半导体界的人事震荡局 注定不平凡的调整

人事变动始终牵动着半导体产界人士的心。

2019 年是不平凡的一年，众多半导体巨头进行了高管调整，或宣布调整信息。下面一起回顾 2019 年半导体产业都经历了哪些重大人事变动。

SK 海力士

2018 年 12 月，SK 海力士公布营运长李锡熙晋升 CEO，原 CEO 朴星昱则转任 SK 集团 Supex 追求协议会 ICT 委员长，负责开拓 SK 集团未来技术与新成长动力。

现年 56 岁的李锡熙产学界经历完整，取得首尔大学无机材料硕士后，1990 年加入 SK 海力士前身现代电子成为研究员，此后又到美国求学，取得史丹佛大学材料博士学位，2000 年进入英特尔(Intel)就职。

任职英特尔 10 年时间，多次获颁最高荣誉的英特尔成就奖，2010 年在韩国科学技术院(KAIST)担任教授，2013 年重回 SK 海力士负责 DRAM 开发，2017 年晋升营运长成为半导体事业负责人。

英特尔

2019 年 1 月 31 日，英特尔宣布任命临时首席执行官罗伯特 - 斯旺(Robert Swan)为正式 CEO。这是英特尔 51 年来第七次任命首席执行官。

自 2018 年 6 月，首席执行官布莱恩 - 科再奇(Brian Krzanich)因违反公司政策与一名员工存在不正当关系而被解职，罗伯特 - 斯旺担任临时首席执行官至今已有 7 个月，他自 2016 年起担任首席财务官，并获选为公司董事会成员。

现任财务副总裁托德 - 安德伍德(Todd Underwood)将接任临时 CFO 一职，公司将寻找一名永久性 CFO。

Swan 拥有布法罗大学工商管理学士学位和宾厄姆顿大学工商管理硕士学位。他是 eBay 的董事会成员。1985 年在通用电气公司开始了他的职业生涯，持有各种高级财务他在那里工作了 15 年。在其职业生涯早期，斯旺担任电子数据系统公司和 TRW 公司的首席财务官，以及担任 Webvan Group Inc。 首席运营官兼首席执行官的首席财务官。2006 年加入 eBay Inc。 担任首席财务官，负责 eBay 财务职能的各个方面，包括管理，财务规划和分析，税务，财务，审计，兼并和收购，和投资者关系。2015 年加入 General Atlantic 担任运营合作伙伴，与公司的全球投资公司密切合作，共同实现增长目标。2016 年 10 月起担任英特尔公司的执行副总裁兼首席财务官(CFO)。他负责监督英特尔的全球金融组织，包括财务，会计和报告，税务，财务，内部审计和投资者关系，信息技术；和公司的企业战略办公室。2018 年 6 月 21 日被任命为英特尔公司的临时首席执行官。

利扬芯片

2019 年 2 月，张亦锋加入广东利扬芯片测试股份有限公司任公司首席执行官。

张亦锋，在西安电子 科技 大学通信工程学院应用电子技术专业获学士学位，复旦大学管理学院工商管理专业(MBA)毕业，研究生学历。2000 年 7 月至 2013 年 12 月，，任职于上海华虹 NEC 电子有限公司，先后在计划部、Foundry 事业部、业务发展部等部门担任资深主管工程师、主任、科长等职。2014 年 1 月至 2015 年 8 月任职于上海华虹宏力半导体制造有限公司，担任产品销售科科长。2015 年 8 月至 2015 年 12 月任职于武汉力源信息股份有限公司，担任 IC 事业部总监。2016 年 1 月至 2019 年 1 月，任职于珠海博雅 科技 有限公司，担任首席商务官、副总裁，兼任全资子公司四川泓芯 科技 有限公司总经理。

华虹集团

华虹半导体

2019 年 3 月 28 日，华虹集团对旗下制造平台进行了人事调整，宣布上海华力集成总经理唐均君接替王煜担任上市公司华虹半导体总裁一职(5 月 1 日正式接任)，希望发挥唐总在 12 英寸生产线的经验，以便更好的让华虹无锡基地的 12 英寸产线快速产生效益。

