设计实践报告范文3篇

设计专业为本次的实践做一个 报告 ，本文是我为大家整理的设计实践 报告 范文 ，仅供参考。

设计实践报告范文篇一：

时间单位：来宾市兴宾区信义 广告 公司

实践时间：xx/7/16到xx/8/30共天46天

今年暑假我参加了 社会实践 活动，在这一个月的实践中，我学到了很多知识。对于我个人而言，参加暑期社会实践活动的目的有很多。社会实践活动给生活在象牙塔中的我们提供了广泛接触和了解社会的机会。实践一方面能够增长我的见识，一方面磨练我的性子，培养成功的品质，增强沟通能力团队合作能力等。

时代在发展，社会在进步，社会需要的是真正的实干性人才，努力地使自己符合社会的要求，适应社会是作为大学生的我需要去做到的。我实习的信义广告公司，我主要在公司的平面设计广告部门实习，学习的是设计师的工作。他们主要提供标志设计、VI 设计、画册设计、包装设计、广告设计、POP 设计 、礼品设计以及其他平面宣传物品设计服务、包装设计 、印刷等。

我于xx 年 7 月 16 日正式开始在来宾市兴宾区信义广告公司进行实践， 首先公司的工作人员向我简单的介绍了公司的主要业务，公司中主要的业务就是平面广告设计，其次是网页设计，公司有自己的印刷设备，可以说是一条龙服务。我被安排在广告设计部门进行学习。 这个部门里面主要的设计工作就是设计海报、 标志、VI等等，在我学习的这段时间，认识到 PS 软件的重要性，无论此行业的设计工具发展多么迅速， 多么多样化， 我认为PS 这款软件是最基础和广泛的，对于这款软件一定要熟练掌握，这是极其重要的。在学校中所学习的专业知识，对于以后我们步入社会是非常重要的，步入社会后，就需要我们把在学校所学知识灵活运用，所以将在学校中所学的专业知识熟练掌握是十分重要的。

在一次学习中，是给一所学校进行的宣传展板的设计，在这次设计中，我学到了在进行设计前，一定要跟客户进行充分的沟通和交流，因为你设计的东西不是为了迎合自己的视觉，而是要让客户满意，在这个过程中，就需要充分的和客户进行交流，使客户的想法和需要充分融入到设计中，同时也要加上自己的理解，使作品又有新颖的感觉。在这次设计之前，进行了实地考察，根据考察得来的结果，又进行了尺寸的调整。使我明白，设计时一定要把问题考虑周到，否则会做无用功。

从我这次学习的过程中，我觉得海报设计是相对比较简单的，因为尺寸都是规定好的，只要了解客户的心理需求和受众的需求，一般出图是比较快的。而PS的应用，在其中起了重要的作用。 通过这些天的学习，我了解了在学校所学知识的重要性，还有就是学校的知识是有限的，一定要在此基础上，进行知识的扩充，才能使自己适应社会的变化。实践 总结 和体会实践总结暑期实践已经结束，在这次实践中我学到了很多课本以外的知识。对于学 校所学到的专业知识，我也有了更深刻的理解，也知道该在社会中如何运用。 学校所学的专业知识对我们而言是很重要的，虽然大家都说，学校里面学到的 到社会上不一定完全用得到。这点我是不认同的，学校的专业知识，是我们在 社会生存至关重要的，关键看我们如何运用它们，这就要靠我们在实践中不断 磨练，使之充分得到运用。

下面是我在这次实践中总结的几点:

一、要善于与人沟通。 如何与别人沟通好，是一门需要长期练习的技术。不仅要善于与自己的队友们沟通，也要善于与团队以外的人沟通。人在社会中都会融入社会这个团体中，和谐融洽的团队氛围有助于合作，事半功倍，要细心的耐心的听取别人的意见。与团队外的人交流要注意技巧和礼貌，注意聆听和回应，使别人感受到我们的真诚，才能更好的进行交流和对话。尤其是当我们刚刚进入一个新团队的时候，我们要谦虚的去学习，有不懂得要虚心去向周围的人去学习，充分和新团队的人们做好交流工作，这样才能使自己不断进步。与同事的沟通也同等重要。人在社会中都会融入社会这个团体中，人与人之间合力去做事，使其做事的过程中更加融洽，更事半功倍。别人给你的意见，你要听取、耐心、虚心 地接受。

二、要保持自信的心态，克服胆怯的心理。自信心是成功的必要精神储备，相信自己能做到，相信自己可以做的很好。有自信的心态，保持积极向上的姿态，做事有冲劲有朝气不仅能激励自己，也能去感染他人，一个自信的人可以做成一件件小事，一个自信的团队可以做成 一件件大事。而胆怯只能成为成功的绊脚石，用自信去击溃胆怯才是正确的做法。在实践中，一定要自信，不要胆怯，要勇于问为什么!开始放假的时候，知道要打暑期工时，自己就害怕了。自己觉得困难挺多的，自己的社会 经验 缺乏，学历不足等种种原因使自己觉得很渺小，自己懦弱就这样表露出来。几次的尝试就是为克服自己内心的恐惧。如工作的领班所说的“在社会中你要学会厚脸皮，不怕别人的态度如

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何的恶劣，也要轻松应付，大胆与人对话，工作时间长了你自然就不怕了。”其实有谁一生下来就什么都会的，小时候天不怕地不怕，尝试过吃了亏就害怕，当你克服心理的障碍，那一切都变得容易解决了。战胜自我，只有征服自己才能征服世界。有勇气面对是关键，如某个名人所说：勇气通往天堂，怯懦通往地狱。

三、要有团队合作精神，团结协作。 一个人的力量是有限的，个体的能力是有差异的。能力再强的人也不可能 去做好每一件事，总会分身乏术和有不擅长的领域。同时，每个人都有其自身的价值，有大有小，大小取决于是否用于合适的地方，团队合作就是要把每个人的价值和能量充分的挖掘出来，在通过协作整合到一起，发出惊人的巨力。一个优秀的团队，可能不需要多么优秀的个人，但若能充分发挥每个人的最大价值，就可以把一件事做的很成功。

四、做事有计划性、条理性，循序渐进，有条不紊。 计划不仅仅包括计划的实际行动方针，还包括一定的预见性。再好的计划也有疏漏的时候，一个小小的变化可能导致全然不同的发展路径和结果，突发事件往往会使一味按计划行事的人不知所措。有效地计划能使行动有条不紊，清晰明了，一定的预见性能保障在突发状况下做出最合适的调整，不至于手忙 脚乱。

五、要善于做总结。 古人一日三省。不思不足以知得失，善于总结能够明得失，知道不足和缺点， 能够给接下来的行动提供有效地借鉴和指导，避免犯相同的错误，导致资源、 人力的重复浪费和行动的冗杂拖拉。

