在中国大陆芯片代工制造领域，如果将中芯国际称为行业第一，那么华虹半导体可以排名第二。中芯国际与华虹半导体这两家芯片代工厂商，应该说是“中国大陆晶圆代工双巨头”。只不过，与颇受外人注目的中芯国际比较起来，华虹半导体的“存在感”确实要低一些。 作为中国大陆最大的特色工艺制程芯片代工厂，也是最大的功率器件代工厂，华虹半导体同样被业界视为一家具市场风向标的厂商。
华虹半导体是由华虹NEC与宏力半导体在2011年合并而来。华虹NEC成立于1997年，曾经主要是为NEC（日本电气）开发、制造及销售DRAM晶圆。2003年，华虹集团从NEC收回华虹NEC合资厂经营管理权，逐步停止 DRAM生产，并开始从事芯片代工制造业务。而上海宏力半导体于2000年底成立，主要从事计算机芯片、独立NOR闪存、eFlash、 汽车 发动机控制器等产品制造。2011年12月，华虹NEC与宏力半导体合并，2013年10月，集团完成重组，构成了如今的华虹半导体。
简单来说，华虹半导体聚焦于半导体特色工艺制程，主要工艺技术包括嵌入式非易失性存储器、逻辑及射频、分立器件、模拟及电源管理、独立非易失性存储器，广泛应用于电子消费品、通讯、计算机、工业及 汽车 市场。在实际应用中，处理器芯片和存储芯片遵循摩尔定律，需要用到先进制程工艺，但是射频、功率、传感器、模拟等器件则通过特色工艺制程进行生产。与先进逻辑制程工艺相比，特色工艺制程具备非尺寸依赖，工艺相对成熟，所需资本支出低，产品研发投入低等特点，同时产品生命周期也更长，种类更多。
1，华虹半导体交出了一份亮眼的半年报业绩，无锡厂表现出色
当前，全球芯片缺货涨价不断发酵，多家半导体大厂相继发布“创新高”的财务业绩。继中芯国际之后，华虹半导体也于8月12日交出了2021年上半年业绩。据公司发布财报显示，2021年上半，华虹半导体的营收达6.51亿美元，较2020年上半年增长52.0%；净利润7714万美元，较2020年上半年增长102.3%。其中，在2021年第一、第二季度，华虹的收入分别为3.05亿美元、3.46亿美元。同时，公司公布了2021年第三季度指引，预计收入约4.10亿美元左右，有望再次创造单个季度收入新高。营收和净利润双双高增长，华虹可谓是迎来了半导体行业的“高光时刻”。
目前，在上海金桥和张江，华虹半导体建有三座8英寸晶圆代工厂（上海一厂、二厂和三厂），总产能已达到18万片/月。其中，一厂和二厂的产能分别为6.5万片/月和6万片/月；三厂的产能为5.3万片/月，估计后续还能增加1~2万片/月的产能。值得补充的是，位于上海的一厂、二厂和三厂，由华虹半导体全资控股。一厂和二厂的工艺节点为1μm -95nm，主产智能卡、模拟器件、电源管理、功率器件和传感器等；三厂的工艺节点为0.25μm~90nm，主要产品包括微控制器、智能卡、消费电子产品和传感器等。至2021年第二季度，华虹半导体上海一厂、二厂和三厂的营收创出 历史 新高，为2.62亿美元，占该季度营收的75.7%。
华虹总裁兼执行董事唐均君表示："对于三条8英寸生产线来说，本季度也是有史以来最好的一个季度。8英寸平台营业收入创下2.62亿美元的 历史 最高。得益于平均销售价格的提高和生产线效能提升，8英寸毛利率从2021年第一季度的27.3%提高到31.6%。贡献净利润5130万美元，占总收入的19.6%。我们将把握机遇，继续做优8英寸生产线的工艺平台，8英寸生产线效益前景仍然看好。"
此外，华虹半导体还在无锡设有一座12英寸晶圆代工厂，工艺节点90nm及以下，当前主要产品为闪存、功率器件和CIS图像传感器等。公开信息显示，无锡厂由华虹半导体、国家集成电路产业基金、无锡地方政府设立的投资公司三方共同投资建设，华虹半导体目前合计持股51%。而华虹无锡基地总投资达100亿美元，占地约700亩。
