简单说明如下,
半导体的压敏性,当外加电压变化达到某一特定阈值时,导致其导电性能能发生明显变化的性质。例如,压敏电阻。 压敏电阻,是指一类对电压敏感的非线性过电压保护半导体元件。
半导体的光敏性,在特定频率的光照下,可导致其电阻率发生变化的性质。例如,光敏电阻。
半导体的热敏性,由于温度变化,可导致其电阻率发生变化的性质。例如,热敏电阻。
半导体二极管的主要特点是具有掺杂性,热敏性,光敏性。1、掺杂性,当往纯净的半导体中掺入煤些物质时,导体的导电性会大大增强。二极管、三极管就是掺入杂质的半导体制成的。
2、热敏性,当温渡上升时,导体的导电能力会增强。利用该特性可以将某些半导体制成热敏器件。
3、光敏性,当有光线照射半导体时,半导体的导电能力也会显著增强。利用该特性可以将某些半导体制成光敏器件。
二极管是最早诞生的半导体器件之一,其应用非常广泛。特别是在各种电子电路中,利用二极管和电阻、电容、电感等元器件进行合理的连接,构成不同功能的电路,可以实现对交流电整流、对调制信号检波、限幅和钳位以及对电源电压的稳压等多种功能。
以锗硅合金为例。
1、性质: 高频特性良好,材料安全性佳,导热性好,而且制程成熟、整合度高,具成本较低之优势。
2、作用:不但可以直接利用半导体现有200mm 晶圆制程,达到高集成度,据以创造经济规模,还有媲美GaAs的高速特性。随着近来IDM 大厂的投入,SiGe 技术已逐步在截止频率(fT)与击穿电压(Breakdown voltage)过低等问题获得改善而日趋实用。
SiGe既拥有硅工艺的集成度、良率和成本优势,又具备第3 到第5 类半导体(如砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP))在速度方面的优点。只要增加金属和介质叠层来降低寄生电容和电感,就可以采用SiGe 半导体技术集成高质量无源部件。
扩展资料:
半导体的导电特性介绍:
导体具有良好的导电特性,常温下,其内部存在着大量的自由电子,它们在外电场的作用下做定向运动形成较大的电流。因而导体的电阻率很小,只有 金属一般为导体,如铜、铝、银等。
绝缘体几乎不导电,如橡胶、陶瓷、塑料等。在这类材料中,几乎没有自由电子,即使受外电场作用也不会形成电流,所以,绝缘体的电阻率很大,在 以上。
半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间,如硅、锗、硒等,它们的电阻率通常在 之间。半导体之所以得到广泛应用,是因为它的导电能力受掺杂、温度和光照的影响十分显著。
如纯净的半导体单晶硅在室温下电阻率约为 ,若按百万分之一的比例掺入少量杂质(如磷)后,其电阻率急剧下降为 ,几乎降低了一百万倍。半导体具有这种性能的根本原因在于半导体原子结构的特殊性。
参考资料来源:百度百科-半导体
百度百科-锗硅合金
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