社会实践活动，使我更加了解了社会，开阔了视野，增长了才干，并在社会实践活动中认清了自己的位置，发现了自己的不足，对自身价值能够进行客观评价。“纸上得来终觉浅，绝知此事要躬行”。有了实践才有发言权。只有去经历，去体验才能感觉动手的艰辛以及乐趣。知识之所以是财富是因为他能给实践带来指导和促进作用，将知识运用到实践中是一门高深的学问，也是学以致用的深刻体现。社会实践是一笔财富，一分付出，一分收获，有付出就一定会有收获。我在身体上受到了锤炼，在思想上得到了启发和升华，多了一份生活体验，增加了社会实践经验和提高了组织活动能力。我相信，这对我以后的学习，生活和工作都将起到重要的影响作用。

设计实践报告范文篇二：

夏日炎炎，烈日当头。在这样的环境中，激起了我要在参加社会实践的决心。我要看看我能否在这种环境中是否有能力依靠自己的能力维持自己的生存，同时，也想通过亲身体验社会实践让自己更进一步了解社会，在实践中增长见识，锻炼自己的才干，培养自己的韧性，更为重要的是检验一下自己所学的东西能否被社会所用，自己的能力能否被社会所承认。想通过社会实践，找出自己的不足和差距所在。 那么，我的社会实践活动就从我的找工作拉开了序幕。 开始我在寻找一家设计公司去实习，经过很长时间的寻找终于找到了一家很小的设计公司。在进这家小设计公司时费了很大的力气，他们根本就不需要我们在校的学生，在经过再三说明请求下他们才同意让我在那进行实习工作。 这家设计公司属于典型的本土小公司，规模小、业务少。其公司主要有卖场设计、喷绘广告设计和墙体广告、效果图处理等几个部分业务组成。

这家公司的工作人员挺少的，它稳定在5人左右，同时服务的广告业务也很少有8家左右。公司内部设置大约也和其他同级公司相似老板即公司总经理，负责整个公司的统筹与管理下设业务部、制作部、设计部、以及安装部等。因为公司规模不大，内部员工可以灵活的交叉运作，我也得以参与了数个客户的文案、创意、客服等方面的开发和交流,获得很多难得的学习和锻炼的机会。以下是我的 实习 日记 以及参与的主要客户的设计项目的工作状况。

第一天走进公司的时候,与经理进行了简单的面谈之后，并没有给我留下过多的任务，先让我熟悉一下环境，了解了一下公司的状况，包括其规模、部门、人员分工等。

很幸运，一进公司便能参与的设计项目之中，正好锻炼一下自己。由于经验不足，刚开始找不到头绪，不知道该做些什么。在开始的时候，主要还是负责一些比较琐碎的任务。还没有真正地参与到比较完整的活动策划之中。经过两天的磨合，自己有哪些缺点和不足，便知道了一些。在校的时候由于实际锻炼的机会比较少，所以现在什么都做不好，在软件 *** 作上还是不够熟练。而且对于客户的要求并不能立即做出反应。

通过前两天的工作实践,基本的了解了公司的设计流程。首先是客户提出要求，然后设计主任根据客户的需求程度,结合每位设计师的设计特点，合理的分配任务，尽量发挥出每位设计师的优点，让设计做到尽量让客户满意。而有的客户会盯着设计师把设计任务做完，往往这种方式基本上是按照客户的意愿做出来，设计师们最不喜欢的就是这类的客户，很容易造成设计缺乏创意与创新，因为大部分的客户还是不了解设计的，他们更多地追求设计时效性，明艳、鲜亮的色调是客户的首选，因为他们认为这样会更加吸引消费者的眼球。

经过了琐碎的设计任务的锻炼，使我学到许多在课本中无法涉及的内容。学到了在学校所不能学到的东西，学会了怎样与客户交流，怎样揣摩客户的心理，锻炼了自己的交流能力，认识到了设计的一般流程，在这短暂的实习中学到了很多东西对将来进入社会做了初步的了解锻炼，可谓收获丰厚。

一段的实习打工生活过去了，通过这次打工实习，在设计方面我感觉自己有了一定的收获。这次打工实习主要是为了在今后的工作及业务上能力的提高起到了促进的作用，增强今后的竞争力，为能在以后立足增添了一块基石。从学习中也让我更深刻的了解设计行业的个性和潜力。而作为将来的设计者其中一员，不仅要将设计的理论掌握好，更要充分的去认识市场、了解市场。作为一个设计师，要不断地开拓思路去填补设计者与管理者之间的鸿沟，让设计与市场更加融合。

总得来说在打工实习期间，很辛苦，更受到了很大的启发。这也为我的人生开启了一条新的旅程，回到学校后我一定会更加努力学习专业知识，理论与实践相结合，在丰富自己社会经验的同时，更向我自己的人生目的地又迈进了一步!

设计实践报告范文篇三：

经过了3年的理论学习，使我们对平面设计有了基本掌握，对于平面设计这个专业也有了一个系统的学习和掌握。作为平面设计专业的 毕业 生，心中想得更多的是如何去做好一个平面设计师、如何更好的去完成每一个设计任务。

在实习过程中，我深深地感受到作为设计师通常缺乏足够的市场和管理上的经验，做出的设计作品经常会与市场经济脱节而作为管理者通常缺乏设计基础和审美能力，往往为了追求市场效益，过多地拘束设计师的思维与创新，忽略了设计要素的重要性，造成了设计的庸俗化。

设计管理这个专业在中国发展还不完善，这是中国设计行业走向成熟后必然要出现的新的研究领域。而我们正是应社会发展的需要而出现的综合型人才，不仅对基础设计理论能够熟练的运用，对管理学、 市场营销 、 财务管理 等各个方面也都有了初步掌握。我们的目标是成为一名真正的设计师，在设计与管理两者之间找到最好的平衡点。

所以仅仅通过在学校所学的理论知识是远远不够的，这就需要我们去实践，走进设计公司，将所学理论与实践相结合，这也是我们这次实习课程的目的。

实习目的：

通过社会实践，熟练专业技能，了解艺术设计机构，其部门、日常业务活动、整体状态。并从中认识到艺术设计活动与人力、资金、社会的关系。

实习时间：

xx年9月8日——xx年03月11日

实习地点：

xxx有限公司

实习内容：

xx年9月8日，我应聘进入到xxx有限公司进行了为期半年的实习活动，进行学习，任职平面设计师助理。在成都，xxx有限公司属于典型本土小公司，规模虽小、业务却比较好。其公司主要有形象宣传画册、卖场设计、喷绘广告设计和墙体广告等几部分业务组成。

