计算机的发展经历哪几个阶段,各阶段的主要特征是什么

电子计算机的发展已经历了四代，正向第五代智能化的计算机发展。

第一代是电子管计算机时代，从1946－－1958年左右。这代计算机因采用电子管而体积大，耗电多，运算速度低，存储容量小，可靠性差；

第二代是晶体管时代，约为1958－－1964年。这代计算机比第一代计算机的性能提高了数10倍，软件配置开始出现，一些高级程序设计语言相继问世，外围设备也由几种增加到数十种。除科学计算而外，开始了数据处理和工业控制等应用；

第三代是集成电路（IC）计算机时代。约从1964－－1970年。主要由中、小规模集成电路组成。其电路器件是在一块几平方毫米的芯片上集成了几十个到几百个电子元件，使计算机的体积和耗电显著减少，计算速度、存储容量、可靠性有较大的提高，有了 *** 作系统，机种多样化、系列化并和通讯技术结合，使计算机应用进入许多科学技术领域；

第四代便是大规模（LSI）电路计算机时代。从70年代到现在。大规模集成电路是在一块几平方毫米的半导体芯片上可以集成上千万到十万个电子元件，使得计算机体积更小，耗电更少，运算速度提高到每秒几百万次，计算机可靠性也进一步提高。

目前计算机技术已经在巨型化、微型化、网络化和人工智能化等几个得到了很大的发展.

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9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的区别

9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-80

9012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管 放大倍数30-90

9013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管 放大倍数40-110

9014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-90

8050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-100

8550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140

详情如下：

90系列三极管参数

90系列三极管大多是以90字为开头的，但也有以ST90、C或A90、S90、SS90、UTC90开头的，它们的特性及管脚排列都是一样的。

9011 结构：NPN

集电极-发射极电压 30V

集电极-基电压 50V

射极-基极电压 5V

集电极电流 0.03A

耗散功率 0.4W

结温 150℃

特怔频率 平均 370MHZ

放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198

9012 结构：PNP

集电极-发射极电压 -30V

集电极-基电压 -40V

射极-基极电压 -5V

集电极电流 0.5A

耗散功率 0.625W

结温 150℃

特怔频率 最小 150MHZ

放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300

9013 结构：NPN

集电极-发射极电压 25V

集电极-基电压 45V

射极-基极电压 5V

集电极电流 0.5A

耗散功率 0.625W

结温 150℃

特怔频率 最小 150MHZ

放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300

9014 结构：NPN

集电极-发射极电压 45V

集电极-基电压 50V

射极-基极电压 5V

集电极电流 0.1A

耗散功率 0.4W

结温 150℃

特怔频率 最小 150MHZ

放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-1000

9015 结构：PNP

集电极-发射极电压 -45V

集电极-基电压 -50V

射极-基极电压 -5V

集电极电流 0.1A

耗散功率 0.45W

结温 150℃

特怔频率 平均 300MHZ

放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-1000

9016 结构：NPN

集电极-发射极电压 20V

集电极-基电压 30V

射极-基极电压 5V

集电极电流 0.025A

耗散功率 0.4W

结温 150℃

特怔频率 平均 620MHZ

放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198

9018 结构：NPN

集电极-发射极电压 15V

集电极-基电压 30V

射极-基极电压 5V

集电极电流 0.05A

耗散功率 0.4W

结温 150℃

特怔频率 平均 620MHZ

放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198

三极管8550

8550是一种常用的普通三极管。

它是一种低电压,大电流,小信号的PNP型硅三极管

集电极-基极电压Vcbo：-40V

工作温度：-55℃ to +150℃

和8050（NPN）相对

主要用途：

开关应用

射频放大

三极管8050

8050是常用的NPN小功率三级管，下面是的8050引脚图参数资料。

<8050管脚图>

8050三级管参数:类型:开关型极性:NPN材料:硅最大集存器电流(A):0.5 A直流电增益:10 to 60功耗:625 mW最大集存器发射电（VCEO）:25频率:150 KHz

PE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W

3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K

2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K

MC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz

CS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K

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