越狱男李红涛发明了什么死刑改死缓 李红涛无刷电机是什么东西

他发明了无刷电机，中小型三相同步发电机主要分为无刷电机和有刷电机两大类。

无刷电机，又称无换向器电动机、无整流子直流电动机。它是用半导体逆变器取代一般直流电动机中的机械换向器,构成没有换向器的直流电动机。由电动机主体和驱动器组成，是一种典型的机电一体化产品。

无刷就是没有碳刷，没有滑环跟碳刷的磨损更不需要更换。无刷发电机靠独立的励磁发电机提供磁场，调节励磁发电机的磁场就等于控制发电机的磁场，优点是控制励磁机的电流小发电机电压稳定，有刷发电机是靠励磁线圈整流后提供磁场。

无刷发电机的励磁机是靠电子调压板来控制磁场，一旦调压板出问题维修条件不容易满足只有换新的，这也是无刷发电机的缺点。

无刷发电机由五个部分组成： 1、主发电机；2、交流励磁机；3、旋转整流器装置；4、自动电压调节器； 5、永磁副励磁机 (选用部件)。

扩展资料：

1992年12月8日，李红涛越狱后第三次被抓获。在逃亡中，唯一能让李红涛全神贯注的就是发明“无刷电机”的构想。他是学无线电的，对于机械有着非同寻常的兴趣。第三次被捕后，在柳州关押了一段时间。

1993年2月，李红涛被押解回昆明市第一看守所。1993年4月26日，李红涛被公安机关正式逮捕。

在昆明第一看守所等待判决期间，李红涛不厌其烦地向管教民警谈起他做实验的要求。最后，所里领导经认真研究，冒着风险同意了他的要求。看守所特地为李红涛提供了一间监舍做实验，从此，他便开始潜心实验。

1993年12月，云南省最高人民法院核准李红涛的死刑，执行通知书下达昆明市中级人民法院。按照规定，判决书下达后，七天之内就必须执行死刑。昆明市第一看守所所长孙尔云亲自把云南省电器科学研究所的几位专家请到看守所，对他现场指导。专家的建议，使李红涛茅塞顿开。

1993年12月31日，实验成功了。当晚，所长孙尔云赶紧写了份请求暂缓执行李红涛死刑的报告，送到了昆明市公安局，公安局局长亲自批示，并以昆明市公安局红头文件的形式，向云南省高级人民法院正式提请暂缓执行请求。

省高级人民法院经审议很快答复，同意暂缓执行。在以后的一年里，为了李红涛能改判，为了争取时间，看守所一边为李红涛申请专利，一边经主管部门特批，带李红涛到电器研究所测试数据，完善模型。

1995年，李红涛发明的“无刷电励磁电机”，获得第五届中国专利发明博览会金奖，云南省优秀发明创造一等奖。据悉，李红涛在申请专利时，化名为“杨红俊”。随后几年，李红涛有多项发明，获得三项发明专利，三项实用新型专利。由于李红涛的重大立功表现，符合法律改判和减刑规定，死缓改有期徒刑。

2002年，李红涛联想到当年他成功脱逃的两次经历，决定帮助监狱改善管理系统。李红涛与昆明市第一看守所技术干警研发的全电脑监狱监控管理系统获得成功，昆明第一看守所跃入全国20家模范看守所之列。

参考资料：专利查询网—CN95115186.X无刷电励磁电机

【p－n结】在一块半导体中，掺入施主杂质(以硅为例，在高纯硅的一端掺入一点点硼、铝、镓等杂质就是p型半导体。在另一端掺入一点点磷、砷、锑等杂质就是n型半导体），使其中一部分成为n型半导体。其余部分掺入受主杂质而成为p型半导体， 单纯的一片p型或n型半导体，仅仅是导电能力增强了，但还不具备半导体器件所要求的各种特性。如果在一块n型（或p型）半导体上在制成一层p型(或n型)半导体，于是在p型半导体和n型半导体的交界处就会形成一个pn结。 当p型半导体和n型半导体“结合”在一起时，由于p型半导体的空穴浓度高，自由电子的浓度低；而n型半导体的自由电子浓度高，空穴浓度低，所以交界面两侧的载流子在浓度上形成了很大的差别。这是就在交界面附近产生了多数载流子的扩散运动。所谓扩散运动，就是载流子由浓度高的地方向浓度低的地方运动，即p区的多数载流子（空穴）向n区扩散，同时n区的多数载流子（电子）向p区扩散。随着扩散运动的进行，在p区和n区的交界面p区一侧出现一层带负电的粒子区（这是不能移动的电荷）；而在交界面n区一侧出现一层带正电的粒子区。这样，在交界面的两侧就形成了一个空间电荷区。

半导体电子厂主要生产TO-92、TO-92S、TO-92L、TO-126型产品。

产品：三极管广泛应用于玩具、电子节能灯、数码技术产品、通讯、电视、工业自动化及家用电器领域，上芯、焊线、塑封、测试分选、激光打印等自动化生产设备。

电子厂的半导体指的是

锗、硅、硒、砷化镓及许多金属氧化物和金属硫化物等物体，它们的导电能力介于导体和绝缘体之间，叫做半导体。

半导体具有一些特殊性质。如利用半导体的电阻率与温度的关系可制成自动控制用的热敏元件（热敏电阻）；利用它的光敏特性可制成自动控制用的光敏元件，像光电池、光电管和光敏电阻等。

半导体还有一个最重要的性质，如果在纯净的半导体物质中适当地掺入微量杂质测其导电能力将会成百万倍地增加。利用这一特性可制造各种不同用途的半导体器件，如半导体二极管、三极管等。

把一块半导体的一边制成P型区，另一边制成N型区，则在交界处附近形成一个具有特殊性能的薄层，一般称此薄层为PN结。图中上部分为P型半导体和N型半导体界面两边载流子的扩散作用（用黑色箭头表示）。中间部分为PN结的形成过程，示意载流子的扩散作用大于漂移作用（用蓝色箭头表示，红色箭头表示内建电场的方向）。下边部分为PN结的形成。表示扩散作用和漂移作用的动态平衡。

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