N型.P型半导体中的载流子各是什么?

P型半导体：在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了P型半导体。

多数载流子：P型半导体中，空穴的浓度大于自由电子的浓度，称为多数载流子，简称多子。

少数载流子：P型半导体中，自由电子为少数载流子，简称少子。

N型半导体：在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置形成N型半导体。

多子：N型半导体中，多子为自由电子。

少子：N型半导体中，少子为空穴。

扩展资料：

N型半导体的特点：

半导体中有两种载流子，即价带中的空穴和导带中的电子，以电子导电为主的半导体称之为N型半导体，与之相对的，以空穴导电为主的半导体称为P型半导体。

“N”表示负电的意思，取自英文Negative的第一个字母。在这类半导体中，参与导电的 (即导电载体) 主要是带负电的电子，这些电子来自半导体中的施主。凡掺有施主杂质或施主数量多于受主的半导体都是N型半导体。例如，含有适量五价元素砷、磷、锑等的锗或硅等半导体。

由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故N型半导体呈电中性。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。

P型半导体的特点：

半导体中有两种载流子：导带中的电子和价带中的空穴。 如果某一类型半导体的导电性主要依靠价带中的空穴，则该类型的半导体就称为P型半导体。

“P”表示正电的意思，取自英文Positive的第一个字母。在这类半导体中，参与导电的 (即电荷载体) 主要是带正电的空穴，这些空穴来自半导体中的受主。因此凡掺有受主杂质或受主数量多于施主的半导体都是p型半导体。例如，含有适量三价元素硼、铟、镓等的锗或硅等半导体就是P型半导体。

由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。

参考资料来源：百度百科—N型半导体

参考资料来源：百度百科—P型半导体

如果从载流子浓度或掺杂角度说，可分为多数载流子（多子）和少数载流子（少子）；

如果从载流子离域性的角度说，可分为自由载流子（free charge carrier或delocalized charge carrier）和俘获态载流子（trapped charge carrier或localized charge carrier）

多数载流子和少数载流子决定了半导体材料的导电性质和电学特性。

半导体材料中的载流子可以分为两种类型：多数载流子和少数载流子。多数载流子是指在半导体中数目占绝大多数的载流子，例如在N型半导体中为自由电子，在P型半导体中为空穴。而少数载流子则是指占少数的载流子，在N型半导体中为空穴，在P型半导体中为自由电子。

由于多数载流子在半导体中数目占绝大多数，因此其运动对半导体材料的导电性质和电学特性起主导作用。例如，在N型半导体中，自由电子的数量远大于空穴的数量，因此它具有良好的电导性质，且易于被掺杂成P型半导体。而在P型半导体中，空穴的数量远大于自由电子的数量，因此它具有良好的电导性质，且易于被掺杂成N型半导体。

少数载流子虽然数目较少，但在半导体器件的工作中也起着重要作用，例如在PN结中的空间电荷区域，少数载流子的扩散和漂移会导致PN结的电特性发生变化，影响整个器件的性能。因此，对于半导体器件的设计和优化，需要充分考虑多数载流子和少数载流子的作用和影响。

另外，多数载流子和少数载流子也影响着半导体材料的光学特性。在光电器件中，例如光电二极管和太阳能电池，光子在半导体中的能量可以被吸收并激发出少数载流子，这些少数载流子的移动和扩散可以产生电流或电压信号。因此，在光电器件的设计中，需要选择适合的半导体材料，以保证光子的能量可以被有效地吸收并产生足够的载流子。

此外，半导体材料中的多数载流子和少数载流子也对热学特性和机械特性等方面产生影响。因此，在半导体材料的研究和应用中，需要综合考虑多种载流子的作用和相互影响。

半导体材料的多数载流子和少数载流子还对半导体器件的速度、功耗、噪声、稳定性等性能参数产生影响。例如，在晶体管等高频器件中，多数载流子的迁移速度和响应速度对器件的工作速度和频率响应有重要影响。少数载流子的影响则主要体现在器件的噪声和稳定性方面，因为少数载流子的扩散和漂移可以引起器件的随机噪声，并对器件的工作温度和环境变化等因素产生敏感性。

在半导体器件的设计和优化中，需要通过控制多数载流子和少数载流子的浓度、迁移率和寿命等参数，以实现所需的电学、光学、热学和机械性能。例如，通过掺杂控制和结构设计，可以改变半导体材料中多数载流子和少数载流子的分布和性质，从而实现对半导体器件的性能调节和优化。此外，还可以利用半导体材料的表面和界面特性，通过修饰和功能化等方法，改变多数载流子和少数载流子的表面浓度和分布，实现对器件性能的调控和优化。

总之，多数载流子和少数载流子是半导体材料的重要组成部分，它们决定了半导体材料的电学、光学、热学和机械性能，对半导体器件的设计、制造和应用产生了深刻的影响。

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