β基极IB。

晶体三极管有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N是负极的意思（代表英文中Negative）。

N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而P是正极的意思（Positive）是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。

扩展资料：

三极管促进并带来了“固态革命”，进而推动了全球范围内的半导体电子工业。作为主要部件，它及时、普遍地首先在通讯工具方面得到应用，并产生了巨大的经济效益。

由于三极管基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电极电流Ic。

只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ibo.根据电流连续性原理得：Ie=Ib+Ic。

参考资料来源：百度百科-三极管

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