2.三星(Samsung)电子公司成立于1969年，初期主要生产家用电子产品，如
电视机和录像机等。七十年代始进入国际市场，逐渐发展成为全球五大电
子公司之一，产品也由家电扩展到计算机、通讯等诸多方面。九十年代由
于经济方面的原因，三星公司进行了大规模的战略重组。1978年，三星半
导体从三星电子公司分立出来而成为独立的实体，1983年起随着成功发展
了64K DRAM超大规模集成电路，从此在单一家电类半导体产品基础上发展
了许多新的半导体产品，逐渐成为全球领先的半导体厂商。它的半导体产
品主要有DRAM、SRAM、闪速存储器、ASIC、CPU和TFF-LCD板等等。
3.德州仪器(TI)公司总部位于美国德克萨斯州达拉斯城，是一家全球性的
半导体公司，是世界领先的数字信号处理和模拟技术的设计商、供应商，
是推动电子数字化进程的引擎。主要IC产品有：数字信号处理器、模拟和
混合信号器件、数字逻辑、ASIC、微控制器、语音和图形处理器、可编程
逻辑、军用器件等。
4.东芝(Toshiba)在国际市场上盛名远扬，家喻户晓。在日本之外，东芝拥
有100多家子公司和协作公司的庞大全球网络，仅海外子公司便拥有40,000
多名雇员，他们遍及全球各地，从事着从科研到采购、生产、销售以及市
场调研等工作。分布在世界各地的39个厂家构成东芝的生产网络，制造品
种繁多的产品，包括最先进的半导体元件、显象管、彩色电视机、移动式
计算个人电脑、光?磁存储、消耗品及工业用发电机和变电装置。这些技术
和设备均处世界领先地位的东芝生产厂家,强有力地保障着公司技术和整体
能力的发展，推动着电子工业的进步；同时也提供了更多的就业机会，进
一步促进了当地经济的蓬勃发展。
5.台积电(TSMC)成立于1987年，是全球最大的专业集成电路制造服务公司
。身为专业集成电路制造服务业的创始者与领导者，TSMC在提供先进晶圆
制程技术与最佳的制造效率上已建立声誉。自创立开始，TSMC即持续提供
客户最先进的技术；2006年的总产能超过七百万片约当八吋晶圆，全年营
收约占专业集成电路制造服务领域的百分之五十。
6.意法半导体会(ST)是全球性的独立半导体制造商。公司设计、生产、销
售一系列半导体IC和分立器件，用于远程通讯系统、计算机系统、消费电
子产品、汽车和工业自动化控制系统。ST是全球MPEG-2解码IC、数字机顶
盒IC、Smartcard MCU、特殊汽车IC和EEPROM非易失存储器最大供应商，也
是第二大模拟/混合信号ASSP和ASIC、磁盘驱动IC及EEPROM存储器供应商。
公司的产品采用一系列专有制作工艺和设计方法设计生产，可提供3000多
种主要型号产品。
ST公司是1987年由法国Thomson Semiconductors和意大利SGS
Microelectronics合并而成。自从成立以来，ST公司不断扩大生产能力，
目前公司拥有雇员约34,000人，共有9个研发机构，35个设计和应用中心，
17个生产据点，并在24个国家建立了62个销售部门。公司总部一部分在法
国St Genis,另一部分在瑞士日内瓦，在美国、新加坡、日本设立了地区总
部。ST公司十分重视技术发展，1999年投入26.6%销售收入用于产品研发，
共完成了751项新专利应用。公司设计销售几乎每种型号半导体器件，从简
单的晶体管到世界上最复杂的IC产品，覆盖了所有主要的半导体器件。其
中包括：专用IC、微处理器、半定制IC、存储器、标准IC、分立元件等。
7.瑞萨科技(Renesas)在2003 年4 月1 日正式成立，以领先的科技实现人
类的梦想。结合了日立与三菱电机在半导体领域上的丰富经验和专业知识
，配合全球二万七千名员工的无限创意，我们将无处不在，超乎你的想像
。科技的价值在于让一切变得可能，身为一家具有领导性和值得信赖的智
能晶片解决方案供应商，我们对于拓展明日无处不在的网络世界，担当重
要的角色。我们的创造力具前瞻性，为人类创造出更舒适美好的生活。
瑞萨精密的AFE ，运用10/12/14-bit 高信号解析度，可达到极佳讯号/噪
音比率，并融合影像处理器的原创IP 技术，以提供高品质的数位摄影。同
时，瑞萨亦是DVD 录影科技先驱，晶片设计整合不同要求，产品包括了
MPEG LSIs 、AFE 类比、DVD DSPs 、ODD 信号处理器及嵌入式的MCU 。瑞
萨同时更掌握LCD 液晶体电视的新科技，除了生产LCD-TV 的核心系统，也