上海华力

华虹集团对旗下制造平台进行了人事调整，宣布上海华力微总裁雷海波兼任上海华力集成总裁，作为中国大陆培养的本土 12 英寸产线领头人，雷总现在要负责两个 12 英寸产线的运营。华力微在 2018 年实现首次年度盈利。

上海新升

2019 年 5 月 5 日，邱慈云出任上海新升 CEO。

邱慈云生于 1956 年，获得加州伯克利分校电气工程博士学位和哥伦比亚大学高级管理人员工商管理硕士学位。他早年曾在德国慕尼黑固体技术研究所 At&t 贝尔实验室和台积电工作。2001 年曾追随张汝京创办中芯国际；2005 年加入华虹 NEC 担任运营副总裁；2007 年加入马来西亚 Silterra 担任 COO；2009 年回到华虹 NEC 担任总裁兼 CEO；2011 年 8 月起，担任中芯国际 CEO，至 2017 年 5 月因个人原因请辞。

瑞萨电子

2019 年 6 月 26 日，瑞萨电子官方发布公告，现任 CEO 吴文精( Bunsei Kure)将于 2019 年 6 月 30 日辞去其代表董事、总裁兼 CEO，柴田英利(Hidetoshi Shibata)将成为为其代表董事，总裁兼 CEO，任命自 2019 年 7 月 1 日起生效。

吴文精下台的原因是瑞萨经营业绩欠佳。

芯思想研究院认为，瑞萨是日本半导体产业界的一朵奇葩，越整合则越虚弱。

武汉弘芯

2019 年 7 月 17 日，蒋尚义正式出任武汉弘芯总经理。

蒋尚义，1968 年在国立台湾大学获电子工程学学士学位，1970 年在普林斯顿大学获电子工程学硕士学位，1974 年在斯坦福大学获电子工程学博士学位。毕业后，蒋博士曾在德州仪器和惠普公司工作。1997 年回到台湾，任职台积电研发副总裁，是台积电掌管单一部门时间最久的人。2013 年任台积电共同首席执行副总和共同运营官。

在台积电期间，蒋尚义将研发团队从 120 人扩编至 2013 年的 7000 多人，年度研发经费更从 25 亿台币激增至 2013 年的 480 亿台币；曾参与研发 CMOS、NMOS、Bipolar、DMOS、SOS、SOI、GaAs 激光、LED、电子束光刻、矽基太阳能电池等项目；带领台积电自主研发，一路从 0.25 微米、0.18 微米、0.15 微米、0.13 微米、90 纳米、65 纳米走到 40 纳米世代，还参与了 28 纳米 HKMG 高介电金属闸极、16 纳米 FinFET 等关键节点的研发，使台积电的行业地位从技术跟随者发展为技术引领者。

华微电子

2019 年 7 月 9 日，首席执行官(CEO)聂嘉宏先生辞呈。

经公司董事长提名，董事会提名委员会审核，公司董事会同意聘任于胜东先生为首席执行官，任期自董事会通过之日起至本届董事会届满为止。

凯世通

2019 年 8 月，陈克禄接替陈烔(JIONG CHEN)担任凯世通总经理。

陈克禄，原上海浦东 科技 投资有限公司投资总监。

2015 年，上海浦东 科技 投资有限公司(以下简称“浦科投资”)入主万业企业，并于 2018 年成为其控股股东(持股 28.16%)，积极推动其战略转型。

万业企业将转型目标瞄准了集成电路装备及材料产业。2017 年，经董事会和股东大会审议通过，万业企业以 10 亿元自有资金认购上海半导体装备材料产业投资基金首期 20%份额，迈出了转型的第一步。

2018 年 7 月，万业企业启动收购上海凯世通半导体股份有限公司(以下简称“凯世通”)100%股权相关事宜，最终以 3.98 亿元的价格、以现金收购的方式，成功完成对凯世通 100%股权的收购。收购凯世通后，万业企业正式切入集成电路核心装备产业之一的离子注入机领域。

长电 科技

2019 年 9 月 9 日，长电 科技 发布公告称：董事会收到 LEE CHOON HEUNG(李春兴)先生请求辞去首席执行长(CEO)及第七届董事会董事职务的书面辞职书，经研究讨论公司董事会同意李春兴先生辞去首席执行长职务的请求。根据《公司章程》，李春兴先生辞去公司董事职务在书面辞职书送达董事会时已生效，其不再担任公司董事。辞去上述职务后，李春兴先生将继续担任公司首席技术长(CTO)职务，并继续致力于公司的发展。

