QFN高频芯片测试座的制作方法你了解多少?

QFN高频芯片测试座的制作方法你了解多少?,第1张

技术实现要素:

QFN芯片用高频测试座,包括至少两层相互叠加的测试主体板,及设置于测试主体板上方的导向压板,所述导向压板中部开设有用于容纳QFN芯片的容纳通孔腔,所述测试主体板中部为检测部,且所述检测部设置于所述容纳通孔腔正下方,所述检测部开设有检测孔槽,所述检测孔槽内设置有用于与所述QFN芯片连接的探针,所述探针呈片状设置,上、下层测试主体板上的检测孔槽错位开设,所述探针的两端分别置于不同层的检测孔槽内,QFN芯片底部的触点通过探针与所述测试主体板接触连接。

技术特征:

1.QFN芯片用高频测试座,其特征在于:包括至少两层相互叠加的测试主体板,及设置于测试主体板上方的导向压板,所述导向压板中部开设有用于容纳QFN芯片的容纳通孔腔,所述测试主体板中部为检测部,且所述检测部设置于所述容纳通孔腔正下方,所述检测部开设有检测孔槽,所述检测孔槽内设置有用于与所述QFN芯片连接的探针,所述探针呈片状设置,上、下层测试主体板上的检测孔槽错位开设,所述探针的两端分别置于不同层的检测孔槽内,QFN芯片底部的触点通过探针与所述测试主体板接触连接。

2.如权利要求1所述的QFN芯片用高频测试座,其特征在于:所述检测孔槽设置有四组,且每组检测孔槽由并列开设的多个检测孔槽构成,每个检测孔槽内均设置有探针,相邻检测孔槽组之间相互垂直设置。

3.如权利要求1所述的QFN芯片用高频测试座,其特征在于:所述测试主体板设置有四个端部,且每个端部开设有插接孔,所述导向压板底部设置有导向柱,所述导向压板与所述测试主体板通过导向柱插接连接。

4.如权利要求1所述的QFN芯片用高频测试座,其特征在于:所述测试主体板设置有四层,且相邻测试主体板之间粘结连接。

5.如权利要求4所述的QFN芯片用高频测试座,其特征在于:所述检测孔槽内设置有d性压件,所述d性压件横向设置于所述探针上并与探针抵接,同一组检测孔槽共享有一个d性压件。

6.如权利要求5所述的QFN芯片用高频测试座,其特征在于:所述d性压件为柱形,所述探针包括有定位端及接触端,所述接触端的顶端与QFN芯片的触点接触,所述定位端上设置有弧形。

7.如权利要求6所述的QFN芯片用高频测试座,其特征在于:所述d性压件的下端面嵌压于所述定位端的弧形内,所述d性压件的上端面通过所述导向压板压紧。

8.如权利要求5所述的QFN芯片用高频测试座,其特征在于:所述d性压件为橡胶压棒。

技术总结

QFN芯片用高频测试座,包括至少两层相互叠加的测试主体板,及设置于测试主体板上方的导向压板,导向压板中部开设有用于容纳QFN芯片的容纳通孔腔,测试主体板中部为检测部,且所述检测部设置于所述容纳通孔腔正下方,检测部开设有检测孔槽,所述检测孔槽内设置有用于与所述QFN芯片连接的探针,所述探针呈片状设置,上、下层测试主体板上的检测孔槽错位开设,所述探针的两端分别置于不同层的检测孔槽内,QFN芯片底部的触点通过探针与所述测试主体板接触连接。本发明的有益效果体现在:具有高频信号的传输能力,在保证承载相对大电流的情况下,QNF芯片与电路板之间的高频连接。

4-8小时。半导体老化测试时间4-8小时,半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。老化试验主要是指针对橡胶、塑料产品、电器绝缘材料及其他材料进行的热氧老化试验,或者针对电子零配件、塑化产品的换气老化试验。

