半导体厂商如何做芯片的出厂测试？

封装之后的测试不熟，有FT、SLT等，具体不详，yield map一类，以前在fab的时候，看到的是结果，具体测法不详，说一下fab芯片制造完成之后的测试吧。

1，出厂必测的WAT，wafer acceptance test，主要是电性能测试，每一类晶体管的参数，电压电容电阻等，每一层金属的电阻，层间的电容等，12寸厂的晶圆抽测9颗样点，均匀分布在整个wafer上，答主熟悉的55nm技术，每一个样点上必测70~120个参数，整片wafer测完约需要10~15分钟，设备主要是安捷伦和东电的；

2，在晶圆制造过程中监测膜厚、线宽等，膜厚是13点，线宽是9点；

3，光学镜头芯片还会测试wafer的翘曲度、整体厚度值，要配合后端芯片的再制备；

4，在测试芯片（非生产性正常检测）的时候，还会测试NBTI、TDDB、GOV等；

5，其他根据芯片特性的测试。

B/G:

磨片

lamination：贴膜

DA:

贴片

W/B：打线

Mold：塑封

marking：打印

S/G：切割

基本测试设备：

B/I

设备：

对产品进行信赖性评价

test设备:

对产品进行电性测试；

LIS:

对产品外观进行检查

1、半导体处于导通状态，电阻非常小但根据伏安特性是有电阻存在的

2、半导体处于截止状态，电阻非常大但电压加到一定程度时可以出现击穿

3、半导体处于临界状态，电阻值根据伏安特性是可以计算的

综上所述：半导体是可以用伏安测试仪测电阻的，只是不同状态，不同电压，正负方向电阻是不同的，所以，销售半导体的厂商，产品手册上提供伏安特性表，是一个平面坐标系。