从我进入公司至离开，公司员工稳定在10人左右，同时服务的广告客户超过10个，其中稳定的长期客户也有5.6家，还包括一些未知客户群。固然如此，据我所知公司效益良好，处于稳步上升时期.公司内部设置大约也和其他同级公司相似：老板即公司总经理，负责整个公司的统筹与管理下设业务部、制作部、设计部、以及安装部等。因为公司规模不大，内部员工可以灵活的交叉运作，我也得以参与了数个客户的文案、创意、客服等方面的开发和交流，获得很多难得的学习和锻炼的机会。以下是我的实习日记以及参与的主要客户的设计项目的工作状况。

第一天走进公司的时候，与经理进行了简单的面谈之后，并没有给我留下过多的任务，先让我熟悉一下环境，了解了一下公司的状况，包括其规模、部门、人员分工等。然后让我对成都南玻玻璃有限公司宣传册的设计，设计的过程中正好测验一下我的能力。

很幸运，一进公司便能参与的设计项目之中，正好锻炼一下自己。于是，我学以致用，很快在一天之内做出了三个方案，设计总监看后比较满意，便可以放心的将其他的设计任务交给我。由于经验不足，我在开始的时候，主要还是负责一些比较琐碎的设计任务。还没有真正地参与到比较完整的活动策划之中。经过两天的磨合，自己有哪些缺点和不足，便知道得一清二楚，在校的时候由于实际锻炼的机会比较少，在软件 *** 作上还是不够纯熟。而且对于客户的要求并不能立即做出反应。

通过前两天的工作实践，基本的了解了公司的设计流程。首先是客户提出要求，然后设计总监根据客户的需求程度，结合每位设计师的设计特点，合理的分配任务，尽量发挥出每位设计师的优点，让设计做到尽量让客户满意。而有的客户会盯着设计师把设计任务做完，往往这种方式基本上是按照客户的意愿做出来，设计师们最不喜欢的就是这类的客户，很容易造成设计缺乏创意与创新，因为大部分的客户还是不了解设计的，他们更多地追求设计时效性，明艳、鲜亮的色调是客户的首选，因为他们认为这样会更加吸引消费者的眼球。而这种基调如果把握不好，就会造成设计的庸俗化。

经过了几天琐碎的设计任务的锻炼，使我学到许多在课本中无法涉及的内容。因为工作就是与客户直接接触，我们工作的目的就是要让客户满意，当然在不能缺乏创意的同时，还要兼顾它在市场上的时效性。并不是说，有创意的设计就一定适应市场的竞争，这就涉及到设计的营销与管理的重要性。如何让设计达到预期的市场效应，首先就要对所涉及到的市场进行剖析性分析，找到最恰当的目标消费群，进行市场定位，然后确定项目的核心，一切设计行为都围绕着核心概念展开，这样才能使策划项目不偏离市场。

实习总结 ：

由于实习的时间有限，我在xxx有限公司实习的期间就遇到了华西集团青工会活动全程设计这样一个比较完整的策划案例。通过这次的实习，我认识到了很多在书本上或老师讲课中自己忽略了的或有些疑惑的地方，从实际观察和同事之间指导中得到了更多的宝贵的经验。一个设计团队是否优秀，首先要看它对设计的管理与分配，将最合适的人安排在最合适的位置，这样才能发挥出每个人的优点团队精神非常重要，一个优秀的设计团队并不是要每个人都非常的优秀，这样很容易造成成员之间的意见分歧。所以在共同进行一个大的策划项目的时候，设计师之间一定要经常沟通、交流，在共同的探讨中发现问题、解决问题。在共同商讨的过程中很容易就能碰出新的闪光点，使策划项目更加的完备。

通过这次实习，在设计方面我感觉自己有了一定的收获。这次实习主要是为了我们今后在工作及业务上能力的提高起到了促进的作用，增强了我们今后的竞争力，为我们能在以后立足增添了一块基石。实习单位的同事们也给了我很多机会参与他们的设计任务。使我懂得了很多以前难以解决的问题，将来从事设计工作所要面对的问题，如：前期的策划和后期的制作、如何与客户进行沟通等等。这次实习丰富了我在这方面的知识，使我向更深的层次迈进，对我在今后的社会当中立足有一定的促进作用，但我也认识到，要想做好这方面的工作单靠这这几天的实习是不行的，还需要我在平时的学习和工作中一点一点的积累，不断丰富自己的经验才行。我面前的路还是很漫长的，需要不断的努力和奋斗才能真正地走好。 从学习中也让我更深刻的了解设计行业的个性和潜力。而作为将来的设计者其中一员，不仅要将设计的理论掌握好，更要充分的去认识市场、了解市场。作为一个设计师，要不断地开拓思路去填补设计者与管理者之间的鸿沟，让设计与市场更加融合，使设计更加市场化、市场更加设计化。

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设计性实验(非平衡电桥的应用)报告书写

悬赏分：200 - 离问题结束还有 13 天 3 小时

要求:设计一个电桥电路,使之适合测量阻值在50欧~80欧范围变化的电阻值

应用实验室提供的条件,调试由不平衡电桥与模拟测温电阻构成的电阻温度计并对其显示表头进行标定,要求最小分度为5摄氏度,量程为0~100摄氏度.

仪器:稳压电源(XJ17232),非平衡电桥测温仪(DH-WT),电阻箱(ZX25a),小电阻箱,铜电阻,6跟导线.非平衡电桥测温仪上有R1,R2,En(电源)Rn(可调节电阻)RT(待测电阻)接口.铜电阻对应0摄氏度-53.00欧,100摄氏度-75.5欧

注:RT有三接口为两段串联

写明1目的2仪器3原理4步骤,结论(工作电压大小和稳定度对实验的影响)(实验数据与标准值的比较)

提问者：xiaoandy3 - 江湖新秀 四级

答复共 1 条

非平衡电桥的原理和应用

电桥可分为平衡平桥和非平衡电桥，非平衡电桥也称不平衡电桥或微差电桥。以往在教学中往往只做平衡电桥实验。近年来，非平衡电桥在教学中受到了较多的重视，因为通过它可以测量一些变化的非电量，这就把电桥的应用范围扩展到很多领域，实际上在工程测量中非平衡电桥已经得到了广泛的应用。