有各重要部份：影像数据晶片、LCD 时间控制器、LCD 驱动器、M16C 及
H8S 微控制器、驱动器解决方案、订制平台、ASSPs...等。
8.海力士(Hynix)1983年开始运作，目前已经发展成为世界级电子公司，拥
有员工约22,000人，1999年总资产达20万亿。在DRAM存储器领域，Hynix
Semiconductor产量居世界前列。目前，公司经改组之后，核心业务主要集
中于三个部分：半导体、通信和LCD。
9.索尼(Sony)半导体分部是索尼电子公司1995年3月在美国加州圣约瑟市建
立的一个分部，该分部使索尼公司能够对变幻莫测、竞争激烈的美国半导
体市场迅速做出反应，为索尼电子公司发展高附加值的通讯、音频/视频、
计算机应用产品提供后备支持。
10.高通(Qualcomm）公司开发、销售一系列高性能FPGA半导体产品和软件
开发工具。公司原名Peer Research
Inc.，1988年4月由John Birkner,
Andy Chan 和 H.T. Chua创建， 1991年2月改名为QuickLogic公司，同时
发布了它的第一个FPGA产品--
pASIC1系列，并随后开发了基于PC计的开发
工具-- QuickWorks，以其容易使用和有效实用被广泛接受。1995年和1997
年又分别发布了pASIC 2和 pASIC 3两个系列的产品。1998年，QuickLogic
公司发布了一种新的器件，被称为ESP（Embedded Standard Products），
该器件基于QuickLogic公司的核心FPGA技术，结合了标准产品的优点和可
编程器件的灵活机动的特点。目前已发布三个系列的ESP产品，即QuickRAM
系列、QuickPCI系列和 QuickDSP 系列。
QuickLogic公司总部在美国加州，它的半导体产品主要由代工服务商生产
，Cypress Semiconductor主要代为生产采用0.65微米CMOS工艺的pASIC器
件，台湾的TSMC1996年起成为QuickLogic公司的代工服务商。
智东西（公众号：zhidxcom）
作者 | 云鹏
编辑 | 心缘
智东西12月27日消息，今天下午，展锐通过一场发布会正式宣布，展锐第二代5G芯片平台唐古拉T770、唐古拉T760已经实现客户产品量产。
展锐CEO楚庆在开场说道，第二代5G芯片平台实现客户产品量产，体现了展锐在半导体技术和通信技术上的升级，展锐目前已经跻身全球先进技术第一梯队。
展锐CEO楚庆
作为全球首个成功回片的6nm芯片平台，该平台相比第一代，性能最高提升100%以上，集成度提升超100%。同时，第二代5G平台支持5G R16、5G切片等前沿通信技术。
展锐6nm 5G平台实现客户量产，标志着展锐已具备先进制程芯片的研发与商用能力，这表明展锐在研发流程规范、设计能力、产品质量等维度能力均有提升。
楚庆提到，6nm是展锐在先进制程上的开端，展锐已具备足够的技术积累，为下一代产品切入5nm等更先进的半导体技术打下良好基础。
展锐第二代5G平台支持5G R16、5G网络切片等前沿技术，他们率先布局5G R16技术，相关专利申请数量近200项，并已与合作伙伴完成全球首个基于3GPP R16标准的端到端业务验证、IMT-2020（5G）推进组uRLLC关键技术测试等。
展锐5G网络切片方案已完成与国内三大运营商、以及IMT-2020(5G)推进组的技术验证，实现to B和to C两个应用方向的技术验证，证明了展锐5G网络切片方案的优势和5G芯片的互 *** 作性。
展锐第二代5G芯片平台拥有完整5G主平台套片+可选配的5G射频前端套片等十多颗芯片，每颗芯片均已达到量产标准。
其中5G主平台套片包含主芯片、Transceiver、电源管理芯片以及connectivity芯片等7颗芯片；5G射频前端套片包含PA等多颗芯片。
在量产成熟度方面，相比芯片本身的量产，芯片平台实现客户产品量产，具有更高的要求。
客户产品量产意味着芯片平台的产品成熟度和质量都已达到了能够直接面向消费者等最终用户的状态。只有实现客户产品量产，才真正代表芯片平台完全达到了设计目标。
在量产质量方面，展锐第二代5G芯片平台已达到500ppm的行业最高标准。
目前，展锐第二代5G平台已应用在5G智能手机等消费电子领域，其性能、续航、影像、AI等能力的提升，将带给用户带来更好的5G体验和更丰富的智能生活乐趣。
