mems工艺和半导体工艺的区别

mems工艺和半导体工艺的区别：

1、MEMS加工技术工艺是根据产品需要，在各类衬底（硅衬底，玻璃衬底，石英衬底，蓝宝石衬底等等）制作微米级微型结构的加工工艺。而ic工艺则侧重于半导体器件的制作，其衬底基本以硅衬底为主，少数特殊器件会使用GaAs/GaN等材料，其工艺核心是为了制作高集成度的各类器件，目前已经做到纳米级，特征尺寸更加精细。MEMS加工技术工艺制作的微型结构主要是作为各类传感器和执行器等，其中更加器件原理需要而制作的可动结构（齿轮，悬臂梁，空腔，桥结构等）以及各种功能材料，本质上是将环境中的各种特征参数（温度，压力，气体，流量等等）变化通过微型结构转化为各种电信号（电压，电阻，电流等）的差异，以实现小型化高灵敏的传感器和执行器。

2、半导体工艺指半导体制造工艺，工艺过程多晶硅到区熔或直拉到单晶硅棒到滚、切、磨、抛到硅片，硅片是一种硅材料通过加工切成一片一片的。硅是一种硬度很高的物质，硅材料看起来像石头一样，他要经过清洗干净然后用炉子加热融化形成一个大块的硅锭，然后再用特定机器来进行细切成一片一片。

材料的电阻率界于金属与绝缘材料之间的材料。

1.对于集成电路来讲，最底下的一层叫衬底（一般为P型半导体），是参与集成电路工作的。拿cmos工艺来讲，N沟道mos的p型衬底都是连在一起的，都是同一个衬底。一般的电路中的绝缘体，只是一个载体，它起到支撑和绝缘的作用。

2.集成电路是一些电子元器件加连线构成，没有绝缘体充当绝缘和支撑。它通过加反偏和其他的技术来实现隔离（如器件二极管、三极管、场效应管）。

3.材料的电阻率界于金属与绝缘材料之间的材料。这种材料在某个温度范围内随温度升高而增加电荷载流子的浓度，电阻率下降。做芯片可能是应为半导体一般是4价材质的原因吧，参杂后可得P型半导体与N型半导体，将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上，在它们的交界面就形成PN结。

半导体前道工序一般指引线匡架(leadframe)加工国内的企业如ASM(冲压片)QPL(蚀刻片)

后工序一般指IC封装,包括贴晶片,焊线,塑封,切筋,测试等工序,国内企业如ASAT,NANGTONG,江苏长电,台湾的有ASE,OSE什么的.

封装就是通常所说的后工序,AMD应该是做后工序,至于和剑做什么的没听说过.

国内的半导体封装企业上海江苏比较多大多是国外/香港/台湾公司的国内工厂.比如Freescale/TJ在天津,Unisem/CN在重庆,LINGSEN好象在江苏那边,LIYUAN也在那边,AMKOR/IFMY/TI是国外比较出名半导体的封装公司.

半导体设备分为前道和后道，前道主要是光刻、刻蚀机、清洗机、离子注入、化学机械平坦等。后道主要有打线、Bonder、FCB、BGA植球、检查、测试等。又分为湿制程和干制程。湿制程主要是由液体参与的流程，如清洗、电镀等。干制程则与之相反，顾名思义是没有液体的流程。其实半导体制程大部分是干制程。国内有做得靠铺的公司吗：不多，但是还是有的。

http://ic.big-bit.com/news/

---