欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
基本的半导体器件主要有以下几种:pn结二极管,金属氧化物场效应晶体管(MOS),双极晶体管(BJT),结型场效应晶体管。pn结二极管结构:其中pn结二极管由n型半导体和p型半导体接触产生。工作原理:由于二者接触后产生由n型半导体指向p型半导体的内建电场,当外加电压由n型半导体指向p型半导体时进一步增强了其内建电场,因而其电流会很小,当外加电压由p型指向n型时,内建电场降低,电流可顺利通过pn结,形成单向导电的特性。MOS结构:主要由栅极,漏极及源极三部分构成。工作原理:通过栅极控制沟道载流子浓度实现对源极及漏极电流的控制。BJT结构:由发射极,基极,集电极构成。基本原理:通过控制发射极与基极之间的电压以及集电极与基电极之间的电压实现电流的放大,截至等效应。结型场效应晶体管:与MOS构成类似,不同点仅在于其栅极位于沟道的上下两侧。工作原理:上下栅极同时控制沟道的载流子浓度及沟道的宽度实现对电流的控制。硅堆上的电压分布特点,高压硅堆又叫硅柱,它是一种硅高频高压整流二极管,工作电压在几千伏至几万伏之间,常用于黑白电视机或其他电子仪器中作高频高压整流。它之所以能有如此高的耐压本领,是因为它的内部是由若干个硅高频二极管的管心串联起来组合而成的,外面用高频陶瓷进行封装。
赞
(0)
打赏
微信扫一扫
支付宝扫一扫
2021半导体龙头股有哪些
上一篇
2023-04-15
一则网络谣言,让A股半导体板块蒸发570亿
下一篇
2023-04-15
评论列表(0条)