截至2021年5月时，华虹无锡12英寸厂的产能已达4.8万片/月，预计2021年底可望扩充至6.5万片/月。 东方证券在近期的一份报告中认为，无锡厂在2022年中有望扩产至8万片/月左右，成为中国大陆地区领先的12英寸特色工艺生产线，也是中国大陆地区第一条12英寸功率器件代工生产线。东方证券称，如果按照12英寸片平均销售价格（ASP）1000~1200美元计算，那么当华虹无锡的产能达8万片/月后，可贡献9.6~11.5亿美元收入。从业务体量上而言，相当于再造一个华虹。报告还提到，在未来，当无锡基地项目完全建成后，华虹在无锡可望拥有三条12英寸生产线，总产能可能高达20万片/月。 而华虹无锡厂的产能迅速爬升，同样显见于公司此次发布的财报。2021年第二季度，华虹无锡七厂在营收中贡献占比24.3%。而2020年第二季度，该数字仅为4.2%。
在此次业绩说明会上，唐均君称："华虹无锡12英寸生产线第二季度营收达到8400万美元，同比增长786.8%，环比增加54.0%，息税折摊前利润2990万美元，较上季度增长208.3%。截至今年5月份，12英寸生产线月产能已达到4.8万片，产能利用满载。我们将稳步实现于今年年底达到6.5万片的月生产能力。公司还将继续加大投入，进一步扩大产能，不断优化工艺布局，与产业链一起发展壮大。"
“无锡厂爬产非常快，大部分增长都是来自无锡。”唐均君表示，华虹无锡12英寸晶圆厂和上海三家8英寸晶圆厂的ASP均有所提升，并且预计ASP将继续提升。“每个季度8英寸和12英寸晶圆厂的ASP都会有3~5%的提升，有望每年带来超10%的ASP增长，且还会持续增加。”也正因此，华虹表示持续看好2021年第三季度业绩，预估收入可达4.10亿美元左右，毛利率将介于25~27%。
值得一提的是，此前中芯国际联席CEO赵海军也表示，因产能扩建以及交货速度慢，供不应求的状况至少将持续到年底或者2022年上半年，并预告2021年第三、第四季度的价格仍可能继续往上走。华虹此次在业绩说明会上，唐均君同样表示，2021年下半年单价每季预计将增长3~5%，8英寸和12英寸单价情况保持乐观。在此之前，包括三星电子、联电在内的芯片代工厂商也已预告2021年下半年涨价的动作，业界预期接下来的第三季度晶圆代工价格有望进一步提升。
2，产能扩产加速，设备更需先行，华虹称愿意支持并导入国产半导体设备
芯片厂代工的价格季季涨，是因为整个半导体市场供需失衡不断发酵。据市场分析机构海纳国际集团最新数据显示，2021年7月芯片交货期较前一个月增加了8天以上，达到20.2周，是公司自2017年开始跟踪该数据以来最长的等待时间。 若以此来看，全球芯片短缺问题正在持续恶化。
因而，各家晶圆代工厂纷纷下场抛出产能扩充计划。全球第一大芯片代工厂台积电已经宣布，公司未来三年投入1000亿美元，今年资本开支提升至300亿美元；联电公布35.8亿美元投资案，扩充南科12英寸厂；三星将在2030年前增加对System LSI和Foundry业务领域的投资，投资总额扩大至约1516亿美元；英特尔宣布多项扩产项目，计划在美国亚利桑那州投资约200亿美元新建两座晶圆厂；中芯国际计划，今年12英寸产线的月产能扩产1万片，8英寸产线的月产能扩产不少于4.5万片；安世半导体称未来12~15个月内投资7亿美元，扩大欧洲和亚洲产能；格芯宣布在新加坡园区建设新晶圆厂，扩大全球制造规模。
而华虹也于本次业绩说明会上也已透露，无锡12英寸晶圆厂在今年底达成6.5万片的月产能目标后，下一步的规划是将整个一期的清洁室填满，月产能达到9~9.5万片，预计在明年年底进行设备导入。 “这部分产能一旦形成，产能利用率将很快填满。” 唐均君还称，华虹在无锡有一大块土地，可能会在无锡建造三家类似的晶圆厂，如果需求持续会继续扩建厂房。唐均君表示，无锡12英寸厂在2022年一季度和二季度产能将比今年有两位数增长，不过扩产进程还要受到半导体设备影响，“目前市场上扩产项目很多，设备交期较长，扩产进度主要是设备交期问题，如果设备交期短一点，扩产进度会更快一些。”
