而大功率器件一般是指电压等级在1200V以上,电流在300A以上,输出功率比较大的电子元器件。典型的大功率器件包括大功率二极管、晶闸管SCR、双极型功率晶体管IGBT、功率晶体管GTR、IGCT、GTO、ETO、SIT等,900V以上的mosfet也可称为大功率器件,但是要看相应的电流等级。
其中,IGCT是在晶闸管技术的基础上结合IGBT和GTO等技术开发的新型器件,适用于高压大容量变频系统中,是一种用于巨型电力电子成套装置中的新型电力半导体器件。
IGCT是将GTO芯片与反并联二极管和门极驱动电路集成在一起,再与其门极驱动器在外围以低电感方式连接,结合了晶体管的稳定关断能力和晶闸管低通态损耗的优点。在导通阶段发挥晶闸管的性能,关断阶段呈现晶体管的特性。IGCT芯片在不串不并的情况下,二电平逆变器功率0.5~3MW,三电平逆变器1~6MW;若反向二极管分离,不与IGCT集成在一起,二电平逆变器功率可扩至4/5MW,三电平扩至9MW。
这些器件基本上是以硅材料为基础,经过不同的工艺生产条件生产出来,按照其功能也有所分类:
1. 按照导通、关断的受控情况可分为不可控、半控和全控型功率器件,全控型如IGBT、IGCT、ETO等,就是通过门极可以控制器件的开通与关断,半控型器件的代表就是晶闸管,只能控制开通,而不能控制关断;
2. 按照载流子导电情况可分为双极型、单极型和复合型功率器件;
3. 按照控制信号情况,可以分为电流驱动型和电压驱动型功率器件。
根据它们的这些结构和特点应用领域也不完全相同,主要由电子元件业、半导体分立器件和集成电路业等部分组成。功率电子器件被广泛应用于电源,伺服驱动,变频器,电机保护器等功率电子设备主要得益于它们的自身优势:
1、器件能够快速恢复,以满足越来越高的速度需要。
2、通态压降降低。
3、电流控制能力增大。
4、额定电压耐压高。
5、温度与功耗。
随着技术的不断进步,功率半导体器件在不断演进。自上世纪80年代起,功率半导体器件MOSFET、IGBT和功率集成电路逐步成为了主流应用类型。随着科技的发展,今后对于半导体的产品应用还会产生哪些变化,或者是衍生出哪些新型的元器件都未可知,值得期待。
1、晶闸管(可控硅),它又有普通晶闸管、双向晶闸管属于半控型(控制导通、自然关断)电力电子器件,门极可关断晶闸管(GTO)属全控型电力电子器件。2、电力晶体管(GTR),属于电流控制电流全控型电力电子器件。3、绝缘栅场效应管(PMOS),属于电压控制电流全控型电力电子器件。4、绝缘栅双极晶体管(IGBT),属于电压控制电流全控型电力电子器件。电力电子器件(Power Electronic Device),又称为功率半导体器件,用于电能变换和电能控制电路中的大功率(通常指电流为数十至数千安,电压为数百伏以上)电子器件。MOS控制晶闸管
电子注入增强栅晶体管
集成电力电子模块
超大功率晶闸管
脉冲功率闭合开关晶闸管
新型GTO器件-集成门极换流晶闸管
都是的。
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