半导体满带和空带间隔

Eg是两个能带之间的带隙宽度，即禁带宽度。

固体按导电能力的大小可以分为金属、半导体和绝缘体

固体中能带被电子填充情况只能有三种：1、空带，即能带中的电子态是空的，没有电子占据；2、满带，即能带中的电子态是满的，完全被电子占据，不存在没有电子的空状态；3、不满带，即能带被电子部分填充。

能带理论指出，如果一个晶体具有不满的能带存在，则该晶体具有导电性，当然在热平衡状态下除外。

下图为金属，半导体和绝缘体三种固体的电子填充能带情况的示意图；在金属中，被电子填充的最高能带是不满的，而且能带中电子密度很高，所有金属有着良好的导电性；对于绝缘体和半导体，在绝对零度（T=0K）时，被电子占据的最高能带是满的，称为满带，该满带上面领近能带是空的，称为空带。满带和空带之间被禁带分开，由于没有不满的能带存在，所有它们不能导电。绝缘体的禁带宽度很宽，即使在温度升高时，电子也很难从满带激发到空带中去，所以绝缘体不导电。

只能回答第1题，没做过ccd本征半导体：你把费米能级画在带隙中央就行了，n型的话把费米能级画在带隙上方靠近导带的地方对于本征半导体，只有热激发的那可怜的一点点电子空穴可以导电，所以电导率很低。n型的话由于杂质带来很多的电子，远远远远地大于本征热激发那部分，因此导电主要靠那些电子，电导率较高，掺得越多(一定限度下)电导率越高。

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