根据长电 科技 董事长周子学先生提名，经董事会提名委员会审核，一致同意聘任郑力先生为公司首席执行长，同时提名郑力先生为公司第七届董事会非独立董事，任期自本次董事会聘任通过之日起至本届董事会任期届满。

郑力，男，1967 年 8 月出生，天津大学工业管理工程专业工学士，东京大学金融经济管理硕士。郑力在美国、日本、欧洲和中国国内的集成电路产业拥有超过 26 年的工作经验。曾任曾任恩智浦全球高级副总裁兼大中华区总裁；中芯国际全球市场高级副总裁，瑞萨电子大中华区 CEO，NEC 电子(后与日立公司和三菱公司的半导体部门合并为瑞萨电子)大中华区总裁，华虹国际有限公司副总裁，上海虹日国际电子有限公司总经理，日本东棉美国公司(现丰田通商美国公司)加州圣荷西分公司总经理，日本东棉公司总部(现日本丰田通商公司)电子信息系统本部担任产品开发经理、集成电路项目管理经理等职务。

安靠

2019 年 6 月，安靠中国区总裁周晓阳正式离职，10 月由曹持论接任。

周晓阳，西安人，1984 年本科毕业于西安交通大学半导体专业，1984 年至 1987 年在骊山微电子研究所师从黄敞老师，获得硕士学位；1987 年至 1993 年在西安 771 所工作，时任组合车间副主任；1993 年至 1997 年任职国家半导体上海公司工作；1997 年至 2007 年任职英特尔；2007 年至 2011 年任职星科金朋；2011 年至 2014 年在楼氏电子工作，曾任楼氏电子苏州和北京公司总经理；2014 年加入安靠，任中国区总裁及安靠封装测试(上海)有限公司总经理。

安靠中国区在周晓阳的带领下，创下了辉煌的业绩，公司已经成为中国大陆及安靠全球技术最先进、产能最大、发货量最大的 NAND 封测厂，为很多中国集成电路设计公司保驾护航。

在周晓阳带领下，2014-2018 年间，安靠上海年平均贡献税收约为 1 亿元人民币，并获得浦东“纳税突出贡献奖”；进出口额约 224 亿美元，连年获得浦东“贸易贡献奖”；此外，安靠上海名列中国十大封测企业、荣获市外资进出口百强、市外资吸收就业人数百强、市外资双优企业等奖项。

曹持论，2001 年 5 月加入安靠公司，曾担任安靠中国区副总裁及厂长职务。

芯聚能半导体

2019 年 11 月正式加入创业公司芯聚能半导体，接替王颖颖担任法人和总经理。

周晓阳，西安人，1984 年本科毕业于西安交通大学半导体专业，1984 年至 1987 年在骊山微电子研究所师从黄敞老师，获得硕士学位；1987 年至 1993 年在西安 771 所工作，时任组合车间副主任；1993 年至 1997 年任职国家半导体上海公司工作；1997 年至 2007 年任职英特尔；2007 年至 2011 年任职星科金朋；2011 年至 2014 年在楼氏电子工作，曾任楼氏电子苏州和北京公司总经理；2014 年加入安靠，任中国区总裁及安靠封装测试(上海)有限公司总经理。2019 年 6 月离开安靠。

北方华创

10 月 31 日，北方华创发布公告称，董事会于 2019 年 10 月 31 日收到公司副总经理张国铭先生提交的书面辞职报告，张国铭先生由于个人原因申请辞去公司副总经理职务，辞职后不在公司担任任何职务。

张国铭先生曾任北方华创 科技 集团股份有限公司高级副总裁、首席战略官，并兼任北京北方华创微电子装备有限公司董事、副总裁，北京七星华创流量计有限公司董事长，北京七星华创集成电路装备有限公司执行董事。曾任北京建中机器厂总工程师、副厂长，北京七星华创电子股份有限公司微电子设备分公司总经理，北京七星华创电子股份有限公司副总经理。

