聚晶金刚石减薄方法

主权利要求:1.一种基于纳米金刚石颗粒的大规模芯片减薄方法,包括以下步骤:1)根据芯片的尺寸及形状在芯片托盘上加工出芯片槽,然后将待减薄的芯片粘结到芯片槽中2)将芯片托盘的底面黏附于陶瓷盘上3)制备聚晶、类球状纳米金刚石颗粒,并通过输送管道输送金刚石颗粒到薄盘上,并使其均匀布满在减薄盘4)将黏附了芯片托盘的陶瓷盘安放到减薄盘上,其中芯片朝下与金刚石颗粒接触,然后在陶瓷盘上施加均布载荷,并调整减薄盘和陶瓷盘的旋转速度,通过金刚石颗粒研磨芯片来进行减薄,具体采用等级递进流水线式减薄方式:即根据对减薄速度和减薄后芯片质量的要求,依次选择从大到小不同粒径的金刚石颗粒进行渐进式减薄5)除去陶瓷盘和芯片托盘之间的粘结剂,将芯片托盘加热,使芯片与托盘分离,再用中性有机溶剂清洗芯片,并将芯片转移。 2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,在步骤4)利用粒径分布在2000nm至1nm范围内的多种不同粒径的金刚石颗粒,按颗粒粒径从大到小的顺序依次对芯片进行减薄,最后减薄采用的金刚石颗粒的粒径为40-200nm和/或1-40nm。 3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,在步骤4)选择如下a至f中的两个或更多个步骤按金刚石颗粒粒径从大到小的顺序进行渐进式芯片减薄:a:将陶瓷盘安放在一号减薄盘上并施加均布载荷,一号减薄盘上的金刚石颗粒的粒径在1250-2000nm,减薄芯片厚度至一定厚度b:将陶瓷盘移动至二号减薄盘上并施加均布载荷,二号减薄盘上的金刚石颗粒的粒径为1000-1250nm,减薄芯片厚度至一定厚度c:将陶瓷盘移动至三号减薄盘上并施加均布载荷,三号减薄盘上的金刚石颗粒的粒径为800-1000nm,减薄芯片厚度至一定厚度d:将陶瓷盘移动至四号减薄盘上并施加均布载荷,四号减薄盘上的金刚石颗粒的粒径为500-800nm,减薄芯片厚度至一定厚度e:将陶瓷盘移动至五号减薄盘上并施加均布载荷,五号减薄盘上的金刚石颗粒的粒径为40-200nm,减薄芯片厚度至一定厚度f:将陶瓷盘移动至六号减薄盘上并施加均布载荷,六号减薄盘上的金刚石颗粒的粒径为1-40nm,减薄芯片厚度至一定厚度。

用水力带动的磨盘服务。

水磨，汉语词语，拼音是shuǐ mò，意思是利用水力带动的磨。

1.一种古老的磨面粉工具，主要由上下扇磨盘、转轴、水轮盘、支架构成。上磨盘悬吊于支架上，下磨盘安装在转轴上，转轴另一端装有水轮盘，以水的势能冲转水轮盘，从而带动下磨盘的转动。

磨盘多用坚硬的石块制作，上下磨盘上刻有相反的螺旋纹，通过下磨盘的转动，达到粉碎谷物的目的。

2.加水精细打磨。水磨是中国古代劳动人民智慧的结晶。

3.利用水力带动的磨。多用以磨面粉。

研磨盘是半导体行业中超大规模集成电路用硅片生产的重要工艺装备。通常使用的铸铁或碳钢研磨盘其使用寿命低，热膨胀系数大。

在加工硅片过程中，特别是高速研磨或抛光时，由于研磨盘的磨损和热变形，使硅片的平面度和平行度难以保证。采用碳化硅陶瓷的研磨盘由于硬度高研磨盘的磨损小，且热膨胀系数与硅片基本相同因而可以高速研磨、抛光。

特别是近几年来的硅片尺寸越来越大，对硅片研磨的质量和效率提出了更高的要求。碳化硅陶瓷研磨盘的使用将使硅片研磨的质量和效率有很大的提高。同时碳化硅陶瓷研磨盘还可用于研磨、抛光其它材料的片状或块状物体的平面。

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