半导体工艺流程中的前段（F）后段（B）一般是如何划分的，为何要这样划分？

芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序（Wafer Fabrication）、晶圆针测工序（Wafer Probe）、构装工序（Packaging）。

测试工序（Initial Test and Final Test）等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段（Front End）工序，而构装工序、测试工序为后段（Back End）工序。

按照其制造技术可分为分立器件半导体、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、存储器等大类，一般来说这些还会被再分成小类。

此外，IC除了在制造技术上的分类以外，还有以应用领域、设计方法等进行分类，最近虽然不常用。

但还有按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行分类的方法。此外，还有按照其所处理的信号，可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。

晶圆处理工序：本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件（如晶体管、电容、逻辑开关等），其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关。

但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗，再在其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤，最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。

扩展资料：

（1）元素半导体。元素半导体是指单一元素构成的半导体，其中对硅、锡的研究比较早。它是由相同元素组成的具有半导体特性的固体材料，容易受到微量杂质和外界条件的影响而发生变化。目前， 只有硅、锗性能好，运用的比较广，硒在电子照明和光电领域中应用。

硅在半导体工业中运用的多，这主要受到二氧化硅的影响，能够在器件制作上形成掩膜，能够提高半导体器件的稳定性，利于自动化工业生产。

（2）无机合成物半导体。无机合成物主要是通过单一元素构成半导体材料，当然也有多种元素构成的半导体材料，主要的半导体性质有I族与V、VI、VII族；II族与IV、V、VI、VII族；III族与V、VI族；IV族与IV、VI族。V族与VI族；

VI族与VI族的结合化合物，但受到元素的特性和制作方式的影响，不是所有的化合物都能够符合半导体材料的要求。这一半导体主要运用到高速器件中，InP制造的晶体管的速度比其他材料都高，主要运用到光电集成电路、抗核辐射器件中。 对于导电率高的材料，主要用于LED等方面。

参考资料来源：百度百科-半导体

tf卡和sd卡区别如下：TF卡又称为microSD，尺寸较小，是一种快闪存存储卡，采用了SanDisk最新的nandmlc技术。TF常用在手机、数码相机、音频设备等便携式设备上。SD卡的英文全称是SecureDigitalCard，中文是安全数字卡，是一种基于半导体的快闪记忆器设备。SD卡的尺寸多为24mm×32mm×2.1mm，而TF卡的体积是15mm×11mm×1mm。SD卡的侧面有写入保护开关，可以设置滑动开关来保护数据，由于TF卡体积较小，可以通过SD卡的设备器来转换为SD卡。手机中取消外部SD卡的原因：由于SD卡槽在一定程度上会占用手机的内部空间，导致无法把手机做的更薄，所以很多厂家直接去掉了外接SD卡的功能，但部分机器是吧SD卡与手机卡槽合二为一，缺点是无法同时放两张卡。另外，外部的存储卡相比手机内部的存储空间，在速度和稳定性都有限制，加上SD卡损坏的几率更大，易造成文件的丢失，而且现在的手机基本是64G往上，SD卡的需求变低。当砍掉SD卡卡槽时，厂家会节省这部分的钱，对于百万出货量的品牌就很可观了。

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