事实上，在各大晶圆厂来势汹汹的扩产动作下，作为扩产计划中最大一笔支出，半导体设备俨然成为了“香饽饽”，众厂追抢，但跟随整个产业链缺货脚步，上游设备厂商同样陷入缺料困境。 举例来说，全球芯片检测设备龙头爱德万（Advantest）测试设备所需的芯片采购愈发困难，平常设备交期为3~4个月，现在已延长至约6个月时间。此前国内半导体设备商芯源微也公告，公司“高端晶圆处理设备研发中心项目”所需的部分进口设备和材料无法正常、及时供应，该项目的设备采购以及安装调试工作有所延缓，研发项目开展情况不及预期，公司拟将该项目达到预定可使用状态时间调整至2022年3月31日。 再则，上游材料也同样告急。 例如，此前市场消息称，由于KrF光刻胶产能受限以及全球晶圆厂积极扩产等，占据全球光刻胶市场份额超两成的日本供应商信越化学已经向国内多家一线晶圆厂限制供货KrF光刻胶，且已通知更小规模晶圆厂停止供货KrF光刻胶。
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从海外企业22Q4业绩及走势研判半导体投资主线
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发现牛股088
2023-01-30 20:38 · 江苏
中国春节假期期间（2023年1月23-28日），标普500指数涨幅2.47%，费城半导体指数涨幅5.39%，在半导体行业需求复苏预期逐渐明朗下，行业β属性凸显。2022年10月至今，费城半导体指数收盘价涨幅在10.28%，而费半指数的抬升对国内半导体行业具备前瞻指引意义，春节假期期间部分重点企业涨幅亮眼（英伟达+14.16%；安森美+11.18%；美光+9/25%；Qorvo+9%；高通+8.54%；NXP+7.74%等），我们认为对于半导体行业景气度下行的悲观情绪已于22年基本消化完全，我们将在后续章节通过对部分海外重点企业CY22Q4的业绩复盘及各公司对未来行业预测的观点研判新一轮周期下半导体行业投资主线。
国产化仍然是国内半导体设备产业发展的主旋律。从国内招投标的角度来看，当前时间点去胶、清洗、刻蚀、CMP抛光等环节的设备已经稳扎稳打迈入30%以上的国产化率区间，而薄膜沉积、炉管、量测类设备国产化率较低，光刻机、离子注入等环节国内半导体设备企业中标率则处于非常低的阶段。
ASML：美国持续游说荷兰和日本加入封锁中国半导体技术的行列。ASML认为2023年仍是强劲成长的一年，预计营收将比2022年成长25%。由于客户认为ASML的机台交货时间将长于产业潜在衰退时间，客户以“23H1行业有望步入复苏并于2024年开始好转”的期待，叠加ASML的光刻机具战略性质，因此并未取消订单。半导体出口管制方面，美国持续游说荷兰和日本加入封锁中国半导体技术的行列。公司认为美国在半导体领域对中国的出口管制已经伤害了芯片产业，如果美国持续不让中国买到所需的非中国制机台设备，中国最终将会自行开发出所需要的设备，只是时间长短问题。
需求复苏主线：半导体行业周期或将于2023H1到达底部。
台积电：公司预计半导体行业周期或将于2023H1到达底部，并于2023H2开始复苏。公司法说会表示，2022年下半年半导体产业链库存已现抑制势头，但由于消费电子、PC、数据中心等下游需求疲软，预计半导体行业周期或将于2023H1到达底部，并于2023年下半年开始复苏。
TI：公司预计23Q1除汽车下游外其他市场业绩降幅超过季节性降幅，但整体环比降幅将有所收窄。22Q4公司实现营业收入47亿美元，环比11%，同比-3%，主要归因于除汽车下游应用外其他终端市场需求疲软，客户处于清库阶段。按下游应用拆分，工业领域下跌约10%，汽车领域上涨了中等个位数，消费电子普遍疲软，-15%左右，通信设备下降了约20%，企业系统下降了约20%。公司认为目前中国市场尚未有消费电子复苏的迹象出现，22Q4整体砍单情况有所增加。展望23Q1，需求端，对于23Q1公司预计除汽车行业外，其他市场业绩的降幅将超过季节性带来的降幅。
ST：车用和能源相关B-to-B工控需求保持强劲，相关产品23年产能已售罄。公司22Q4超预期部分主要来自汽车和分立器件部门及微控制器和数字IC部门。终端需求方面，车用和能源相关B-to-B工控需求保持强劲，相关产品23年产能已售罄，消费类需求仍然较弱。