张国铭先生担任国家 02 科技 重大专项总体专家组专家、 科技 部“十三五”重点专项先进制造专家组专家、国家集成电路产业投资基金股份有限公司投资审核委员会委员、北京电子制造装备行业协会秘书长、国际 SEMI 协会全球董事会董事、SEMI 中国半导体设备及材料委员会主席等多种职务。

据悉，张国铭已经加盟华海清科。

来源: 与非网

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日前，华为旗下哈勃投资入股山东天岳的消息，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料再次走入大众视野，引起业界重点关注。

事实上，随着半导体技术不断进步，对半导体器件性能、效率、小型化要求的越来越高，传统硅半导体材料逐渐无法满足性能需求，碳化硅、氮化镓等第三代半导体材料凭借着优异的性能，早已成为当前世界各国竞相布局的焦点，我国在加速发展集成电路产业的同时，把发展第三代半导体技术列入国家战略。

如今5G时代到来，将推动半导体材料实现革命性变化。其中，氮化镓器件以高性能特点广泛应用于通信、国防等领域，其市场需求有望在5G时代迎来爆发式增长。风口来临，我国目前有哪些企业在布局？下面将从衬底、外延片、制造及IDM几大分类盘点国内氮化镓主要企业。

GaN衬底企业

东莞市中稼半导体 科技 有限公司

东莞市中镓半导体 科技 有限公司成立于2009年1月，总部设于广东东莞，总注册资本为1.3亿元人民币，总部设立厂房办公区等共17000多平方米，并在北京有大型研发中心，为中国国内一家专业生产氮化镓衬底材料的企业。

官网显示，中镓半导体已建成国内首家专业的氮化镓衬底材料生产线，制备出厚度达1100微米的自支撑GaN衬底，并能够稳定生产。2018年2月，中镓半导体实现4英寸GaN自支撑衬底的试量产。

东莞市中晶半导体 科技 有限公司

东莞市中晶半导体 科技 有限公司成立于2010年，是广东光大企业集团在半导体领域继中镓半导体、中图半导体后布局的第三个重点产业化项目。

中晶半导体主要以HVPE设备等系列精密半导体设备制造技术为支撑，以GaN衬底为基础，重点发展Mini/MicroLED外延、芯片技术，并向新型显示模组方向延展；同时，中晶半导体将以GaN衬底材料技术为基础，孵化VCSEL、电力电子器件、化合物半导体射频器件、车灯封装模组、激光器封装模组等国际前沿技术，并进行全球产业布局。

苏州纳维 科技 有限公司

苏州纳维 科技 有限公司成立于2007年，致力于氮化镓单晶衬底的研发与产业化，实现了2英寸氮化镓单晶衬底的生产、完成了4英寸产品的工程化技术开发、突破了6英寸的关键技术，现在是国际上少数几家能够批量提供2英寸氮化镓单晶产品的单位之一。

据官网介绍，目前纳维 科技 GaN单晶衬底产品已提供给300余家客户使用，正在提升产能向企业应用市场发展，重点突破方向是蓝绿光半导体激光器、高功率电力电子器件、高可靠性高功率微波器件等重大领域。

镓特半导体 科技 （上海）有限公司

镓特半导体 科技 （上海）有限公司成立于2015年4月，主要从事大尺寸的高质量、低成本氮化镓衬底的生长，以推动诸多半导体企业能够以合理价来购买并使用氮化镓衬底。镓特半导体已自主研发出HVPE设备，并用以生长高质量的氮化镓衬底。

官网显示，借助自主研发的HVPE设备，镓特半导体已成功生长出4英寸的自支撑氮化镓衬底。镓特半导体表示，未来几年内将建成全球最大的氮化镓衬底生长基地，以此进一步推广氮化镓衬底在半导体材料市场上的广泛应用，并将依托自支撑GaN衬底进行中下游的高端LED、电力电子及其他器件的研发和制造。

GaN外延片企业

苏州晶湛半导体有限公司

苏州晶湛半导体有限公司成立于2012年3月，致力于氮化镓（GaN）外延材料的研发和产业化。2013年8月，晶湛半导体开始在苏州纳米城建设GaN外延材料生产线，可年产150mm氮化镓外延片2万片；2014年底，晶湛半导体发布其商品化8英寸硅基氮化镓外延片产品。

