温度上升时,半导体电子热运动活动剧烈,能量增加,由价带顶跃迁到导带底所需要的外界能量降低(半导体载流子是由价带顶的空穴和导带底的电子确定的),所以半导体带隙降低,Eg降低。由于ni^2=Nc*Nvexp(-Eg/2K0T),所以Eg越低导致ni^2 越高,由于np = ni^2所以载流子随之升高。最后导致同样电压下,电流变大,反映出的是电阻率变低。
https://zhidao.baidu.com/question/1987779684801752987
我在这里也有较为详细的解释,敬请参考。
谢谢!
以硅为例,在一定的温度范围内,半导体的电阻率随温度的升高,而变小。因为半导体价带上的电子,随着温度的升高,不断地被激发到导带,使载流子的数量增加,其导电性得到不断加强,电阻率变小;当温度上升到一定高度,价带电子的激发到了极限,同时晶格的热振动加剧,对载流子的散射作用也增强。这时,随着温度的进一步升高,半导体的电阻率则反而会增大。半导体随着温度升高,其电阻率是变小的。因为半导体材料的分子一般排列的比较有序,才导致可以用半导体材料做成二极管,具有单向导电性。随着温度的升高,分子排列的无序性变大,导电性能变好。电阻率将会减小。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
评论列表(0条)