硅是重要的半导体材料，构成现代电子工业的基础．请回答下列问题：（1）硅原子中能量最高的电子处在_____

（1）原子中，离原子核越远的电子层其能量越高，所以Si原子中M电子层能量最高；该原子中含有3个s轨道、6个p轨道，一共有9个轨道，M层电子占有的原子轨道数为3，故答案为：M；3；

（2）硅晶体和金刚石晶体类似都属于原子晶体，硅原子之间以非极性共价键结合，单质硅是正四面体结构，14克单晶硅中存在Si-Si键的数目是

14g

28g/mol

×2NA=NA，故答案为：b； NA；

（3）SiH4在氧气中燃烧生成二氧化硅和水，方程式为：SiH4+O2 

点燃  .

SiO2+2H2O，故答案为：SiH4+O2 

点燃  .

SiO2+2H2O；

（4）根据元素周期律，非金属性C＞Si，则它们的气态氢化物的热稳定性CH4＞SiH4，

故答案为：非金属性C＞Si，它们的气态氢化物的热稳定性CH4＞SiH4；

（5）1200℃时发生反应为2（CaO?MgO）（s）+Si（s）?Ca2SiO4 （l）+2Mg（g），此时镁以蒸气的形式逸出，使平衡向正反应方向移动，使得化学反应能发生，故答案为：1200℃时反应生成的镁以蒸气的形式逸出，使平衡向正反应方向移动；

（6）a．化学平衡是动态平衡，反应物不再转化为生成物，则是证明反应结束的，故错误；

b．炉内Ca2SiO4与CaO?MgO的质量比保持不变，达到了平衡，故正确；

c．反应放出的热量不再改变，证明正逆反应速率是相等的，各个组分的浓度不随时间的变化而改变，故正确；

 d．单位时间内，n（CaO?MgO）消耗：n（Ca2SiO4）生成=2：1，不能证明正逆反应速率相等，故错误．

Mg的生成速率v=

b 96 × 1 2

at

=

0.5b

96at

 mol/（L?min），

故答案为：bc；

0.5b

96at

 mol/（L?min）．

电压压差不一定。

三极管是电流触发的，不是电压触发的，基极和射极的压差随电流状态不同而有所变化。

三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

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