中国科学院半导体研究所于1960年成立,是中国国务院直属事业单位,是集半导体物理、材料、器件及其应用于一体的半导体科学技术的综合性研究机构。[1]
研究所主要的研究方向和领域有半导体物理、材料、器件、工艺、电路及其集成应用研究等。[2]
据2016年9月研究所官网显示,研究所拥有14个科研机构,与地方政府、科研机构、大学和企业等共建了1个院士工作站、3个研发(转移)中心、9个联合实验室;拥有3个博士后流动站,3个一级学科博士培养点,包括5个二级学科博士培养点;拥有5个二级学科硕士培养点,3个专业学位硕士培养点;共有职工690余名,在学研究生近600名。[2]2019年,中国科学院半导体研究所牛智川研究员团队创新设计金属光栅侧向耦合分布反馈(LC-DFB)结构,成功实现了2μm波段高性能单模激光器,综合性能达到国际一流水平并突破国外高端激光器进口限制性能的规定条款。
中科院半导体所近几年报录比80.52%。全国中科院半导体报考人数为9486人。录取人数7638,因此中科院半导体所近几年报录比80.52%。
中国科学院半导体研究所于1960年成立,是中国国务院直属事业单位,是集半导体物理、材料、器件及其应用于一体的半导体科学技术。
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