一、实验目的

1、掌握非平衡电桥的工作原理以及与平衡电桥的异同

2、掌握利用非平衡电桥的输出电压来测量变化电阻的原理和方法

3、学习与掌握根据不同被测对象灵活选择不同的桥路形式进行测量

4、掌握非平衡电桥测量温度的方法，并类推至测其它非电量

二、实验内容

1、用非平衡电桥测量热敏电阻的温度特性

2、用热敏电阻为传感器结合非平衡电桥设计测量范围为10~70℃的数显温度计

三、实验仪器及配件

1、非平衡电桥（DHQJ-1、DHQJ-2、DHQJ-3型任选一种）

2、DHT-1型多功能恒温实验仪

3、10KΩ热敏电阻

四、实验原理

非平衡电桥的原理图见图1

图 一

非平衡电桥在构成形式上与平衡电桥相似，但测量方法上有很大差别。平衡电桥是调节R3使I0=0，从而得到 ，非平衡电桥则是使R1、R2、R3保持不变，RX变化时则U0变化。再根据U0与RX的函数关系，通过检测U0的变化从而测得RX，由于可以检测连续变化的U0，所以可以检测连续变化的RX，进而检测连续变化的非电量。

（一）非平衡电桥的桥路形式

1、等臂电桥

电桥的四个桥臂阻值相等，即R1=R2=R3=RX0；其中RX0是RX的初始值，这时电桥处于平衡状态，U0=0 。

2、卧式电桥也称输出对称电桥

这时电桥的桥臂电阻对称于输出端，即R1=RX0，R2=R3，但R1≠R2

3、立式电桥也称电源对称电桥

这时从电桥的电源端看桥臂电阻对称相等即

R1=R2 RX0=R3 但R1≠R3

4、比例电桥

这时桥臂电阻成一定的比例关系，即R1=KR2，R3=KR0或R1=KR3，R2=KRX0，K为比例系数。实际上这是一般形式的非平衡电桥。

（二）非平衡电桥的输出

非平衡电桥的输出有两种情况：一种是输出端开路或负载电阻很大近似于开路，如后接高内阻数字电压表或高输入阻抗运放等情况，这时称为电压输出，实际使用中大多采用这种方式；另一种是输出端接有一定阻值的负载电阻，这时称为功率输出，简称功率电桥。

下面我们分析一下电压输出时的输出电压与被测电阻的变化关系，功率电桥的输出可参见附录。

根据戴维南定理，图一所示的桥路可等效为图二（a）所示的二端口网络。

图 二（a） 图 二（b）

其中U0C为输出端开路的输出电压。Ri为输出阻抗，等效图见图二（b），可见

（1）

其中

电压输出的情况下RL→∞，所以有

（2）

令Rx=RX0+ΔR，Rx为被测电阻，RX0为其初始值，ΔR为电阻变化量。

通过整理，(1)、(2)式分别变为

（3）

（4）

这是作为一般形式非平衡电桥的输出与被测电阻的函数关系。

特殊地，对于等臂电桥和卧式电桥(4)式简化为

（5）

立式电桥和比例电桥的输出与(4)式相同。

被测电阻的ΔR<<RX0时，(4)式可简化为

（6）

(5)式可进一步简化为

(7)

这时U0与△R成线性关系

(三) 用非平衡电桥测量电阻的方法

1、将被测电阻（传感器）接入非平衡电桥，并进行初始平衡，这时电桥输出为0。改变被测的非电量，则被测电阻也变化。这时电桥也相应的电压U0输出。测出这个电压后，可根据(4)式或(5)式计算得到ΔR。对于ΔR<X0的情况下可按(6)式或(7)式计算得到ΔR 。

2、根据测量结果求得Rx=RX0+△R，并可作U0-△R曲线，曲线的斜率就是电桥的测量灵敏度。根据所得曲线，可由U0的值得到△R的值，也就是可根据电桥的输出U0来测得被测电阻Rx 。

（四）用非平衡电桥测温度方法

1、用线性电阻测温度

一般来说，金属的电阻随温度的变化为

Rx=RX0（1+αt）= RX0+αtRX0 （8）

所以△R=αRX0Δt，代入(4)式有

（9）

式中的αRX0值可由以下方法测得：

取两个温度t1、t2，测得RX1，RX2则

这样可根据(9)式，由电桥的U0求得相应的温度变化量Δt，从而求得t=t0+Δt。

特殊地，当ΔR<<RX0时，(9)式可简化为

（10）

这时U0与Δt成线性关系

2、利用热敏电阻测温度

热敏电阻具有负的电阻温度系数，电阻值随温度升高而迅速下降，这是因为热敏电阻由一些金属氧化物如Fe3O4、MgCr2O4等半导体制成，在这些半导体内部，自由电子数目随温度的升高增加得很快，导电能力很快增强；虽然原子振动也会加剧并阻碍电子的运动，但这种作用对导电性能的影响远小于电子被释放而改变导电性能的作用，所以温度上升会使电阻值迅速下降。

热敏电阻的电阻温度特性可以用下述指数函数来描述：

（11）

式中A为常数。B为与材料有关的常数，T为绝对温度。

为了求得准确的A和B，可将式（11）两边取对数

（12）

选取不同的温度T，得到相应的RT，并绘lnRT-1/T曲线，即可求得A与B。常用半导体热敏电阻的B值约为1500～5000K之间。

不同的温度时RT有不同的值，电桥的U0也会有相应的变化。可以根据U0与T的函数关系，经标定后，用U0测量温度T，但这时U0与T的关系是非线性的，显示和使用不是很方便。这就需要对热敏电阻进行线性化。线性化的方法很多，常见的有：

①串联法。通过选取一个合适的低温度系数的电阻与热敏电阻串联，就可使温度与电阻的倒数成线性关系；再用恒压源构成测量电源，就可使测量电流与温度成线性关系

②串并联法。在热敏电阻两端串并联电阻。总电阻是温度的函数,在选定的温度点进行级数展开，并令展开式的二次项为0，忽略高次项,从而求得串并联电阻的阻值，这样就可使总电阻与温度成正比，展开温度常为测量范围的中间温度。详细推导可由学生自己完成。

③非平衡电桥法。选择合适的电桥参数，可使电桥输出与温度在一定的范围内成近似的线性关系。

④用运算放大的结合电阻网络进行转换，使输出电压与温度成一定的线性关系

这里我们重点讲述一下用非平衡电桥进行线性化设计的方法。

在图一中，R1、R2、R3为桥臂测量电阻，具有很小的温度系数，Rx为热敏电阻，由于只检测电桥的输出电压，故RL开路，这时

（13）

其中

可见U0是温度T的函数，将U0在需要测量的温区中点T1处按泰勒级数展开

（14）

其中 （15）

式中U01为常数项，不随温度变化。 为线性项，Un代表所有的非线性项，它的值越小越好，为此令 =0，则Un的三次项可看做是非线性次，从Un的四次项开始数值很小，可以忽略不计。

