半导体的PN结,为何多子是电子用N,多子是空穴用P表示?我总记不住,而且不理解为何用这两个字母表示

半导体的PN结,为何多子是电子用N,多子是空穴用P表示?我总记不住,而且不理解为何用这两个字母表示,第1张

P_POSITIVE (正) N_NEGATIVE(负) P端正 空穴就会去N端 电子去P端 然后再PN节交接面形成内置场强.只要外加电压不够大 这个内部场强就会抵消外部电压,所以不会有电流流动这个原理可以用来做稳压管但是外部电压过大 就可能会烧坏PN节 形成雪崩效应.这样您讲的持续电流就有可能实现. 比较菜的见解 仅作参考 我的答案太肤浅 楼上正解

P型半导体:在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了P型半导体。

多数载流子:P型半导体中,空穴的浓度大于自由电子的浓度,称为多数载流子,简称多子。

少数载流子:P型半导体中,自由电子为少数载流子,简称少子。

N型半导体:在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷),使之取代晶格中硅原子的位置形成N型半导体。

多子:N型半导体中,多子为自由电子。

少子:N型半导体中,少子为空穴。

扩展资料:

N型半导体的特点:

半导体中有两种载流子,即价带中的空穴和导带中的电子,以电子导电为主的半导体称之为N型半导体,与之相对的,以空穴导电为主的半导体称为P型半导体。

“N”表示负电的意思,取自英文Negative的第一个字母。在这类半导体中,参与导电的 (即导电载体) 主要是带负电的电子,这些电子来自半导体中的施主。凡掺有施主杂质或施主数量多于受主的半导体都是N型半导体。例如,含有适量五价元素砷、磷、锑等的锗或硅等半导体。

由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等,故N型半导体呈电中性。自由电子主要由杂质原子提供,空穴由热激发形成。掺入的杂质越多,多子(自由电子)的浓度就越高,导电性能就越强。

P型半导体的特点:

半导体中有两种载流子:导带中的电子和价带中的空穴。 如果某一类型半导体的导电性主要依靠价带中的空穴,则该类型的半导体就称为P型半导体。

“P”表示正电的意思,取自英文Positive的第一个字母。在这类半导体中,参与导电的 (即电荷载体) 主要是带正电的空穴,这些空穴来自半导体中的受主。因此凡掺有受主杂质或受主数量多于施主的半导体都是p型半导体。例如,含有适量三价元素硼、铟、镓等的锗或硅等半导体就是P型半导体。

由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等,故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供,自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多,多子(空穴)的浓度就越高,导电性能就越强。

参考资料来源:百度百科—N型半导体

参考资料来源:百度百科—P型半导体


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