半高宽有什么意义?波长为600nm的平面波,它的半高宽怎么计算?

半高宽是用来衡量光波单色性的重要指标,用比较通俗的说法就是——对于600nm的光波,要是半高宽是10nm,这就意味着这束光波包含从580nm-620nm的成分,要是半高宽只有0.1nm,那么就只包含599.8nm-600.2nm的成分,明显后者单色性更好.只给定波长没法算半高宽,尤其是600nm不是经典的波长,不知道是什么增益介质,就更没办法查表

与半导体禁带宽度有关。

光谱带越小越好，分光光谱窄，特征吸收峰也就纯，干扰小，性能也好。半导体禁带宽度越宽，其导通的电压越高，载流子复合释放出的光子能量也就越大，就是波长也就越短，这就是发蓝光的LED正向电压要大于发红光的LED正向电压。

和你仪器的能量分辨率有关系。首先你要明白半高宽的定义：半高宽说的是在谱线上，能峰的一半计数高的地方所对应的能量宽度ΔE与该能量刻度的比值。

137Cs衰变放出的两条γ射线能量分别是1.33MeV和1.17MeV，当仪器分辨率不高的时候，特别是早期仪器，会出现和峰效应，在1.25MeV处有一个峰，但是这个峰并不是第三条γ射线，仅仅是1.33MeV和1.17MeV两条γ射线在被分辨率不高的仪器探测到的时候产生了和峰，简单的说就是在能谱图上，1.33MeV的左边、1.17MeV的右边，两个峰的峰谷处计数叠加形成的一个峰。如果仪器的能量分辨率够高，比如高纯锗探测器，在能谱图上就不会出现这样的和峰，非但没有和峰，而且1.33MeV和1.17MeV两个峰的半高宽都很窄，高纯锗一般是采用十分之一高宽来衡量能量分辨性的。

60Co的γ射线626KeV，和上边一样的道理，跟仪器能量分辨率有关，半高宽和γ射线能量无直接联系。

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