根据以上的分析可推导出如下表达式

U0=λ+m(t-t1)+n(t-t1)3 （16）

式中t和t1分别T和T1对应的摄氏温度，线性函数部分为

U0=λ+m(t-t1) （17）

式中λ和m的值分别为

（18）

（19）

非线性部分为n(t-t1)3是系统误差，详细推导可自己进行或参看有关资料

线性化设计的过程如下：

根据给定的温度范围确定T1的值，一般为温度中间值，E的值由电桥本身决定（约为3V），B值由热敏电阻的特性决定,可根据(12)式所述求得。

根据非平衡电桥的显示表头，适当选取λ和m的值，可考虑使显示的毫伏数正好为摄氏温度值，这时m=1mV/℃,λ为测温范围的中心值T1mV。如果要提高温度读数分辨率，可选m=2mV/℃，这时λ为2T1mV。也可自选λ和m的值。

R3与R2的比值由下式求得

（20）

选好R3与R2的比值后，根据热敏电阻在T1时的阻值大小，选择与其值相近的R3值，即可确定R2的值。

五、实验过程及数据处理

非平衡电桥和DHT-1型多功能恒温实验仪的使用 *** 作详见说明书。

（一）、 用非平衡电桥测量电阻

1、预调电桥平衡

起始温度可以选室温或测量范围内的其他温度。

选等臂电桥或卧式电桥做一组U0、ΔR数据，先测出RX0= ____Ω，可用单桥（或非平衡电桥的单桥方式）、数字电阻表测量，调节桥臂电阻，使U0=0，并记下初始温度t0=___℃。

2 、将DHT-1型多功能恒温实验仪的“热敏电阻”端接到非平衡电桥输入端，热敏电阻的温度特性见附录2，以供参考。根据DHT-1的显示温度，读取相应的电桥输出U0，每隔一定温度测量一次，记录于表1

表 1

温度（℃）

U0（mV）

3、根据测量结果作RX―t曲线,由图求出 ,试与理论值比较，并作图求出时40℃的电阻值RX(℃)= ____ Ω

4、用立式电桥或比例电桥，重复以上步骤，做一组数据，列入表2

表 2

温度（℃）

U0（mV）

5、根据电桥的测量结果作RX―t曲线，试与前一曲线比较

6、分析以上测量的误差大小，并讨论原因。

（二）、用非平衡电桥测温度

1、选10KΩ的热敏电阻，设计的测量范围为10~70℃。

2、根据前面测得的数据绘制lnRT―1/T曲线，并求得A= ____ 和B= ____ 。

3、已有的已知条件为E=3V，T1=313K，B已求得，再根据非平衡电桥选择λ和m，推荐值为λ=40mV，m=1mV/℃；为提高测温分辨率也可选λ=80mV，m=2mV/℃，这样可按（16）式求得R3/R2，R3的值可选热敏电阻在40℃时的阻值。

注意：为缩短实验时间，可先在课前以B值为3000K进行计算，并论证可行性，课上再根据实测值进行正式设计，确定R2、R3的值。

4、按以上计算的值选取桥臂电阻R1= ____ Ω,R2=____ Ω, R3= ____Ω，并保持R1、R2、R3不变，改变温度t，电桥输出U0。，在设定的温度测量范围内测量U0与t的关系并记录。

对测得的U0―t关系作图并直线拟合，以检查该温度测量系统的线性和误差

台积电开启晶圆代工时代，成为集成电路中最为重要的一个环节。 1987 年，台积电的成立开启了 晶圆代工时代，尤其在得到了英特尔的认证以后，晶圆代工被更多的半导体厂商所接受。晶圆代工 打破了 IDM 单一模式，成就了晶圆代工+IC 设计模式。目前，半导体行业垂直分工成为了主流， 新进入者大多数拥抱 fabless 模式，部分 IDM 厂商也在逐渐走向 fabless 或者 fablite 模式。

全球晶圆代工市场一直呈现快速增长，未来有望持续 。晶圆代工+IC 设计成为行业趋势以后，受益 互联网、移动互联网时代产品的强劲需求，整个行业一直保持快速增长，以台积电为例，其营业收 入从 1991 年的 1.7 亿美元增长到 2019 年的 346 亿美元，1991-2019 年，CAGR 为 21%。2019 年全球晶圆代工市场达到了 627 亿美元，占全球半导体市场约 15%。未来进入物联网时代，在 5G、 人工智能、大数据强劲需求下，晶圆代工行业有望保持持续快速增长。

晶圆代工行业现状：行业呈现寡头集中。 晶圆代工是制造业的颠覆，呈现资金壁垒高、技术难度大、 技术迭代快等特点，也因此导致了行业呈现寡头集中，其中台积电是晶圆代工行业绝对的领导者， 营收占比超过 50%，CR5 约为 90%。

晶圆代工行业资金壁垒高。 晶圆代工厂的资本性支出巨大，并且随着制程的提升，代工厂的资本支 出中枢不断提升。台积电资本支出从 11 年的 443 亿元增长到 19 年的 1094 亿元，CAGR 为 12%。 中芯国际资本性支出从 11 年的 30 亿元增长到了 19 年的 131 亿元，CAGR 为 20%，并且随着 14 nm 及 N+1 制程的推进，公司将显著增加 2020 年资本性支出，计划为 455 亿元。巨额投资将众多 追赶者挡在门外，新进入者难度极大。

随着制程提升，晶圆代工难度显著提升。 随着代工制程的提升，晶体管工艺、光刻、沉积、刻蚀、 检测、封装等技术需要全面创新，以此来支撑芯片性能天花板获得突破。

晶体管工艺持续创新。 传统的晶体管工艺为 bulk Si，也称为体硅平面结构（Planar FET）。 随着 MOS 管的尺寸不断的变小，即沟道的不断变小，会出现各种问题，如栅极漏电、泄漏功 率大等诸多问题，原先的结构开始力不从心，因此改进型的 SOI MOS 出现，与传统 MOS 结 构主要区别在于：SOI 器件具有掩埋氧化层，通常为 SiO2，其将基体与衬底隔离。由于氧化 层的存在，消除了远离栅极的泄漏路径，这可以降低功耗。随着制程持续提升，常规的二氧 化硅氧化层厚度变得极薄，例如在 65nm 工艺的晶体管中的二氧化硅层已经缩小仅有 5 个氧 原子的厚度了。二氧化硅层很难再进一步缩小了，否则产生的漏电流会让晶体管无法正常工 作。因此在 28nm 工艺中，高介电常数（K）的介电材料被引入代替了二氧化硅氧化层（又称 HKMG 技术）。随着设备尺寸的缩小，在较低的技术节点，例如 22nm 的，短沟道效应开始 变得更明显，降低了器件的性能。为了克服这个问题，FinFET 就此横空出世。FinFET 结构 结构提供了改进的电气控制的通道传导，能降低漏电流并克服一些短沟道效应。目前先进制 程都是采用 FinFET 结构。

