光放大器主要有2种,半导体放大器及光纤放大器。半导体放大器分为谐振式和行波式;光纤放大器分为掺稀土元素光纤放大器和非线性光学放大器。非线性光学放大器分为拉曼(SRA)和布里渊(SBA)光纤放大器。 一般是指行波光放大器,工作原理与半导体激光器相类似。其工作带宽是很宽的。但增益幅度稍小一些,制造难度较大。这种光放大器虽然已实用了,但产量很小。
在其传输路径内采用光放大器的一种WDM光传输系统中,用于监视并控制放大器运行并从数据传输中作光谱分离的一个监控信号信道,可以与数据复用。披露了一种放大器的结构,它能随传输系统为增加数据处理能力的升级而升级,例如增加波段内和/或沿反方向的数据传输,但不必断开通过该放大器的准备升级的数据传输路径。这种结构是使用信道分出和插入滤波器来实现的,这些滤波器的配置,要使放大的数据传输路径伸延,通过这些滤波器的分出/插入信道。
申请日: 2000年06月06日
公开日: 2001年04月25日
授权公告日: 2003年12月31日
申请人/专利权人: 诺泰尔网络公司
申请人地址: 加拿大魁北克
发明设计人: 凯文·P·琼斯罗杰·M·吉布罗伯特·A·贝克马丁·P·皮埃特克马克·E·布雷巴里·布林泰詹姆斯·里根托比·J·雷德阿伦·A·索海姆罗伯特·W·基斯马克·R·海因斯约瑟夫·芒奈杰尔·E·乔利阿伦·鲁宾逊乔纳森·P·金西蒙·P·帕里
专利代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人: 蒋世迅
专利类型: 发明专利
分类号: G02F1/39
光放大器主要有2种,半导体放大器及光纤放大器。半导体放大器分为谐振式和行波式;光纤放大器分为掺稀土元素光纤放大器和非线性光学放大器。非线性光学放大器分为拉曼(SRA)和布里渊(SBA)光纤放大器。
原理:光纤放大器技术就是在光纤的纤芯中掺入能产生激光的稀土元素,通过激光器提供的直流光激励,使通过的光信号得到放大。传统的光纤传输系统是采用光—电—光再生中继器,这种中继设备影响系统的稳定性和可靠性,为去掉上述转换过程,直接在光路上对信号进行放大传输,就要用一个全光传输型中继器来代替这种再生中继器。适用的设备有掺铒光纤放大器(EDFA)、掺镨光纤放大器(PDFA)、掺铌光纤放大器(NDFA)。目前光放大技术主要是采用EDFA。
控制接线图:
现在被称作半导体器件的种类如下所示。按照其制造技术可分为分立器件半导体、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、存储器等大类,一般来说这些还会被再分成小类。此外,IC除了在制造技术上的分类以外,还有以应用领域、设计方法等进行分类,最近虽然不常用,但还有按照IC、LSI、VLSI(超大LSI)及其规模进行分类的方法。此外,还有按照其所处理的信号,可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。\x0d\x0a半导体器件的种类: \x0d\x0a一、分立器件\x0d\x0a1、 二极管\x0d\x0aA、一般整流用\x0d\x0aB、高速整流用:\x0d\x0a①FRD(Aast Recovery Diode:高速恢复二极管)\x0d\x0a②HED(Figh Efficiency Diode:高速高效整流二极管)\x0d\x0a③SBD(Schottky Barrier Diode:肖特基势垒二极管)\x0d\x0aC、定压二极管(齐纳二极管)\x0d\x0aD、高频二极管\x0d\x0a①变容二极管\x0d\x0a②PIN二极管\x0d\x0a③穿透二极管\x0d\x0a④崩溃二极管/甘恩二极管/骤断变容二极管\x0d\x0a2、 晶体管\x0d\x0a①双极晶体管\x0d\x0a②FET(Fidld Effect Transistor:场效应管)\x0d\x0aⅠ、接合型FET\x0d\x0aⅡ、MOSFET\x0d\x0a③IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:绝缘栅双极晶体管)\x0d\x0a3、 晶闸管\x0d\x0a①SCR(Sillicon Controllde Rectifier:硅控整流器)/三端双向可控硅\x0d\x0a②GTO(Gate Turn off Thyristor:栅极光闭晶闸管) \x0d\x0a③LTT(Light Triggered Thyristor:光触发晶闸管)\x0d\x0a\x0d\x0a二、光电半导体\x0d\x0a1、LED(Light Emitting Diode:发光二极管)\x0d\x0a2、激光半导体\x0d\x0a3、受光器件\x0d\x0a①光电二极管(Photo Diode)/太阳能电池(Sola Cell)\x0d\x0a②光电晶体管(Photo Transistor)\x0d\x0a③CCD图像传感器(Charge Coupled Device:电荷耦合器)\x0d\x0a④CMOS图像传感器(complementary Metal Oxide Semiconductor:互补型金属氧化膜半导体)\x0d\x0a4、光耦(photo Relay)\x0d\x0a①光继电器(photo Relay)\x0d\x0a②光断路器(photo Interrupter)\x0d\x0a5、光通讯用器件\x0d\x0a\x0d\x0a三、逻辑IC\x0d\x0a1、通用逻辑IC\x0d\x0a2、微处理器(Micro Processor)\x0d\x0a①CISC(Complex Instruction Set Computer:复杂命令集计算机)\x0d\x0a②RISC(Reduced instruction SET Computer:缩小命令集计算机)\x0d\x0a3、DSP(Digital Signal processor:数字信号处理器件)\x0d\x0a4、AASIC(Application Specific integrated Circuit:特殊用途IC)\x0d\x0a①栅陈列(Gate-Array Device)\x0d\x0a②SC(Standard Cell:标准器件)\x0d\x0a③FPLD(Field programmable Logic Device:现场可编程化逻辑装置)\x0d\x0a5、MPR(Microcomputer peripheral:微型计算机外围LSI)\x0d\x0a6、系统LSI(System LSI)\x0d\x0a\x0d\x0a四、模拟IC(以及模拟数字混成IC)\x0d\x0a1、电源用IC\x0d\x0a2、运算放大器(OP具Amp)\x0d\x0a3、AD、DA转换器(AD DA Converter)\x0d\x0a4、显示器用驱动器IC(Display Driver IC)\x0d\x0a\x0d\x0a五、存储器\x0d\x0a1、DRAM(Dynamic Random Access Memory:动态随机存取存储器)\x0d\x0a2、SRAM(Static Random Access Memory:静态随机存取储器)\x0d\x0a3、快闪式存储器(Flash Memory)\x0d\x0a4、掩模ROM(mask Memory)\x0d\x0a5、FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory:强介电质存储器)\x0d\x0a6、MRAM(Magnetic Random Access Memory:磁性体存储器)欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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