Wolfspeed业绩短期承压，电力电子碳化硅长期景气度未变
WolfSpeed FY23Q2为全年收入低点，随着良率问题逐步消化，收入将于下个季度回归正常轨道。管理层认为FY23Q2业绩为全年收入低点。公司22Q4实现收入2.16亿美元，环比-10%，同比+25%，毛利率在33.6%，环比-2.0pct。管理层认为Q2为全年收入低点，随着良率问题逐步消化，收入将于下个季度回归正常轨道，预计下个季度收入区间为2.1-2.3亿美元。
投资建议：新一轮周期引领优质赛道标的价值重估，半导体行业兼具周期与成长属性，投资机遇交叠出现，新一轮周期前期布局需更为精细，寻找业绩确定与预期改善赛道。（1）把握半导体周期回暖预期下优质IC设计企业布局机会：内忧外患下国内半导体指数多次调整，后续有望开启新一轮景气周期，IC设计优质标的包括圣邦股份/卓胜微等将有望脱颖而出。（2）低渗透率新技术驱动：电力电子SiC性能优势体现，汽车电动化浪潮下需求走强，行业供不应求景气持续并为国产厂商提供成长窗口，关注三安光电/天岳先进前瞻布局化合物半导体，产业链优质标的有望在激增需求下获得崭新业绩增长空间，其中三安光电新技术驱动及需求复苏逻辑兼具。（3）半导体设备：景气度短期承压，2023配置机会依旧值得看好：未来1-2个季度，国内半导体设备行业受下游景气度、美国BIS限制影响，业绩或将出现短暂承压；展望2023年，半导体设备行业或将在晶圆厂国产化率持续提升、支持政策落地、消费复苏等多方面因素的驱动下预期转暖，行业有望重新获得配置机会。
投资评级：看好
风险因素：半导体国产替代进程不及预期；下游需求复苏进程不及预期。
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段永平：著名企业家，小霸王品牌缔造者， 步步高创始人，vivo和OPPO 联合创始人，网易丁磊生命中的贵人，拼多多黄峥的人生导师。他同时也是著名投资人，早期投资网易获100倍以上回报，目前重仓茅台、苹果等优质公司
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收评
02-09
【两市超4200收涨，三大股指均涨超1%；北向资金卷土重来，大手笔买入超120亿；半导体芯片板块领涨两市，东数西算、国防军工、白酒涨幅居前；ChatGPT概念走势分化】 截至收盘，沪指涨1.18%，深成指涨1.64%，创业板指涨跌1.74%。两市全天成交9011亿，个股涨多跌少，超4200股收涨。北向资金净买入121亿。
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02-09
【北向资金半日净买入超74亿，沪指涨0.62%；光通信、东数西算、钙钛矿电池题材活跃；ChatGPT概念分化；白酒、军工、半导体涨幅居前】 白酒、军工、半导体涨幅居前，光通信、东数西算、钙钛矿电池题材活跃；ChatGPT概念分化。截至收盘，沪指涨0.62%，深成指涨0.86%，创指涨0.78%。两市半日成交额超5000亿，北向资金净流入超74亿，个股涨多跌少，超3200家上涨。
盘前必读
02-09
太火爆：赵诣新基紧急暂停申购，刚开放一天！黄燕铭：2023年牛市“跟消费谈恋爱 跟科技结婚” 一、要闻汇总 1、近日，网传消息称，七家国企航司近期将停止低价投放，对上述承运人份额超65%的航线(全国约2000条，部分航线将加入海航)做限价。有航司内部人士表示，有相关类似调价的举措，但细节并不清楚。中国民航局方面则表示，民航局没有向航司提出过这样的要求。（澎湃新闻）
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盘中保本出了中青宝，卖了就拉直线，卖飞了4.5%。越想越不甘心，中午临时研究了一下chat，挑了个“含chat量”最高的PCB，下午开盘前挂了单子追高买，收盘赚了6.3%。
这个得归功于我对规则的熟悉，这票中午收盘是15.76，当时已经在拉直线了，我知道买入规则，盘中挂单买入最...
