给你个不太精确的计算方法吧,测量半导体制冷片两端的电压和电流,然后算出他们的乘积,也就是半导体制冷片消耗的功率。一般的半导体制冷片在散热良好的情况下制冷量是消耗功率的30%~40%,热面的发热量就是消耗功率+制冷量。
半导体的功函数等于真空中自由电子的能量与Fermi能级之差。因此通过测量半导体热发射电流与温度的关系即可得到功函数。禁带宽度可以有多种方法来测量,例如测量电阻率与温度的关系即可得到禁带宽度。
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给你个不太精确的计算方法吧,测量半导体制冷片两端的电压和电流,然后算出他们的乘积,也就是半导体制冷片消耗的功率。一般的半导体制冷片在散热良好的情况下制冷量是消耗功率的30%~40%,热面的发热量就是消耗功率+制冷量。
半导体的功函数等于真空中自由电子的能量与Fermi能级之差。因此通过测量半导体热发射电流与温度的关系即可得到功函数。禁带宽度可以有多种方法来测量,例如测量电阻率与温度的关系即可得到禁带宽度。
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