半导体和绝缘体禁带宽度范围

绝缘体的禁带宽度：绝缘体的禁带宽度比较大（6~7ev），而半导体的禁带宽度通常在1ev左右，例如300K下，Si的Eg 1.12ev，Ge 0.67ev，GaAs 1.43ev,当外界条件变化的时候，里面的电子会获得能量，获得能量之后，满带中少量电子，跃迁到上一个空带的底部附近，所以满带中的电子和原先空带中的少量电子都参与导电，所以常温下具有一定的导电能力，通常把满带中，少量电子跃迁后，剩余的大量电子对电流的贡献，用少量的带正电的准粒子加以等效描述，称为空穴。

问题问的不对

N型和P型禁带宽度可能一样，也可能不一样

半导体的禁带宽度是针对不同半导体材料而言的（不是掺杂类型），相同的半导体材料不论什么类型掺杂，其禁带宽度都是一定的。

不同材料的半导体之间才有禁带宽度的不同。

Si：1.12ev

Ge：0.67ev

GaN:3.34ev

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