省心省力509评
说人类（或者某项工作）会被机器（蒸汽机、电脑、互联网、搜索引擎、Chat GPT）替代，无非道出了这个工作只是机械重复的事实。
不明真相的群众498评
为什么又是美国人搞出了ChatGPT？
洪福的投资笔记299评
2023-02-08功课
兔BUG666217评
大家有什么问题？我可以问一下ChatGPT。。。
阿企216评
迪丽热巴长得其实很普通的高加索长相，不知道为啥要尬吹成顶颜明星。气质也非常一般。
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你知道现在的1万块是过去的多少钱吗?
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1988 年:63 块钱
1998年:620块钱
2008 年:2700 块钱
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陈达美股投资201评
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今天在跟一位朋友聊天中了解到，他本月已经亏损23个点了，
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好习惯终生受用156评
大英，还是人类文明的探照灯和先锋。。
阿企150评
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陈达美股投资134评
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（1）热敏性 半导体材料的电阻率与温度有密切的关系。温度升高，半导体的电阻率会明显变小。例如纯锗（Ge），温度每升高10度，其电阻率就会减少到原来的一半。（2）光电特性 很多半导体材料对光十分敏感，无光照时，不易导电；受到光照时，就变的容易导电了。例如，常用的硫化镉半导体光敏电阻，在无光照时电阻高达几十兆欧，受到光照时电阻会减小到几十千欧。半导体受光照后电阻明显变小的现象称为“光导电”。利用光导电特性制作的光电器件还有光电二极管和光电三极管等。
近年来广泛使用着一种半导体发光器件--发光二极管，它通过电流时能够发光，把电能直接转成光能。目前已制作出发黄，绿，红，蓝几色的发光二极管，以及发出不可见光红外线的发光二极管。
另一种常见的光电转换器件是硅光电池，它可以把光能直接转换成电能，是一种方便的而清洁的能源。
（3）搀杂特性 纯净的半导体材料电阻率很高，但掺入极微量的“杂质”元素后，其导电能力会发生极为显著的变化。例如，纯硅的电阻率为214×1000欧姆/厘米，若掺入百万分之一的硼元素，电阻率就会减小到0.4欧姆/厘米。因此，人们可以给半导体掺入微量的某种特定的杂质元素，精确控制它的导电能力，用以制作各种各样的半导体器件
半导体的导电性能比导体差而比绝缘体强。实际上，半导体与导体、绝缘体的区别在不仅在于导电能力的不同，更重要的是半导体具有独特的性能（特性）。
1． 在纯净的半导体中适当地掺入一定种类的极微量的杂质，半导体的导电性能就会成百万倍的增加—-这是半导体最显著、最突出的特性。例如，晶体管就是利用这种特性制成的。
2． 当环境温度升高一些时，半导体的导电能力就显著地增加；当环境温度下降一些时，半导体的导电能力就显著地下降。这种特性称为“热敏”，热敏电阻就是利用半导体的这种特性制成的。
3． 当有光线照射在某些半导体时，这些半导体就像导体一样，导电能力很强；当没有光线照射时，这些半导体就像绝缘体一样不导电，这种特性称为“光敏”。例如，用作自动化控制用的“光电二极管”、“光电三极管”和光敏电阻等，就是利用半导体的光敏特性制成的。
