为什么半导体材料多采用硅而不是其他？

一、解析原因

这与硅本身的原子结构等物理特性有关。一般来说，常温下导电能力很强的物体称为导体，导电能力很弱的物体称为绝缘体，导电能力介于导体与绝缘体之间的称为半导体，硅、锗、砷化镓等物体的导电能力介于导体与绝缘体之间，故称为半导体。（并不像一楼说的硅长得像金属又不是金属所以叫半导体。。囧。。，石墨不是金属但导电能力很强所以也是导体。。）

在半导体中掺入适量杂质（如硼、磷等），可大大提高半导体的导电能力，称为掺杂半导体（不掺入任何杂质的半导体称为本征半导体），现在所用的电子元件中绝大多数（甚至全部）都是掺杂半导体

二、补充说明

1、

常温下，

单质硅有两种同素异形体，

一种为暗棕色无定形粉末，

可用镁使二氧化硅还原

而得，性质比较活泼，能够在空气中燃烧，称为无定形硅；另一种为性质稳定的结晶硅，呈

暗黑蓝色，可用炭在电炉中使二氧化硅还原而得。

常温下，固态质脆，熔点1687 K（1414℃），沸点3173 K（2900℃），摩尔体积12.06×10^-6 m……3/mol，密度为2.33g/cm^3，本征载流子浓度1.5×10^10cm^-3，电阻率为2300Ω·m。

2、

三、材料资源

1、

https://www.baidu.com/link?url=FyhLpFao9OPBHga_OXS10bjpH7vd9M3eXCsnB3UeKuLvBmSzzdVxtyvKyCZvTJavWuVh-JZnarLacUzHMoRKi_&ie=utf-8&f=8&tn=61089049_pg&wd=%E4%B8%BA%E4%BB%80%E4%B9%88%E7%A1%85%E8%83%BD%E5%BD%93%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93&inputT=4827&bs=%E7%A1%85%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93

2、http://wenku.baidu.com/link?url=Uz-sw8T6FZ0lSyitQ7GMsbz5vkOaP_6ZaPhmLf3ZE7Dmk2mSxJRtIp06arsNfF1m8YASL35mB6Gfxc1KhEIsA1XgkQEPVEqycdUgyXLTmDy

足球烯（footballene）是单纯由C元素结合形成的稳定分子，它具有60个顶点和32个面，其中12个面为正五边形，20个面为正六边形，整个分子形似足球，因此得名。其结构图如下所示：

足球烯的分子式为C60，60个碳原子占据60个顶点，处于顶点的碳原子与相邻顶点的碳原子各用sp2杂化轨道重叠形成σ键，每个碳原子的三个σ键分别为一个五边形的边和两个六边形的边。碳原子的三个σ键不是共平面的，键角约为108°或120°，因此整个分子为球状。每个碳原子用剩下的一个p轨道互相重叠形成一个含60个π电子的闭壳层电子结构，因此在近似球形的笼内和笼外都围绕着π电子云。分子轨道计算表明：足球烯具有较大的离域能。足球烯的共振结构数高达12500个，按每个碳原子的平均共振能比较，共振稳定性约为苯的两倍。因此足球烯是一个具有芳香性的稳定体系。

足球烯是美国德克萨斯州休斯敦赖斯（Rice）大学的克罗脱（Kroto，H．W．）和史沫莱（Smalley， R． E．）等人于1985年提出的。他们用大功率的激光束轰击石墨使其汽化，用1MPa压力的氦气产生超声波，使被激光束汽化的碳原子通过一个小喷嘴进入真空膨胀，并迅速冷却形成新的碳原子，从而得到了C60。 C60已为质谱所证明。足球烯的发现为有机化学开辟了一个新的领域，其意义是十分重大的。

“足球烯”本身更有着无数优异的性质，它本身是半导体，掺杂后可变成临界温度很高的超导体，由它所衍生出来的碳微管比相同直径的金属强度高100万倍。

PADS中多逻辑系列意思是：ANA BGA ball grid array 球栅阵列封装BPF BQF CAP CAPACITOR 电容器CFP CFP 陶瓷扁平封装CLC CMO CON CONIN 连接器CQF DIO DIODE 二极管DIP Dual In-line Package 双列直插式组件ECL EDG FUS FUSE 保险丝HMO HOL IND INDUCTANCE 电感LCC Leadless chip carrier 无引脚片式载体MOS Metal Oxide Semiconductor 金属氧化物半导体OSC Open Source Commerce 振荡器PFP PGA butt joint pin grid array 碰焊(pin grid array) PLC POT POTENTIOMETER 可变电阻器PQF PSO QFJ CLCC(ceramic leaded chip carrier)也称QFJ,QFJ-G QFP quad flat package 四侧引脚扁平封装QSO RES Resistor 电阻器 RLY RLY 继电器SCR Silicon Controlled Rectifier 可控硅SKT SOI small out-line I-leaded package I形引脚小外型封装SOJ Small Out-Line J-Leaded PackageJ形引脚小外型封装SOP small Out-Line package 小外形封装SSO SWI SWITCH 开关TQF TRX Transistor 三极管TSO TTL Transistor-Transistor Logic BJT-BJT 逻辑门VSO XFR XFMR 变压器ZEN ZENER 齐纳二极管UND 增加SIP single in-line package 直插式组件photoelectric coupler 光电耦合器LED Light Emitting Diode 发光二极管TVS Transient Voltage Suppressor 瞬态电压抑制二极管)FB Ferrite bead 磁珠TP TEST POINT 测试点MIC MICROPHONE 麦克风BQFP BQFP(quad flat package with bumper 带缓冲垫的四侧引脚扁平封装CLCC ceramic leaded chip carrier 带引脚的陶瓷芯片载体COB chip on board 板上芯片封装DFP dual flat package 双侧引脚扁平封装,是SOP 的别称FP flat package 扁平封装FQFP fine pitch quad flat package 小引脚中心距QFP CQFP quad fiat package with guard ring 带保护环的四侧引脚扁平封装)HSOP H-(with heat sink)HSOP 表示带散热器的SOP LQFP low profile quad flat package 薄型QFP SMD surface mount devices 表面贴装器件CPGA Ceramic Pin Grid Array ZIP Zig-Zag Inline Package 之字型直插式封装

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