半导体器件生产中所制备的二氧化硅薄膜属于无定型二氧化硅是对还是错

对，二氧化硅膜silicon dioxide Film }i02一种无定形玻璃 状结构的电解质膜，为近程有序网状结构、禁带宽度8.1}}V- 密度2 . 2glcm3。介电系数3.9}折射率1.}iS一1.47。电阻率 llha一1U 5,17.-m:熔点170U}。采用在硅片上热氧化、阳极氧 化、化学气相沉积法制备，是半导体硅器件的优良的表面保护 膜和表f}l钝化膜。

碳化硅薄膜。

近年来，在半导体晶圆制造厂中的半导体晶圆制造流程设备，通常会用到掺杂碳化硅薄膜NitrideDopedSiliconCarbide，简称NDC作为介质阻挡层，其目的在于用介质阻挡层来阻止金属向介质中扩散。

ndc主要针对美国国家药典已有的药，无需做新药论证，只需提供必要的材料进行申请，但要求较严，必须达到美国FDA的各项法规，包括印刷文字及包装，获得美国NDC的药品可在中西药房销售，这类药物在市场获利颇丰，且比申请国家新药NDA花费的时间和成本大大减缩。

半导电薄膜只有半绝缘多晶硅薄膜。

半导体薄膜主要有外延生长的Si单晶薄膜和CVD生长的掺杂多晶硅薄膜、半绝缘多晶硅薄膜。

绝缘体薄膜主要有氧化硅薄膜、氮化硅薄膜等。

金属薄膜主要有Al、Au、NiCr等的薄膜。

工艺中用到的薄膜技术光刻胶薄膜。

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