关于金属与半导体接触时，表面电荷区电场方向的问题

因为N型半导体的功函数小于金属的功函数，所以当N型半导体与金属接触时，N型半导体中的电子将向金属一边转移，结果就造成半导体表面空间电荷区中有正电荷，在金属表面（界面）上有负电荷，从而产生一个由半导体指向金属表面的电场。.....可参见“http://blog.163.com/xmx028@126”网页中的有关说明以及百度百科中的“pn结势垒”词条。

半导体的迁移率比金属高，但内部会感应出反向电荷，出现电位移，形成逆向场。而金属导体内部场强处处相等，宏观上电流比半导体强，所以金属导电性更好。迁移率代表电子定向运动的速度，而不是电流强度。

您好，小子不才，愿尝试为您解答。（1）半导体禁带宽度不变，导带向上弯曲，价带自然向上弯曲；既然是N型半导体，空穴就是少子，它的变化可以忽略。纠结它的能量变化没什么意义。（2）稳定之后的系统，费米能级是水平的，不是弯曲的。空间电荷区外应该具体一点。如果是半导体内部，费米能级是水平的，Efs没有弯曲，保持电中性。如果是金属一侧，Efm也是与Efs在一条水平线上，也没有弯曲。费米能级对x的变化率与nu的积等于电流密度。

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