半导体；二极管中，沟槽工艺和平面工艺有什么区别？

FinFET在发明之初就是为了解决平面晶体管的短沟道效应问题，其结构如图1所示。与平面晶体管不同之处在于FinFET的沟道平面垂直于衬底平面，并且沟道两侧以及顶部同时受到栅电极的电压控制，因此从静电势的分布来看，整个沟道厚度方向上存在着更为均匀的电场控制，使得沟道电荷更容易被栅电极的电压信号所调制，从而降低与源漏端的共享，即短沟道效应。

相比较32 nm平面晶体管，22 nm的FinFET器件亚阈值特性更加陡峭，从而能够在较低的阈值电压下工作而不破坏关态电流，从而获得更高的驱动电流。这使得FinFET可以在更低的工作电压下工作，获得超过37%的性能提升。

相比于FinFET器件，围栅纳米线器件可从各个方向控制沟道能电势，具有更强的短沟道效应控制能力，从而实现极小的泄漏电流。

半导体是电子元件的主要原材料。它以硅、砷、锗、镓等为半导体材料，是一种介于导体和绝缘体之间的材料，是所有电子元件生产的最佳材料，其导电性能随温度升高而增加，与金属导体的性能相反，使用电子三极管，可产生电子频率放大和缩小的功能，常用的电子三极管有PNP和NPN。现代它的用途非常广泛，如1c集成电路、手机芯片、电子二极管、晶体管、电阻、电子元件等，制成的晶体管通常被称为锗管、硅管型，随着科学家对半导体材料的不断开发，新材料如砷化镓，用它开发的微波和光电电子元件都促进了现代微波和光电技术的发展。

导体是通电的，绝缘体是不通电的。介于两者之间的是半导体。你可以在初中化学的周期表中看到它。具体来说就是半导体。举个例子。普通铜线可以通电，但通电的能量不易控制，绝缘体不通电，但也不易控制绝缘程度。半导体本身就介于两者之间。其优点是，人们可以控制它的带电程度。

现在大多数电子产品都是由硅半导体制成的，常用的有，二极管、音频、晶闸管、自动控制的各种传感器（光、磁、力温度...）、显示屏、集成电路等。半导体中的杂质对电阻率的影响非常大，但如果在具有晶体结构的半导体中人为地掺入特定的杂质元素，其导电性是可以控制的。有了半导体，才有了晶体管，有了晶体管，才有了集成电路，半导体是集成电路的基础。应用最广泛、商业上最成功的半导体材料是硅。在集成电路的平面工艺中，硅更容易实现氧化、光刻、扩散等工艺，更方便集成，其性能也更容易控制。

半导体是指导电性能介于导体和绝缘体之间的材料。我们知道，电路之所以具有某种功能，主要是因为其内部有电流的各种变化，而之所以形成电流，主要是因为有电子在金属线路和电子元件之间流动（运动/迁移）。所以，电子在材料中运动的难易程度，决定了其导电性能。常见的金属材料在常温下电子就很容易获得能量发生运动，因此其导电性能好；绝缘体由于其材料本身特性，电子很难获得导电所需能量，其内部很少电子可以迁移，因此几乎不导电。而半导体材料的导电特性则介于这两者之间，并且可以通过掺入杂质来改变其导电性能，人为控制它导电或者不导电以及导电的容易程度。这一点称之为半导体的可掺杂特性。

前面说过，集成电路的基础是晶体管，发明了晶体管才有可能创造出集成电路，而晶体管的基础则是半导体，因此半导体也是集成电路的基础。半导体之于集成电路，如同土地之于城市。很明显，山地、丘陵多者不适合建造城市，沙化土壤、石灰岩多的地方也不适合建造城市。“建造”城市需要选一块好地，“集成”电路也需要一块合适的基础材料——就是半导体。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓（化合物），其中应用最广的、商用化最成功的当推“硅”。

那么半导体，特别是硅，为什么适合制造集成电路呢？有多方面的原因。硅是地壳中最丰富的元素，仅次于氧。自然界中的岩石、砂砾等存在大量硅酸盐或二氧化硅，这是原料成本方面的原因。硅的可掺杂特性容易控制，容易制造出符合要求的晶体管，这是电路原理方面的原因。硅经过氧化所形成的二氧化硅性能稳定，能够作为半导体器件中所需的优良的绝缘膜使用，这是器件结构方面的原因。最关键的一点还是在于集成电路的平面工艺，硅更容易实施氧化、光刻、扩散等工艺，更方便集成，其性能更容易得到控制。因此后续主要介绍的也是基于硅的集成电路知识，对硅晶体管和集成电路工艺有了解后，会更容易理解这个问题。

除了可掺杂性之外，半导体还具有热敏性、光敏性、负电阻率温度、可整流等几个特性，因此半导体材料除了用于制造大规模集成电路之外，还可以用于功率器件、光电器件、压力传感器、热电制冷等用途；利用微电子的超微细加工技术，还可以制成MEMS（微机械电子系统），应用在电子、医疗领域。