制程提升，需要更精细的芯片，光刻机性能持续提升。 负责“雕刻”电路图案的核心制造设备是光刻机，它是芯片制造阶段最核心的设备之一，光刻机的精度决定了制程的精度。第四 代深紫外光刻机分为步进扫描投影光刻机和浸没式步进扫描投影光刻机，其中前者能实现最 小 130-65nm 工艺节点芯片的生产，后者能实现最小 45-22nm 工艺节点芯片的生产。通过多 次曝光刻蚀，浸没式步进扫描投影光刻机能实现 22/16/14/10nm 芯片制作。到了 7/5nm 工艺， DUV 光刻机已经较难实现生产，需要更为先进的 EUV 光刻机。EUV 生产难度极大，零部件 高达 10 万多个，全球仅 ASML 一家具备生产能力。目前 EUV 光刻机产量有限而且价格昂 贵，2019 年全年，ASML EUV 销量仅为 26 台，单台 EUV 售价高达 1.2 亿美元。

晶圆代工技术迭代快，利于头部代工厂。 芯片制程进入 90nm 节点以后，技术迭代变快，新的制程 几乎每两到三年就会出现。先进制程不但需要持续的研发投入，也需要持续的巨额资本性支出，而 且新投入的设备折旧很快，以台积电为例，新设备折旧年限为 5 年，5 年以后设备折旧完成，生产 成本会大幅度下降，头部厂商完成折旧以后会迅速降低代工价格，后进入者难以盈利。

2.1摩尔定律延续，技术难度与资本投入显著提升

追寻摩尔定律能让消费者享受更便宜的 算 力，晶圆代工是推动摩尔定律最重要的环节。 1965 年， 英特尔（Intel）创始人之一戈登·摩尔提出，当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目， 约每隔 18-24 个月便会增加一倍，性能也将提升一倍，这也是全球电子产品整体性能不断进化的核 心驱动力，以上定律就是著名的摩尔定律。换而言之，每一美元所能买到的电脑性能，将每隔 18- 24 个月翻一倍以上。推动摩尔定律的核心内容是发展更先进的制程，而晶圆代工是其中最重要的 环节。

摩尔定律仍在延续。 市场上一直有关于摩尔定律失效的顾虑，但是随着 45nm、28nm、10nm 持续 的推出，摩尔定律仍然保持着延续。台积电在 2018 年推出 7nm 先进工艺，2020 年开始量产 5nm， 并持续推进 3nm 的研究，预计 2022 年量产 3nm 工艺。IMEC 更是规划到了 1nm 的节点。此外， 美国国防高级研究计划局进一步提出了先进封装、存算一体、软件定义硬件处理器三个未来发展研 究与发展方向，以此来超越摩尔定律。在现在的时间点上来看，摩尔定律仍然在维持，但进一步提 升推动摩尔定律难度会显著提升。

先进制程资本性投入进一步飙升 。根据 IBS 的统计，先进制程资本性支出会显著提升。以 5nm 节 点为例，其投资成本高达数百亿美金，是 14nm 的两倍，是 28nm 的四倍。为了建设 5nm 产线， 2020 年，台积电计划全年资本性将达到 150-160 亿美元。先进制程不仅需要巨额的建设成本，而 且也提高了设计企业的门槛，根据 IBS 的预测，3nm 设计成本将会高达 5-15 亿美元。

3nm 及以下制程需要采用全新的晶体管工艺。 FinFET 已经历 16nm/14nm 和 10nm/7nm 两个工艺 世代，随着深宽比不断拉高，FinFET 逼近物理极限，为了制造出密度更高的芯片，环绕式栅极晶 体管（GAAFET，Gate-All-Ground FET）成为新的技术选择。不同于 FinFET，GAAFET 的沟道被 栅极四面包围，沟道电流比三面包裹的 FinFET 更加顺畅，能进一步改善对电流的控制，从而优化 栅极长度的微缩。三星、台积电、英特尔均引入 GAA 技术的研究，其中三星已经先一步将 GAA 用 于 3nm 芯片。如果制程到了 2nm 甚至 1nm 时，GAA 结构也许也会失效，需要更为先进的 2 维 、 甚至 3 维立体结构，目前微电子研究中心（Imec）正在开发面向 2nm 的 forksheet FET 结构。

3nm 及以下制程，光刻机也需要升级。 面向 3nm 及更先进的工艺，芯片制造商或将需要一种称为 高数值孔径 EUV（high-NA EUV）的光刻新技术。根据 ASML 年报，公司正在研发的下一代极紫 外光刻机将采用 high-NA 技术，有更高的数值孔径、分辨率和覆盖能力，较当前的 EUV 光刻机将 提高 70%。ASML 预测高数值孔径 EUV 将在 2022 年以后量产。

除上面提到巨额资本与技术难题以外，先进制程对沉积与刻蚀、检测、封装等环节也均有更高的要 求。正是因为面临巨大的资本和技术挑战，目前全球仅有台积电、三星、intel 在进一步追求摩尔定 律，中芯国际在持续追赶，而像联电、格罗方德等晶圆代工厂商已经放弃了 10nm 及以下制程工艺 的研发，全面转向特色工艺的研究与开发。先进制程的进一步推荐节奏将会放缓，为中芯国际追赶 创造了机会。

2.2先进制程占比持续提升，成熟工艺市场不断增长

高性能芯片需求旺盛，先进制程占比有望持续提升。 移动终端产品、高性能计算、 汽车 电子和通信 及物联网应用对算力的要求不断提升，要求更为先进的芯片，同时随着数据处理量的增加，存储芯 片的制程也在不断升级，先进制程的芯片占比有望持续提升。根据 ASML2018 年底的预测，到 2025 年，12 寸晶圆的先进制程占比有望达到 2/3。2019 年中，台积电 16nm 以上和以下制程分别占比 50%，根据公司预计，到 2020 年，16nm 及以下制程有望达到 55%。

CPU、逻辑 IC、存储器等一般采用先进制程（12 英寸），而功率分立器件、MEMS、模拟、CIS、 射频、电源芯片等产品（从 6μm 到 40nm 不等）则更多的采用成熟工艺（8 寸片）。 汽车 、移动 终端及可穿戴设备中超过 70%的芯片是在不大于 8 英寸的晶圆上制作完成。相比 12 寸晶圆产线，8 寸晶圆制造厂具备达到成本效益生产量要求较低的优势，因此 8 寸晶圆和 12 寸晶圆能够实现优 势互补、长期共存。