姓名:李沈轩    学号:20181214373    学院:广研院 【原文链接】 芯片可靠性介绍 - 知乎 (zhihu.com)【嵌牛导读】本文介绍了芯片的可靠性测试 【嵌牛鼻子】可靠性测试 【嵌牛提问】怎样的芯片算得上好的芯片?什么是芯片的可靠性测试? 【嵌牛正文】 芯片的好坏,主要是由市场,性能和可靠性三要素决定的。首先,在芯片的开发前期,需要对市场进行充分调研,才能定义出符合客户需求的SPEC;其次是性能,IC设计工程师设计出来的电路需要通过designer 仿真,DFT电路验证,实验室样品评估,及样品出货前的FT,才能认为性能符合前期定义的要求;最后是可靠性,由于经过测试的芯片只能保证客户在刚拿到样品的时候是好的,所以还需要进行一系列应力测试,模拟客户端一些严苛使用条件对芯片的冲击,以评估芯片的寿命及可能存在的质量风险。 芯片的使用寿命根据浴盆曲线(Bathtub Curve),分为三个阶段,第一阶段是初期失效: 一个高的失效率。由制造,设计等原因造成。第二阶段是本征失效: 非常低的失效率,由器件的本征失效机制产生。第三个阶段: 击穿失效,一个高的失效率 浴盆曲线可靠性实验就是通过施加应力,绘制出芯片的生命周期曲线,以便客户能在安全的范围内使用。 芯片在不同阶段要做的可靠性如下图所示: 对于新产品的可靠性来说,wafer,封装,包装和量产阶段的可靠性通常由对应的晶圆厂/封测厂把控,与旧产品之间的差异不大。新产品的可靠性需要重点关注的就是成品测试阶段的可靠性实验,下面针对这些可靠性实验进行简单介绍。加速环境应力测试——主要考验产品封装的可靠性 PC(precondition)评估芯片在包装,运输,焊接过程中对温度、湿度冲击的抗性,仅对非封闭的封装(塑封)约束。模拟焊接过程高温产生内部水汽对内部电路的影响,是封装可靠性测试前需要进行的测试。HAST(Highly Accelerated Stress Test)芯片长期存储条件下,高温和时间对器件的影响。仅针对塑封,分为带偏置(hast)和不带偏置uhast的测试,UHAST需要提前PC处理TC(temperature cycling)检测芯片是否会因为热疲劳失效,TC也需要提前PC处理 高低温交替变化下机械应力承受能力,可能导致芯片永久的电气或物理特性变化HTSL(High temperature storage life test)长期存储条件下,高温和时间对器件的影响,HTSL不需要做PC预处理加速寿命模拟测试——主要考验产品电气可靠性 HTOL(High Temperature Operation Life)主要用于评估芯片的寿命和电路可靠性,可以用2种方式进行测试:DFT测试模式和EVA板测试模式。ELFR(early fail)早期寿命失效率,需要的样本量比较大EDR(nonvolatile memory write/erase endurance, data retention and operational life test)非易失性存储器耐久实验,仅针对包含该性能的芯片才需要验证电气特性确认测试——主要考验产品的电气可靠性 HBM(Human-Body Model)模拟人体带电接触器件放电发生的静电放电模型CDM(Charged Device Mode)模拟器件在装配、传递、测试、运输及存储过程中带电器件通过管脚与地接触时,发生对地的静电放电模型LU(latch up)要是针对NMOS、CMOS、双极工艺的集成电路。测试正/反向电流和电源电压过压是否会对芯片产生锁定效应的测试。 任何一颗IC芯片,除了设计,流片,封装测试外,必须进行以上所述的可靠性验证。正常完成一批可靠性实验需要至少两个月的时间,而厂家至少需要测试3批次的可靠性才算将产品可靠性验证完成;此外,可靠性测试很多测试项需要在第三方实验室进行测试,测试板,测试座及测试费用都是一笔不小的开销。因此,可靠性测试可以称得上是一项耗时耗财的大工程。然而,正因为其测试项多,覆盖面广,所以才能保证客户使用的芯片足够可靠。因此,可靠性测试也是芯片生命周期中不可或缺的一部分。


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