中国氮化镓生产十大企业

中国氮化镓生产十大企业如下：

1、中国苏州能讯

2007年成立，能讯半导体采用整合设计与制造（IDM）的模式，自主开发了氮化镓材料生长、芯片设计、晶圆工艺、封装测试、可靠性与应用电路技术。

产品：氮化镓射频功率晶体管、无线通信氮化镓射频功放管、氮化镓HEMT管。

芯技术和应用：能讯氮化镓功放管产品在宽带信号下输出高效率和高增益，应用简单，适合LTE、4G、5G等移动通信的超宽带功放应用。

氮化镓HEMT管芯可支持客户DC-6GHz以内的超宽带应用，功率密度、效率及可靠性业内领先，适合应用于紧凑型射频放大模块、通用或个人通讯子系统。

2、苏州晶湛

2012年成立，位于苏州纳米城，致力于氮化镓（GaN）外延材料的研发和产业化。 截至目前，晶湛半导体已完成A+轮融资，用于扩大生产规模。

产品：GaN-on-Si、GaN-on-SiC、GaN-on-Sapphire。

技术及应用：硅基、蓝宝石基和碳化硅基氮化镓外延片产品有着极高的电子迁移率和二维电子气浓度、极小的缓冲层漏电。应用于微波射频和电力电子领域；目前已可以提供6英寸、8英寸硅基氮化镓晶圆材料。

3、珠海英诺赛科

成立于2015年12月，引进美国英诺赛科公司SGOS技术。

产品：单管GaN FET，半桥GaN FET、GaN IC。

技术及应用：8英寸硅基氮化镓产业化平台，具有完善的氮化镓外延生长、无金硅CMOS兼容工艺制造、自有可靠性测试与失效分析能力。应用于激光雷达、无线充电和快充、数据中心、5G通信、人工智能、新能源汽车。

4、重庆华润微

2000年成立，以销售额计，公司是2018年前十大中国半导体企业中唯一一家以IDM模式为主运营的半导体企业。

产品：8英寸硅基氮化镓生产线，国内首个8英寸600V/10A GaN功率器件产品技术及应用：聚焦于功率半导体、智能传感器领域，为客户提供系列化的半导体产品与服务。

5、杭州士兰微

成立于1997年9月，总部在中国杭州。

2003年上市产品：国内知名IDM企业，建设6英寸硅基氮化镓功率器件中试线。

6、重庆聚力成

2018年9月成立，于重庆市大足区建设硅基氮化镓（GaN-on-Si)外延片基地。

产品：GaN-on-Si和GaN-on-SiC外延晶圆材料、GaN功率器件。

技术及应用：目前，GLC於重庆市大足区建设第一期硅基氮化镓（GaN-on-Si)外延片工厂，现今外延片已进入量产阶段，整个项目计划建成年产能12万片的氮化镓外延片产线和年产能36万片的氮化镓芯片生产和封测产线。

7、台湾积体电路制造

成立于1987年，2019年，台积公司及其子公司所拥有及管理的年产能超过一千二百万片十二吋晶圆约当量。

产品技术：6英寸的GaN-on- Si。

8、三安集团

于2000年11月成立，坐落于厦门。

产品：650V 0.5um GaN/Si，200V/100V0.5um GaN/Si。

技术及应用：三安集成的氮化镓（GaN）E-HEMT技术服务于消费者和工业应用，如适配器／充电器，电信／服务器smp，无线电源，车载充电器（OBC)和成本有效的解决方案。

9、苏州捷芯威

成立于2013年，海外归国人员创办于苏州工业园区，捷芯威子公司在氮化镓电力电子技术领域，拥有百余项国内外发明专利。专利布局包括材料、器件、工艺和应用；区域覆盖中国、美国、欧洲、日本等。

产品：硅基氮化镓电力电子器件、蓝宝石基氮化镓电力电子器件技术及应用：650V GaN FET，其BVds≥650V，Ids＞10A，导通电阻Ron＜0.15Ω。可以应用于PFC、DC-DC、DC-AC、AC-DC、无线电能传输、电源适配器、无线电源和快充领域。

单管耐压超过2000V的蓝宝石基氮化镓高压保护开关器件，单管耐压2000V，开态时导通电阻低于1Ω，且关态时漏电低于1uA/mm。

10、大连芯冠

2016年3月17日成立于大连高新区，公司采用整合设计与制造（IDM）的商业模式。

产品：硅基氮化镓外延片、硅基氮化镓电力电子器件。

技术及应用：已建成首条6英寸硅基氮化镓外延及功率器件晶圆生产线。2019年3月，芯冠科技在国内率先推出符合产业化标准的650伏硅基氮化镓功率器件产品（通过1000小时HTRB可靠性测试），并正式投放市场。

您好，很高兴回答的您问题，以下是我的个人观点。

当然是真事儿，而且这个芯片有很多优势。

在硅基芯片的发展上，中国面对重重障碍，EDA软件、IP、晶圆、生产工艺、设备等等的技术都遭到技术封锁，高端芯片产业链几乎没有中国的份额，华为海思很不容易搞出芯片来，马上就遭到美国的打压。

但是最近出来了一个好消息，北京元芯碳基集成电路研究院中国科学院院士、北京大学教授彭练矛和张志勇教授带领的团队，经过多年的研究和实践，解决了长期困扰他们基半导体材料制备的瓶颈，如材料的纯度，密度与面积等问题。

碳基芯片的优势，成本更低，功耗更低，效率更高，是一种很好的半导体材料，很可能是下一代晶体管集成电路的最理想材料，如果研发成功，到时候芯片内部的晶体管的栅极就是更优秀的碳材料。

早在2017年的时候，彭练矛的团队就研制出高性能五纳米的栅长碳纳米管CMOS器件，这是当时世界上最小的高性能晶体管，它的综合性能比最好的危机晶体管高出了十倍，但是能耗却比硅材料的晶体管少了3/4，当时也登在了自然科学杂志上。

碳基技术，真的会在不久的将来应用在国防科技，卫星导航，气象监测，人工智能，医疗器械这些与国家和人民生活息息相关的重要领域。

彭练矛说“相对于一些时髦的新应用技术，类似芯片这样的基础性研究应该获得更多的关注，因为它对于一个国家的科技实力提升起着更为核心和支撑的作用。”

但是我认为要是投入到工业生产，还是要经过很长的一段路程，希望他们能快点找到解决办法，所以，要真正做到芯片国产化，不仅要提高芯片研发能力和生产能力，还需要提高我国的光刻机研发的制造能力，这些科技都需要花费很长时人力物力和资金，虽然困难重重，我依然认为不久的将来一定会实现的。

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