官网介绍称，截至目前，晶湛半导体已完成B轮融资用于扩大生产规模，其150mm的GaN-on-Si外延片的月产能达1万片。晶湛半导体现已拥有全球超过150家的著名半导体公司、研究院所客户。

聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司

聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司成立于2018年6月，专注于电力电子应用的外延材料增长。针对外延材料市场，聚能晶源正在开发硅基氮化镓材料生长技术并销售硅基氮化镓外延材料作为产品。

2018年12月，聚能晶源成功研制了达到全球业界领先水平的8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延晶圆。该型外延晶圆在实现了650V/700V高耐压能力的同时，保持了外延材料的高晶体质量、高均匀性与高可靠性，可以完全满足产业界中高压功率电子器件的应用需求。

北京世纪金光半导体有限公司

北京世纪金光半导体有限公司成立于2010年12月，经过多年发展，世纪金光已成为集半导体单晶材料、外延、器件、模块的研发、设计、生产与销售于一体的、贯通第三代半导体全产业链的企业。

在碳化硅领域，世纪金光已实现碳化硅全产业链贯通，氮化镓方面，官网显示其目前则以氮化镓基外延片为主。

聚力成半导体（重庆）有限公司

聚力成半导体（重庆）有限公司成立于2018年9月，是重庆捷舜 科技 有限公司在大足区设立的公司。2018年9月，重庆大足区政府与重庆捷舜 科技 有限公司签约，拟在重庆建设“聚力成外延片和芯片产线项目”。

2018年11月，聚力成半导体（重庆）有限公司举行奠基仪式，项目正式开工。该项目占地500亩，计划投资50亿元，将在大足高新区建设集氮化镓外延片、氮化镓芯片的研发与生产、封装测试、产品设计应用为一体的全产业链基地。2019年6月5日，该项目一期厂房正式启用，预计将于今年10月开始外延片的量产。

GaN制造企业

成都海威华芯 科技 有限公司

成都海威华芯 科技 有限公司成立于2010年，是国内首家提供6英寸砷化镓/氮化镓微波集成电路的纯晶圆代工企业。据了解，海威华芯由海特高新和央企中电科29所合资组建，2015年1月，海特高新以5.55亿元收购海威华芯原股东股权，并以增资的方式取得海威华芯52.91%的股权成为其控股股东，从而涉足高端化合物半导体集成电路芯片研制领域。

海威华芯6英寸第二代/第三代半导体集成电路芯片生产线已于2016年8月投入试生产。官网显示，海威华芯已开发了5G中频段小于6GHz的基站用氮化镓代工工艺、手机用砷化镓代工工艺，发布了毫米波频段用0.15um砷化镓工艺。砷化镓VCSEL激光器工艺、电力电子用硅基氮化镓制造工艺在2019年也取得了较大的进展。

厦门市三安集成电路有限公司

厦门市三安集成电路有限公司成立于2014年，是LED芯片制造公司三安光电下属子公司，基于氮化镓和砷化镓技术经营业务，是一家专门从事化合物半导体制造的代工厂，服务于射频、毫米波、功率电子和光学市场，具备衬底材料、外延生长以及芯片制造的产业整合能力。

三安集成项目总规划用地281 亩，总投资额30亿元，规划产能为30万片/年GaAs高速半导体外延片、30万片/年GaAs高速半导体芯片、6万片/年GaN高功率半导体外延片、6万片/年GaN高功率半导体芯片。官网显示，三安集成在微波射频领域已建成专业化、规模化的4英寸、6英寸化合物晶圆制造产线，在电子电路领域已推出高可靠性、高功率密度的SiC功率二极管及硅基氮化镓功率器件。

华润微电子有限公司

华润微电子有限公司是华润集团旗下负责微电子业务投资、发展和经营管理的企业，亦是中国本土具有重要影响力的综合性微电子企业，其聚焦于模拟与功率半导体等领域，业务包括集成电路设计、掩模制造、晶圆制造、封装测试及分立器件，目前拥有6-8英寸晶圆生产线5条、封装生产线2条、掩模生产线1条、设计公司3家，为国内拥有完整半导体产业链的企业。

2017年12月，华润微电子完成对中航（重庆）微电子有限公司（后更名为“华润微电子（重庆）有限公司”）的收购，重庆华润微电子采用8英寸0.18微米工艺技术进行芯片生产，并在主生产线外建有独立的MEMS和化合物半导体工艺线，具备氮化镓功率器件规模化生产制造能力。

