电动汽车高压充电必须使用sic或mosfet半导体吗?

不一定

随着电动汽车市场的加速发展，汽车制造商需要更高电压（例如 800V）的驱动系统，以减少充电时间和电动汽车整体重量，这反过来意味着更长的行驶里程。 ST 第三代 STPOWER SiC MOSFET 专为满足高端汽车应用的要求而设计，包括 EV 牵引逆变器、车载充电器和 DC/DC 转换器充电（应用）要求在高温环境下具有高电压、高电流和高性能，开发高能效、高性能、具丰富保护功能的充电桩对于实现以尽可能短的充电时间续航更远的里程至关重要。常用的半导体器件有 IGBT、超结 MOSFET 和碳化硅（SiC）。安森美半导体为电动汽车 OBC 和直流充电桩提供完整的系统方案，包括通过 AEC 车规认证的超级结 MOSFET、IGBT、门极驱动器、碳化硅（SiC）器件、电压检测、控制产品乃至电源模块等，支持设计人员优化性能，加快开发周期。

1、晶闸管（可控硅），它又有普通晶闸管、双向晶闸管属于半控型（控制导通、自然关断）电力电子器件，门极可关断晶闸管（GTO）属全控型电力电子器件。2、电力晶体管(GTR)，属于电流控制电流全控型电力电子器件。3、绝缘栅场效应管(PMOS)，属于电压控制电流全控型电力电子器件。4、绝缘栅双极晶体管(IGBT)，属于电压控制电流全控型电力电子器件。

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