ESD和半导体放电管什么区别?

ESD（Electrostatic Discharge Protection Devices），静电保护元器件，又称瞬态电压抑制二极管阵列（TVS Array），是由多个TVS晶粒或二极管采用不同的布局设计成具有特定功能的多路或单路ESD保护器件，主要应用于各类通信接口静电保护，比如USB、HDMI、RS485、RS232、VGA、RJ11、RJ45、BNC、SIM、SD等接口中。ESD静电保护器件封装形式多样，从单路的SOD-323到多路的SOT-23、SOT-143、SOT23-6L、SOIC-8、QFN-10等。电路设计工程师可以根据电路板布局及接口类型选择不同封装形式的ESD静电保护二极管。

半导体放电管，TSS（Thyristor Surge Suppressors），也称浪涌抑制晶闸管，是一种采用半导体工艺制成的PNPN结四层结构器件，其伏安特性与晶闸管类似，具有典型的开关特性。一般并联在电路中应用，正常工作状态下半导体放电管 处于截止状态，当电路中由于感应雷、 *** 作过电压等出现异常过电压时，半导体放电管快速导通泄放由异常过电压导致的异常过电流， 保护后端设备免遭异常过电压的损坏，异常过电压消失后，半导体放电管又恢复至截止状态。 

在常规的防护方案中，半导体放电管因其优越的性价比被广泛认可，该类器件适用于通讯系统一、二级的防雷击浪涌、防静电、防EMI干扰等保护，产品广泛用于：电话机、传真机、Modem、XDSL终端、程控**机局端设备、T1/E1接口、仪器仪表、及其配线架、RS485/232数据线、以太网**机、CATV设备、安防产品、远程监控、远程抄表等产品中。

半导体放电管的选型要点：

1、最大瞬间峰值电流IPP必须大于通讯设备标准的规定值。

2、转折电压VBO必须小于被保护电路所允许的最大瞬间峰值电压。

3、半导体放电管处于导通状态时，所损耗的功率P应小于其额定功率Pcm，Pcm=KVT*IPP，其中K由短路电流的波形决定。对于指数波，方波，正弦波，三角波K值分别为1.00，1.4，2.2，2.8。

4、反向击穿电压Vp必须大于被保护电路的最大工作电压。如在POTS应用中，最大振铃电压(150V)的峰值电压(150*1.41=212.2V)和直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V，所以应选择Vp大于268.8V的器件。又如在ISDN应用中，最大DC电压(150V)和最大信号电压(3V)之和为153V，所以应选择Vp大于153V的器件。

5、若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位，器件的维持电流IH必须大于系统所能能提供的电流值。

除了防雷击浪涌，半导体放电管更是应用较多的限压器件，有贴装式、直插式和轴向引线式三种封装形式。在电路防护方案中，半导体放电管一般并联在电路上，器件不动作时，阻值最高，可视为开路，对电路几乎没有影响。当有异常脉冲时，阻值瞬间下降，瞬间释放电流。当异常高压消失，其恢复到高阻状态，电路正常工作。

半导体放电管是属于开关型过压保护器件，压敏电阻是属于限制型保护器件

半导体放电管的通流量比压敏电阻的小，压敏最大70KA

半导体放电管的的反应速度比压敏快一点点

半导体放电管的电容比压敏低

半导体的放电管的击穿电压比压敏要高

要说哪一个防浪涌效果要好些，还是要看具体用在什么产品上做保护了啊！

---