受益于物联网、 汽车 电子的快速发展，MCU、电源管理 IC、MOSFET、ToF、传感器 IC、射频芯 片等需求持续快速增长。 社会 已经从移动互联网时代进入了物联网时代，移动互联网时代联网设备 主要是以手机为主，联网设备数量级在 40 亿左右，物联网时代，设备联网数量将会成倍增加，高 通预计到 2020 年联网 设备数量有望达到 250 亿以上。飙升的物联网设备需要需要大量的成熟工艺 制程的芯片。以电源管理芯片为例，根据台积电年报数据，公司高压及电源管理晶片出货量从 2014 年的 1800 万片（8 寸）增长到 2019 年的 2900 万片，CAGR 为 10%。根据 IHS 的预测，成熟晶 圆代工市场规模有望从 2020 年的 372 亿美元增长到 2025 年的 415 亿美元。

特色工艺前景依旧广阔，主要代工厂积极布局特色工艺。 巨大的物联网市场前景，吸引了众多 IC 设计公司开发新产品。晶圆代工企业也瞄准了物联网的巨大商机，频频推出新技术，配合设计公司 更快、更好地推出新一代芯片，助力物联网产业高速发展。台积电和三星不仅在先进工艺方面领先布局，在特色工艺方面也深入布局，例如台积电在图像传感器领域、三星在存储芯片领域都深入布 局。联电、格罗方德、中芯国际、华虹半导体等代工厂也全面布局各自的特色工艺，在射频、 汽车 电子、IOT 等领域，形成了各自的特色。

5G 时代终端应用数据量爆炸式提升增加了对半导体芯片的需求，晶圆代工赛道持续繁荣。 随着对 于 5G 通信网络的建设不断推进，不仅带动数据量的爆炸式提升，要求芯片对数据的采集、处理、 存 储 效率更高，而且也催生了诸多 4G 时代难以实现的终端应用，如物联网、车联网等，增加了终 端对芯片的需求范围。对于芯片需求的增长将使得下游的晶圆代工赛道收益，未来市场前景极其广 阔。根据 IHS 预测，晶圆代工市场规模有望从 2020 年的 584 亿美元，增长到 2025 年的 857 亿美 元，CAGR 为 8%。

3.15G 推动手机芯片需求量上涨

5G 手机渗透率快速提升。手机已经进入存量时代，主要以换机为主。2019 年全球智能手机出货量 为 13.7 亿部，2020 年受疫情影响，IDC 等预测手机总体出货量为 12.5 亿台，后续随着疫情的恢 复以及 5G 产业链的成熟，5G 手机有望快速渗透并带动整个手机出货。根据 IDC 等机构预测，5G 手机出货量有望从 2020 年的 1.83 增长到 2024 年的 11.63 亿台，CAGR 为 59%。

5G 手机 SOC、存储和图像传感器全面升级，晶圆代工行业充分受益。 消费者对手机的要求越来越 高，需要更清晰的拍照功能、更好的 游戏 体验、多任务处理等等，因此手机 SOC 性能、存储性能、 图像传感器性能全面提升。目前旗舰机的芯片都已经达到了 7nm 制程，随着台积电下半年 5 nm 产 能的释放，手机 SOC 有望进入 5nm 时代。照片精度的提高，王者荣耀、吃鸡等大型手游和 VLOG 视频等内容的盛行，对手机闪存容量和速度也提出了更高的要求，LPDDR5 在 2020 年初已经正式 亮相小米 10 系列和三星 S20 系列，相较于上一代的 LPDDR4，新的 LPDDR5 标准将其 I/O 速 度从 3200MT/s 提升到 6400MT/s，理论上每秒可以传输 51.2GB 的数据。相机创新是消费者更 换新机的主要动力之一，近些年来相机创新一直在快速迭代，一方面，多摄弥补了单一相机功能不 足的缺点，另一方面，主摄像素提升带给消费者更多的高清瞬间，这两个方向的创新对晶圆及代工 的需求都显著提升。5G 时代，手机芯片晶圆代工市场将会迎来量价齐升。

5G 手机信号频段增加，射频前端芯片市场有望持续快速增长。射频前端担任信号的收发工作，包 括低噪放大器、功率放大器、滤波器、双工器、开关等。相较于 4G 频段，5G 的频段增加了中高 频的 Sub-6 频段，以及未来的更高频的毫米波频段。根据 yole 预测，射频前端市场有望从 2018 年 的 149 亿美元，增长到 2023 年的 313 亿美元，CAGR 为 16%。

3.2云计算前景广阔，服务器有望迎来快速增长

2020 年是国内 5G 大规模落地元年，有望带来更多数据流量需求 。据中国信通院在 2019 年 12 月 份发布的报告，2020 年中国 5G 用户将从去年的 446 万增长到 1 亿人，到 2024 年我国 5G 用户 渗透率将达到 45%，人数将超过 7.7 亿人，全球将达到 12 亿人，5G 用户数的高增长带来流量的 更高增长。

5G 时代来临，云计算产业前景广阔。 进入 5G 时代，IoT 设备数量将快速增加，同时应用的在线 使用需求和访问流量将快速爆发，这将进一步推动云计算产业规模的增长。根据前瞻产业研究院的 报告，2018 年中国云计算产业规模达到了 963 亿元，到 2024 年有望增长到 4445 亿元，CAGR 为 29%，产业前景广阔。

边缘计算是云计算的重要补充，迎来新一轮发展高潮。 根据赛迪顾问的数据，2018 年全球边缘计 算市场规模达到 51.4 亿美元，同比增长率 57.7%，预计未来年均复合增长率将超过 50%。而中国 边缘计算市场规模在 2018 年达到了 77.4 亿元，并且 2018-2021 将保持 61%的年复合增长率，到 2021 年达到 325.3 亿元。

服务器大成长周期确定性强。 服务器短期拐点已现，受益在线办公和在线教育需求旺盛，2020 年 服务器需求有望维持快速增长。长期来看，受益于 5G、云计算、边缘计算强劲需求，服务器销量 有望保持持续高增长。根据 IDC 预测，2024 年全球服务器销量有望达到 1938 万台，19-24 年， CAGR 为 13%。

服务器半导体需求持续有望迎来快速增长，晶圆代工充分受益。 随着服务器数量和性能的提升，服 务器逻辑芯片、存储芯片对晶圆的需求有望快速增长，根据 Sumco 的预测，服务器对 12 寸晶圆 需求有望从 2019 年的 80 万片/月，增长到 2024 年的 158 万片/月，19-24 年 CAGR 为 8%。晶圆 代工市场有望充分受益服务器芯片量价齐升。

