如何改善半导体芯片的浪涌抗扰度耐量

如何改善半导体芯片的浪涌抗扰度耐量,第1张

等效于「IEC61000-4-5 Electromagnetic compatibility—Testing and measurement techniquess—Surge immunity test」的「GB/T 17626.5电磁兼容试验和测量技术-浪涌(冲击)抗扰度试验」规定了对由于开关和雷电瞬变过电压引起的单极性浪涌(冲击)的抗扰度要求、试验方法和推荐的试验等级,同时规定了几个与不同环境和安装状态的试验等级。此项试验就是要评价EUT(DUT)在规定的工作条件下,对于由开关或雷电作用所产生的有一定危害电平的浪涌(冲击)电压的反应和耐受能力。

关于半导体芯片抗反向浪涌试验,基多年之发展,已由开始阶段的“反向过电压冲击”逐渐进展到“反向过电流冲击”、“反向功率冲击”并发展到目前的“非重复雪崩能量”、“重复雪崩耐量(规定瞬态脉冲宽度)”。说明了半导体芯片抗浪涌耐量的提升,现已普遍在SBD、SFD、FRED等制品上得到应用。

燃料电池式(电化学)酒精传感器的工作原理:含有酒精成分的样气被定量气泵抽入传感器反应气室,每摩尔单位的酒精在工作电极(阳极)上发生氧化反应,同时分别释放出2摩尔单位的H+和电子,H+和电子分别通过电解质层和外电路负载,到达对电极(阴极)对氧气进行还原反应,构成反应物和产物的物质平衡、电荷平衡,有反应释放的电荷流动形成的电流的大小,确定被测样气中酒精的含量。

燃料电池传感器与通常的半导体传感器相比,具有稳定性好、精度高、抗干扰能力强等优点,缺点是生产成本高、制造难度大。不考虑经济性的话,当然是采用电化学酒精传感器的酒精测试仪比较好。


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