展锐消费电子事业部总经理周晨说：“随着新一代5G芯片平台客户产品量产，展锐5G产品将进入发展快车道。消费电子领域的唐古拉6、7、8、9等多个系列将会齐头并进，接下来每年都会至少有一颗新产品面世。”
同时得益于软件架构升级，展锐在这一系列的产品上都能实现软件方案归一，这将极大的帮助客户缩短产品开发周期，降低软件投入成本。”
在垂直行业领域，展锐第二代5G平台将在工业物联网、移动互联、固定无线接入、车联网、联网PC等场景，赋能工业体系和 社会 各行业的智能化升级。
展锐工业电子事业部总经理黄宇宁说，展锐第二代5G芯片平台，在提供全场景的连接能力之外，还提供较强的智能计算能力。基于该平台非常适合打造一个集连接和计算于一体的AIoT平台。
在叠加多样的 *** 作系统和服务组件等一系列软件栈之后，它可以承载多种行业智慧化应用，也可以作为无人机、智能机器人等新形态智能终端的核心组成部件。
随着第二代5G平台在客户侧的量产，展锐在消费电子、垂直行业等领域都在加速布局5G芯片产品，目前已经跻身全球前五大5G芯片厂商。
正如楚庆自己所说，展锐当下取得的成绩虽然有一定的客观因素存在，但重点还是研发、管理等各方面能力的整体提升所致。后续展锐的重点将是在维持现有市场份额的基础上实现进一步突破。
毫无疑问，随着国内5G市场进一步扩展、智能 汽车 等新兴品类加速发展，整体芯片需求还会进一步提升，展锐能否赢得更多5G芯片市场，我们拭目以待。
IGBT是英文单词Insulated Gate Bipolar Transistor，它的中文意思是绝缘栅双极型晶体管。
从功能上来说，IGBT就是一个电路开关，优点就是用电压控制，饱和压降小，耐压高。用在电压几十到几百伏量级、电流几十到几百安量级的强电上的。而且IGBT不用机械按钮，它是由计算机控制的。
所以有了IGBT这种开关，就可以设计出一类电路，通过计算机控制IGBT，把电源侧的交流电变成给定电压的直流电，或是把各种电变成所需频率的交流电，给负载使用。这类电路统称变换器。
IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见；
IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。
扩展资料；
方法
IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。
虽然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。
导通
IGBT硅片的结构与功率MOSFET 的结构十分相似，主要差异是IGBT增加了P+ 基片和一个N+ 缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分)。其中一个MOSFET驱动两个双极器件。基片的应用在管体的P+和 N+ 区之间创建了一个J1结。
当正栅偏压使栅极下面反演P基区时，一个N沟道形成，同时出现一个电子流，并完全按照功率 MOSFET的方式产生一股电流。如果这个电子流产生的电压在0.7V范围内，那么，J1将处于正向偏压，一些空穴注入N-区内，并调整阴阳极之间的电阻率，这种方式降低了功率导通的总损耗，并启动了第二个电荷流。最后的结果是，在半导体层次内临时出现两种不同的电流拓扑：一个电子流(MOSFET 电流)； 一个空穴电流(双极)。
关断
当在栅极施加一个负偏压或栅压低于门限值时，沟道被禁止，没有空穴注入N-区内。在任何情况下，如果MOSFET电流在开关阶段迅速下降，集电极电流则逐渐降低，这是因为换向开始后，在N层内还存在少数的载流子(少子)。
这种残余电流值(尾流)的降低，完全取决于关断时电荷的密度，而密度又与几种因素有关，如掺杂质的数量和拓扑，层次厚度和温度。少子的衰减使集电极电流具有特征尾流波形，集电极电流引起以下问题：功耗升高；交叉导通问题，特别是在使用续流二极管的设备上，问题更加明显。
鉴于尾流与少子的重组有关，尾流的电流值应与芯片的温度、IC 和VCE密切相关的空穴移动性有密切的关系。因此，根据所达到的温度，降低这种作用在终端设备设计上的电流的不理想效应是可行的。
参考资料：百度百科-IGBT
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