什么是隧道效应

隧道效应 概述 在两层金属导体之间夹一薄绝缘层，就构成一个电子的隧道结。实验发现电子可以通过隧道结，即电子可以穿过绝缘层，这便是隧道效应。使电子从金属中逸出需要逸出功，这说明金属中电子势能比空气或绝缘层中低．于是电子隧道结对电子的作用可用一个势垒来表示，为了简化运算，把势垒简化成一个一维方势垒。 所谓隧道效应，是指在两片金属间夹有极薄的绝缘层（厚度大约为1nm（10-6mm），如氧化薄膜），当两端施加势能形成势垒V时，导体中有动能E的部分微粒子在E<V的条件下，可以从绝缘层一侧通过势垒V而达到另一侧的物理现象。

不能这么说吧，超导体怎么跑到半导体器件来了？实际上楼上讲的绝缘层电阻极具减小就是因为发生了量子隧道效应吧。一个半导体器件，在与金属接触（或形成PN结）时，如果是重参杂，那么金属与半导体之间的电阻非常小，也不再出现整流效应，因为电子可以依据隧道效应穿透金半接触时的势垒层，这个叫欧姆接触，形成的结也叫隧道结。

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