本征载流子浓度ni是多少

本征载流子浓度ni=1.5*10*10cm-3

没有添加任何杂质到半导体材料里面的半导体就称为本征半导体。温度高于绝对零度后，本征半导体的导带和价带中就有部分电子或空穴。

n：代表导电带中电子的浓度； P：代表价电带中空穴的浓度。

定义：ni为本征载子浓度对于本征半导体而言，n=p=ni

对给定的某一个半导体，只要在某一个固定的温度下，那么这个半导体里面导电带里的电子浓度n与价电带里的空穴浓度p的乘积是某个固定常数，即乘积为定值，上述式子称为质量作用定律。

本征导电

在绝对零度温度下，半导体的价带（valence band）是满带（见能带理论）

，受到光电注入或热激发后，价带中的部分电子会越过禁带（forbidden band/band gap）进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带（conduction band），价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴（hole），导带中的电子和价带中的空穴合称为电子－空穴对。上述产生的电子和空穴均能自由移动，成为自由载流子（free carrier），它们在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流，分别称为电子导电和空穴导电。在本征半导体中，这两种载流子的浓度是相等的。随着温度的升高，其浓度基本上是按指数规律增长的。

复合

导带中的电子会落入空穴，使电子－空穴对消失，称为复合（recombination）。复合时产生的能量以电磁辐射（发射光子photon）或晶格热振动（发射声子phonon）的形式释放。在一定温度下，电子－空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时本征半导体具有一定的载流子浓度，从而具有一定的电导率。加热或光照会使半导体发生热激发或光激发，从而产生更多的电子－空穴对，这时载流子浓度增加，电导率增加。半导体热敏电阻和光敏电阻等半导体器件就是根据此原理制成的。常温下本征半导体的电导率较小，载流子浓度对温度变化敏感，所以很难对半导体特性进行控制，因此实际应用不多。

特点

本征半导体特点：电子浓度=空穴浓度（掺杂的半导体，在一定条件下（例如高温下）也可以具有本征半导体特点。）

缺点

缺点：载流子少，导电性差，温度稳定性差！

本征半导体(intrinsic semiconductor)是完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体.

特点：电子浓度＝空穴浓度,载流子少,导电性差,温度稳定性差,所以,实际上少用,要掺杂后才实用.

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