杭州士兰微电子股份有限公司

杭州士兰微电子股份有限公司成立于成立于1997年，专业从事集成电路芯片设计以及半导体相关产品制造，2001年开始在杭州建了第一条5英寸芯片生产线，现已成为国内集成电路芯片设计与制造一体（IDM）企业。

近年来，士兰微逐步布局第三代化合物功率半导体。2017年，士兰微打通一条6英寸的硅基氮化镓功率器件中试线。2018年10月，士兰微厦门12英寸芯片生产线暨先进化合物半导体生产线开工，其中4/6英寸兼容先进化合物半导体器件生产线总投资50亿元，定位为第三代功率半导体、光通讯器件、高端LED芯片等。

GaN IDM企业

苏州能讯高能半导体公司

苏州能讯高能半导体有限公司成立于2011年，致力于宽禁带半导体氮化镓电子器件技术与产业化，为5G移动通讯、宽频带通信等射频微波领域和工业控制、电源、电动 汽车 等电力电子领域等两大领域提供高效率的半导体产品与服务。

能讯半导体采用整合设计与制造（IDM）的模式，自主开发了氮化镓材料生长、芯片设计、晶圆工艺、封装测试、可靠性与应用电路技术，目前公司拥有专利256项。该公司在江苏建有一座氮化镓（GaN）电子器件工厂，厂区占地55亩，累计投资10亿元。

江苏能华微电子 科技 发展有限公司

江苏能华微电子 科技 发展有限公司成立于2010年6月，是由国家千人计划专家朱廷刚博士领衔的、由留美留澳留日归国团队创办的一家专业设计、研发、生产、制造和销售以氮化镓为代表的复合半导体高性能晶圆、以及用其做成的功率器件、芯片和模块的高 科技 公司。

能华微电子先后承担了国家电子信息产业振兴和技术改造专项的大功率GaN功率电子器件及其材料的产业化项目、国家重点研发计划战略性先进电子材料重点专项的GaN基新型电力电子器件关键技术项目等。2017年，能华微电子建成8英寸氮化镓芯片生产线并正式启用。

英诺赛科（珠海） 科技 有限公司

英诺赛科（珠海） 科技 有限公司成立于2015年12月，该公司采用IDM 全产业链模式，致力于打造一个集研发、设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析为一体的第三代半导体生产平台。2017年11月，英诺赛科的8英寸硅基氮化镓生产线通线投产，成为国内首条实现量产的8英寸硅基氮化镓生产线，主要产品包括30V-650V氮化镓功率与5G射频器件。

2018年6月，总投资60亿元的英诺赛科苏州半导体芯片项目开工，今年8月30日项目主厂房封顶，预计12月底生产设备正式进厂，2020年可实现规模化量产。该项目聚焦在氮化镓和碳化硅等核心产品，将打造将成为集研发、设计、外延生产、芯片制造、分装测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台。

大连芯冠 科技 有限公司

大连芯冠 科技 有限公司成立于2016年3月，该公司采用整合设计与制造（IDM）的商业模式，主要从事第三代半导体硅基氮化镓外延材料及电力电子器件的研发、设计、生产和销售，产品应用于电源管理、太阳能逆变器、电动 汽车 及工业马达驱动等领域。

官网介绍称，芯冠 科技 已建成首条6英寸硅基氮化镓外延及功率器件晶圆生产线。2019年3月，芯冠 科技 在国内率先推出符合产业化标准的650伏硅基氮化镓功率器件产品（通过1000小时HTRB可靠性测试），并正式投放市场。

江苏华功半导体有限公司

江苏华功半导体有限公司成立于2016年5月，注册资本为2亿元人民币，一期投入10亿元人民币。官网介绍称，目前公司已全面掌握大尺寸Si衬底高电导、高耐压、高稳定性的GaN外延技术并掌握具有自主知识产权的增强型功率电子器件制造技术。

根据官网显示，华功半导体可提供2英寸、4英寸、6英寸及8英寸GaN-on-Si功率电子器件用外延片产品，并基于华功自有知识产权的GaN-on-Si外延技术设计和制造，提供650V/5A-60A系列化高速功率器件。

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