3.3三大趋势推动 汽车 半导体价值量提升

传统内燃机主要价值量主要集中在其动力系统。 而随着人们对于 汽车 出行便捷性、信息化的要求逐 渐提高， 汽车 逐步走向电动化、智能化、网联化，这将促使微处理器、存储器、功率器件、传感器、 车载摄像头、雷达等更为广泛的用于 汽车 发动机控制、底盘控制、电池控制、车身控制、导航及车 载 娱乐 系统中， 汽车 半导体产品的用量显著增加。

车用半导体有望迎来加速增长。 根据 IHS 的报告，车用半导体销售额 2019 年为 410 亿美元，13- 19 年 CAGR 为 8%。随着 汽车 加速电动化、智能化、网联化，车用芯片市场规模有望迎来加速， 根据 Gartner 的数据，全球 汽车 半导体市场 2019 年销售规模达 410.13 亿美元，预计 2022 年有望 达到 651 亿美元，占全球半导体市场规模的比例有望达到 12%，并成为半导体下游应用领域中增 速最快的部分。

自动驾驶芯片要求高，有望进一步拉动先进制程需求。 自动驾驶是通过雷达、摄像头等将采集车辆 周边的信息，然后通过自动驾驶芯片处理数据并给出反馈，以此降低交通事故的发生率、提高城市 中的运载效率并降低驾驶员的驾驶强度。自动驾驶要求多传感器之间能够及时、高效地传递信息， 并同时完成路线规划和决策，因此需要完成大量的数据运算和处理工作。随着自动驾驶级别的上升， 对于芯片算力的要求也越高，产生的半导体需求和价值量也随之水涨船高。英伟达自动驾驶芯片随 着自动驾驶级别的提升，芯片制程也显著提升，最早 Drive PX 采用的是 20nm 工艺，而最新 2019 年发布的 Drive AGX Orin 将会采用三星 8nm 工艺。根据英飞凌的预测，自动驾驶给 汽车 所需要的 半导体价值带来相当可观的增量，一辆车如果实现 Level2 自动驾驶，半导体价值增量就将达到 160 美元，若自动驾驶级别达到 level4&5，增量将会达到 970 美元。

3.4IoT 快速增长，芯片类型多

随着行业标准完善、技术不断进步、政策的扶持，全球物联网市场有望迎来爆发性增长。GSMA 预 测，中国 IOT 设备联网数将会从 2019 年的 36 亿台， 增到 到 2025 年的 80 亿台，19-25 年 CAGR 为 17.3%。根据全球第二大市场研究机构 MarketsandMarkets 的报告，2018 年全球 IoT 市场规模 为 795 亿美元，预计到 2023 年将增长到 2196 亿美元，18-23 年 CAGR 为 22.5%。

物联网的发展需要大量芯片支撑，半导体市场规模有望迎来进一步增长 。物联网感知层的核心部件 是传感器系统，产品需要从现实世界中采集图像、温度、声音等多种信息，以实现对于所处场景的 智能分析。感知需要向设备中植入大量的 MEMS 芯片，例如麦克风、陀螺仪、加速度计等；设备 互通互联需要大量的通信芯片，包括蓝牙、WIFI、蜂窝网等；物联网时代终端数量和数据传输通道 数量大幅增加，安全性成为最重要的需求之一，为了避免产品受到恶意攻击，需要各种类型的安全 芯片作支持；同时，身份识别能够保障信息不被盗用，催生了对于虹膜识别和指纹识别芯片的需求； 作为物联网终端的总控制点，MCU 芯片更是至关重要，根据 IC Insights 的预测，2018 年 MCU 市 场规模增长 11%，预计未来四年内 CAGR 达 7.2%，到 2022 年将超过 240 亿美元。

4.1 国内 IC 设计企业快速增长，代工需求进一步放量

国内集成电路需求旺盛，有望持续维持快速增长。 国内集成电路市场需求旺盛，从 2013 年的 820 亿美元快速增长到 2018 年的 1550 亿美元，CAGR 为 13.6%，IC insight 预测，到 2023 年，中国 集成电路市场需求有望达到 2290 亿美元，CAGR 为 8%。但是同时，国内集成电路自给率也严重 不足，2018 年仅为 15%，IC insight 在 2019 年预测，到 2023 年，国内集成电路自给率为 20%。

需求驱动，国内 IC 设计快速成长。 在市场巨大的需求驱动下，国内 IC 设计企业数量快速增加，尤 其近几年，在国内政策的鼓励下，以及中美贸易摩擦大的背景下，IC 设计企业数量加速增加，2019 年底，国内 IC 设计企业数量已经达到了 1780 家，2010-2019 年，CAGR 为 13%。根据中芯国际 的数据，国内 IC 设计公司营收 2020 年有望达到 480 亿美元，2011-2020 年 CAGR 为 24%，远 高于同期国际 4%的复合增长率。

国内已逐步形成头部 IC 设计企业。 根据中国半导体行业协会的统计，2019 年营收前十的入围门槛 从 30 亿元大幅上升到 48 亿元，这十大企业的增速也同样十分惊人，达到 47%。国内 IC 企业逐步 做大做强，部分领域已经形成了一些头部企业：手机 SoC 芯片领域有华为海思、中兴微电子深度 布局；图像传感领域韦尔豪威大放异彩；汇顶 科技 于 2019 年引爆了光学屏下指纹市场；卓胜微、 澜起 科技 分别在射频开关和内存接口领域取得全球领先。IC 设计企业快速成长有望保持对晶圆代 工的强劲需求。

晶圆代工自给率不足。 中国是全球最大的半导体需求市场，根据中芯国际的预测，2020 年中国对 半导体产品的需求为 2130 亿美元，占全球总市场份额为 49%，但是与之相比的是晶圆代工市场份 额严重不足，根据拓墣研究的数据，2020Q2，中芯国际和华虹半导体份额加起来才 6%，晶圆代 工自给率严重不足，尤其考虑到中国 IC 设计企业数量快速增长，未来的需求有望持续增长，而且， 美国对华为等企业的禁令，更是让我们意识到了提升本土晶圆代工技术和产能的重要性。

4.2政策与融资支持，中国晶圆代工企业迎来良机（略）

晶圆代工需求不断增长，但国内自给严重不足，受益需求与国内政策双重驱动，国内晶圆代工迎来 良机。建议关注：国内晶圆代工龙头，突破先进制程瓶颈的中芯国际-U、特色化晶 圆代工与功率半导体 IDM 双翼发展的华润微华润微、坚持特色工艺，盈利能力强的华虹半导体华虹半导体。

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（报告观点属于原作者，仅供参考。作者：东方证券，蒯剑、马天翼）

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