激子结合能
专业:物理学
激子束缚能
Zinc oxide(ZnO)is an interesting wide band gap(3.3 eV at room temperature)Ⅱ-Ⅵsemiconductor material,which has a much larger exciton binding energy(60 mev)than GaN(~25 meV)and ZnSe(22 meV).
ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体材料,室温宽带隙约为3.3 eV,它的激子束缚能高达60 meV,远大于GaN的25 meV和ZnSe的22 meV。
双语例句
1.
Exciton binding energy as afunction of barrier thicknessLAlGaN.
激子结合能随势垒层厚度LAlGaN的变化。
2.
As the impurity moves to lower interphase of QDs, the binding energy reduces, and the exciton dissociation temperature drops.
随着施主杂质下移,激子结合能减小,激子的离解温度下降。
激子是电子和空穴通过库仑作用形成的,按理讲是不带电的。具体解释激子,可以采取这样的唯象模型来解释:一个带正电的粒子和一个带负电的粒子相互吸引,而形成束缚态粒子——激子。注意,这里的“带正电粒子”应理解为准粒子。而该准粒子,便是空穴。参看叶良修先生的半导体物理下册第十三章。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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