凡是满足E=1/2(mv2)关系的粒子,它的质量就是其惯性质量。
只有晶体中的电子,才谈到有效质量。这是把晶体中不自由的电子折算成自由电子后,所引入的质量,不是电子真正的惯性质量,而是在有晶体周期性势场作用下的电子运动惯性的一种表述,称为有效质量。
有效质量不是电荷量,所以空穴的有效质量与电子有效质量的大小跟成对产生没有多大关系.我半导体学的不精通,不能给出有效质量谁大谁小的确切解释.不过我觉得空穴毕竟是带正电嘛,貌似起码得带一个原子核,那么它的有效质量肯定远远大于一个电子咯.仅供参考咯锗中掺锑,锑是五族元素,在锗中是施主杂质,锗的禁带宽度小于硅,由此断定室温下杂质全电离,因此电子浓度就是锑的掺杂浓度。由质量作用定理ni^2=p*n,电子浓度已经知道,就能算出空穴浓度。电导率的公式σ=n*μn*q+p*μp*q,计算电导率,求倒数就是电阻率。
少子的平均漂移速度就是指在电场作用下载流子单位时间移动的距离,这里漂移速度V=1cm/10^(-4)s=10^4cm/s,迁移率μ=V/E,然后根据爱因斯坦关系,扩散系数D=μkT/q,即可求出扩散系数。
其实半导体物理的计算多为套公式,只要熟悉每个名词背后的概念,将各个概念的关系能够联系起来做计算题就没什么问题了。
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