由此可见，温度和光照对晶体管的影响很大。因此，晶体管不能放在高温和强烈的光照环境中。在晶体管表面涂上一层黑漆也是为了防止光照对它的影响。最后，明确一个基本概验：所谓半导体材料，是一种晶体结构的材料，故“半导体”又叫“晶体”。
P性半导体和N型半导体----前面讲过，在纯净的半导体中加入一定类型的微量杂质，能使半导体的导电能力成百万倍的增加。加入了杂质的半导体可以分为两种类型：一种杂质加到半导体中去后，在半导体中会产生大量的带负电荷的自由电子，这种半导体叫做“N型半导体”（也叫“电子型半导体”）；另一种杂质加到半导体中后，会产生大量带正电荷的“空穴”，这种半导体叫“P型半导体”（也叫“空穴型半导体”）。例如，在纯净的半导体锗中，加入微量的杂质锑，就能形成N型半导体。同样，如果在纯净的锗中，加入微量的杂质铟，就形成P型半导体。
一个PN结构成晶体二极管----设法把P型半导体（有大量的带正电荷的空穴）和N型半导体（有大量的带负电荷的自由电子）结合在一起，见图1所示。
图1
在P型半导体的N型半导体相结合的地方，就会形成一个特殊的薄层，这个特殊的薄层就叫“PN结”。晶体二极管实际上就是由一个PN结构成的（见图1）。
例如，收音机中应用的晶体二极管，其触丝（即触针）部分相当于P型半导体，N型锗片就是N型半导体，他们之间的接触面就是PN结。P端（或P端引出线）叫晶体二极管的正端（也称正极）。N端（或N端引出线）叫晶体二极管的负端（也称负极）。
如果像图2那样，把正端连接电池的正极，把负端接电池的负极，这是PN结的电阻值就小到只有几百欧姆了。因此，通过PN结的电流（I=U/R）就很大。这样的连接方法（图2a）叫“正向连接”。正向连接时，晶体管二极管（或PN结）两端承受的电压叫“正向电压”；处在正向电压下，二极管（或PN结）的电阻叫“正向电阻”，在正向电压下，通过二极管（或PN结）的电流叫“正向电流”。很明显，因为晶体二极管的正向电阻很小（几百欧姆），在一定正向电压下，正向电流（I=U/R）就会很大----这表明在正向电压下，二极管（或PN结）具有像导体一样的导电本领。
图2a 图2b
反过来，如果把P端接到电池的负极，N端接到电池的正极（见图2b）。这时PN结的电阻很大（大到几百千殴），电流（I=U/R）几乎不能通过二极管，或者说通过的电流很微弱。这样的连接方法叫“反向连接”。反向连接时，晶体管二极管（或PN结）两端承受的电压叫“反向电压”；处在反向电压下，二极管（或PN结）的电阻叫“反向电阻”，在反向电压下，通过二极管（或PN结）的电流叫“反向电流”。显然，因为晶体二极管的正向电阻很大（几百千欧姆），在一定的反向电压下，正向电流（I=U/R）就会很小，甚至可以忽略不计，----这表明在一定的反向电压下，二极管（或PN结）几乎不导电。
上叙实验说明这样一个结论：晶体二极管（或PN结）具有单向导电特性。
晶体二极管用字母“D”代表，在电路中常用图3的符号表示，即表示电流（正电荷）只能顺着箭头方向流动，而不能逆着箭头方向流动。图3是常用的晶体二极管的外形及符号。
图3
利用二极管的单向导电性可以用来整流（将交流电变成直流电）和检波（从高频或中频电信号取出音频信号）以及变频（如把高频变成固定的中频465千周）等。
PN结的极间电容----PN结的P型和N型两快半导体之间构成一个电容量很小的电容，叫做“极间电容”（如图4所示）。由于电容抗随频率的增高而减小。所以，PN结工作于高频时，高频信号容易被极间电容或反馈而影响PN结的工作。但在直流或低频下工作时，极间电容对直流和低频的阻抗很大，故一般不会影响PN结的工作性能。PN结的面积越大，极间电容量越大，影响也约大，这就是面接触型二极管（如整流二极管）和低频三极管不能用于高频工作的原因
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