金属电阻率与半导体电阻率的本质差别? 详细一点儿,不要乱贴!

金属是由金属原子组成的晶格和自由电子组成的,实际参与导电的是自由电子.晶格是一直振动的,和分子的热运动相关.金属之所以有电阻是由于晶格对自由电子的定向移动的阻碍.而且由于温度越高,晶格震动越强烈,所以它的阻碍效应就越明显,这是金属电阻随温度升高而变大的原因. 对于半导体,它不像金属那样有很多自由电子,它的电子基本都被束缚在原子核上.所以它需要一定的温度或者光来激发,是它的电子获得足够的能量,摆脱原子核的束缚,从而成为能够参与导电的粒子.所以温度升高,能够参与导电的粒子就越多,电阻就越小.

大部分金属是正温度系数电阻，温度升高，电阻增加大部分半导体是负温度系数电阻，温度升高，电阻降低金属有大量自由电子，温度升高，晶格振动加剧，与电子的碰撞增多，电阻增加半导体内部载流子（自由电子和空穴）较少，温度升高，热激发的载流子增加，电阻减小

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