测半导体的电阻，数值不稳

其实 ztjzds 说的第一条是有道理的，半导体随着温度的升高，电阻值会下降。因为温度升高时，半导体内部多子和少子都会增多，通电能力增强，电阻就会下降，这是原理。

至于温度为什么会升高，您排除了外部因素，那就只剩内部因素了。因为电阻表内部也是有电源的，它测试电阻的原理还是欧姆定律U=I*R。所以，随着通电时间的延长，肯定是要发热的，引起电阻变化，虽然这个温度变化我们可能无法直接感受到。

另外，半导体的电阻与电压电流的关系本身就不是线性的，大致呈指数关系。因此，测半导体电阻一般是要求输入电阻，都会记录温度，然后再转换到标准温度下。

改变半导体局部导电性的重要方法主要有以下几种：

掺杂：在半导体材料中掺入不同的杂质原子，可以改变材料的导电性质。掺入五价元素（如磷、砷等）可以形成N型半导体，掺入三价元素（如硼、铝等）可以形成P型半导体。

离子注入：通过离子注入技术，在半导体表面形成高能离子轰击区域，使局部区域的导电性质发生改变。离子注入通常用于制作集成电路器件的精细控制区域。

光刻技术：利用光刻技术在半导体表面覆盖一层光刻胶，并在胶面上利用投影机将芯片上的图形投影到光刻胶上，最后在芯片表面暴露出光刻胶中未被覆盖的部分。通过这种方式，可以在芯片表面形成精细的图形结构，进而改变半导体的局部导电性。

聚焦离子束（FIB）技术：FIB技术利用高能离子束在半导体表面进行刻蚀和刻划，可以制作出微米级别的半导体器件结构。通过这种方法可以在半导体表面形成局部结构，进而改变局部区域的导电性质。

这些方法通常用于半导体器件的制造和修饰，可以在半导体表面形成精细的结构和控制区域，对于半导体器件的性能和功能的提升非常重要。

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